公开(公告)号：CN119450252B

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202510014025.5

申请日：2025-01-06

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 高丽 ,  王羽凡 ,  赖子杰 ,  赵慧娟 ,  于远方 ,  唐森垚 ,  王嘉璇 ,  周琦源

IPC: H04N25/703 ,  H04N1/44 ,  H10F30/222 ,  H10F77/12 ,  H10F77/42

Abstract: 本发明公开基于二维无机/无机范德华异质结偏振光电探测器进行通信加密的方法，属于光电器件技术领域。所述光电探测器包括衬底、二维MoSe2材料层、二维ReS2材料层和薄膜电极，两个二维材料层构成范德华垂直异质结且为II型异质结构；由于ReS2各向异性的光吸收、MoSe2有效的载流子收集和输运能力以及异质结对暗电流的抑制作用，二维ReS2/MoSe2光电探测器的光电性能明显提升，同时具备89.4 A/W的高响应度、30.5 µs的快响应速度以及偏振敏感特性，在此基础上借助偏振态信息加密技术对信息进行多重加密，能极大提升信息传输过程的隐蔽性和安全性，为未来安全通讯技术的发展提供新的可能。

公开(公告)号：CN119450252A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202510014025.5

申请日：2025-01-06

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 高丽 ,  王羽凡 ,  赖子杰 ,  赵慧娟 ,  于远方 ,  唐森垚 ,  王嘉璇 ,  周琦源

IPC: H04N25/703 ,  H04N1/44 ,  H10F30/222 ,  H10F77/12 ,  H10F77/42

Abstract: 本发明公开基于二维无机/无机范德华异质结偏振光电探测器进行通信加密的方法，属于光电器件技术领域。所述光电探测器包括衬底、二维MoSe2材料层、二维ReS2材料层和薄膜电极，两个二维材料层构成范德华垂直异质结且为II型异质结构；由于ReS2各向异性的光吸收、MoSe2有效的载流子收集和输运能力以及异质结对暗电流的抑制作用，二维ReS2/MoSe2光电探测器的光电性能明显提升，同时具备89.4 A/W的高响应度、30.5 µs的快响应速度以及偏振敏感特性，在此基础上借助偏振态信息加密技术对信息进行多重加密，能极大提升信息传输过程的隐蔽性和安全性，为未来安全通讯技术的发展提供新的可能。

公开(公告)号：CN118825106A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410901069.5

申请日：2024-07-05

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 赵慧娟 ,  王羽凡 ,  高丽 ,  于远方 ,  唐森垚 ,  成亚敏 ,  李姝涵

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/032 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开一种二维无机/无机范德华异质结光电探测器及其制备方法，属于光电器件技术领域。衬底上依次设置二维MoSe2材料层、二维MoS2材料层和金薄膜；二维材料层均利用干法转移的方式转移至衬底上，两个二维材料层构成范德华异质结垂直结构，实现范德华接触；金薄膜与异质结间亦为范德华金属接触。MoS2/MoSe2范德华异质结构的搭建增强了MoS2的光吸收，且MoS2/MoSe2异质结具有快速电荷转移，金电极与二维材料间范德华接触可降低接触电阻，二维材料的固有特性也通过减少金属‑半导体界面的费米能级钉扎而得以保留，多重作用下使得器件同时具有高光响应度(528.1A/W)和快速光响应(上升和下降的响应时间分别为3.0μs和31.3μs)，能够实现高频率的快速成像，在单像素成像领域具有广阔的应用前景。