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公开(公告)号：CN109801820B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201811601638.5
申请日：2018-12-26
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提出了一种多层级联式宽光谱响应光电阴极及其制备方法，该光电阴极包括自下而上设置的衬底、InGaAs缓冲层、p型Al0.8In0.2As腐蚀阻挡层、p型发射层以及保护层，其中，所述p型发射层包括自下而上依次设置的p型InxGa1‑xAs层、p型GaAs层、p型Ga1‑yAlyAs层。在发射层中，InxGa1‑xAs部分中In组分x自下而上逐层由0.2降低至0.05，GaAs层掺杂方式为变掺杂分布，Ga1‑yAlyAs部分中Al组分y自下而上逐层由0递增到0.9。本发明在发射层中采用变组分变掺杂技术，一方面提高了光生电子在发射层内的扩散长度，帮助光生电子向发射表面迁移，更有利于光生电子的发射。
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公开(公告)号：CN109801820A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811601638.5
申请日：2018-12-26
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提出了一种多层级联式宽光谱响应光电阴极及其制备方法，该光电阴极包括自下而上设置的衬底、InGaAs缓冲层、p型Al0.8In0.2As腐蚀阻挡层、p型发射层以及保护层，其中，所述p型发射层包括自下而上依次设置的p型InxGa1-xAs层、p型GaAs层、p型Ga1-yAlyAs层。在发射层中，InxGa1-xAs部分中In组分x自下而上逐层由0.2降低至0.05，GaAs层掺杂方式为变掺杂分布，Ga1-yAlyAs部分中Al组分y自下而上逐层由0递增到0.9。本发明在发射层中采用变组分变掺杂技术，一方面提高了光生电子在发射层内的扩散长度，帮助光生电子向发射表面迁移，更有利于光生电子的发射。
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公开(公告)号：CN112885684B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110149423.X
申请日：2021-02-03
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种提高GaAs光电阴极稳定性的激活方法，包括两次Cs/Li/NF3激活，分别在两次高温净化之后各进行一次激活。本发明的操作步骤少，Cs源一直保持开启状态，Li源的开启和关闭只需判定光电流的大小，NF3的开启和关闭只需控制阀门开关，可操作性强，且光电阴极稳定性提升显著。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112885684A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110149423.X
申请日：2021-02-03
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种提高GaAs光电阴极稳定性的激活方法，包括两次Cs/Li/NF3激活，分别在两次高温净化之后各进行一次激活。本发明的操作步骤少，Cs源一直保持开启状态，Li源的开启和关闭只需判定光电流的大小，NF3的开启和关闭只需控制阀门开关，可操作性强，且光电阴极稳定性提升显著。
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公开(公告)号：CN111584327B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202010358215.6
申请日：2020-04-29
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01J9/12
Abstract: 本发明公开了一种提高砷化镓光电阴极量子效率的激活方法，包括：开启铯源，光电流逐渐上升，光电流达到峰值后下降；当光电流下降到峰值电流的50％～90％时，开启氧源，并保持铯源开启状态；当光电流再次到达峰值时关闭氧源；当光电流下降到峰值的50％～90％时打开氧源，重复上述激活过程，直到光电流的峰值电流是前一个峰值电流的100～110％时，待光电流下降到峰值电流的50％～90％时打开氟源，当光电流上升到新的峰值时，先后关闭氟源和铯源，结束激活过程。本发明可以得到光电发射性能更好的砷化镓光电阴极，兼容传统铯氧激活工艺，且具备计算机辅助控制激活方式，操作简单，易于推广。
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公开(公告)号：CN111584326B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202010358213.7
申请日：2020-04-29
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01J9/12
Abstract: 本发明公开了一种提高InGaAs光电阴极量子效率的激活方法，包括铯、氧激活和铯、NF3激活的两次激活，具体为：对InGaAs光电阴极进行第一次高温净化；开启铯源，当光电流下降到峰值电流的50％～85％时，开启氧源，并保持铯源开启，当光电流再次到达峰值时关闭氧源；对InGaAs光电阴极进行第二次高温净化；开启铯源，当光电流下降到峰值电流的50％～85％时，开启NF3进气阀门，使NF3气体进入激活腔体，并保持铯源开启，当光电流曲线上升速率小于0.2μA/min，关闭NF3进气阀门，关闭铯源。本发明可以得到量子效率更高的InGaAs光电阴极。
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公开(公告)号：CN111584327A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010358215.6
申请日：2020-04-29
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01J9/12
Abstract: 本发明公开了一种提高砷化镓光电阴极量子效率的激活方法，包括：开启铯源，光电流逐渐上升，光电流达到峰值后下降；当光电流下降到峰值电流的50％～90％时，开启氧源，并保持铯源开启状态；当光电流再次到达峰值时关闭氧源；当光电流下降到峰值的50％～90％时打开氧源，重复上述激活过程，直到光电流的峰值电流是前一个峰值电流的100～110％时，待光电流下降到峰值电流的50％～90％时打开氟源，当光电流上升到新的峰值时，先后关闭氟源和铯源，结束激活过程。本发明可以得到光电发射性能更好的砷化镓光电阴极，兼容传统铯氧激活工艺，且具备计算机辅助控制激活方式，操作简单，易于推广。
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公开(公告)号：CN111584326A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010358213.7
申请日：2020-04-29
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01J9/12
Abstract: 本发明公开了一种提高InGaAs光电阴极量子效率的激活方法，包括铯、氧激活和铯、NF3激活的两次激活，具体为：对InGaAs光电阴极进行第一次高温净化；开启铯源，当光电流下降到峰值电流的50％～85％时，开启氧源，并保持铯源开启，当光电流再次到达峰值时关闭氧源；对InGaAs光电阴极进行第二次高温净化；开启铯源，当光电流下降到峰值电流的50％～85％时，开启NF3进气阀门，使NF3气体进入激活腔体，并保持铯源开启，当光电流曲线上升速率小于0.2μA/min，关闭NF3进气阀门，关闭铯源。本发明可以得到量子效率更高的InGaAs光电阴极。
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