公开(公告)号：CN1185690C

公开(公告)日：2005-01-19

申请号：CN02113086.8

申请日：2002-05-31

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  毕朝霞 ,  王栩生 ,  修向前 ,  顾书林 ,  沈波 ,  施毅 ,  刘治国 ,  郑有炓 ,  江若琏 ,  朱顺明 ,  韩平 ,  胡立群

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/365

Abstract: ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底的制备及ZnAl2O4衬底上GaN薄膜生长方法，先将清洗的α-Al2O3衬底送入脉冲激光淀积(PLD)系统制备ZnO薄膜，生长腔内的氧气偏压气氛下生长ZnO薄膜，然后将上步骤中得到的ZnO/α-Al2O3样品放入高温反应炉中，采用氧气作为反应气氛，ZnO和α-Al2O3在高温下反应得到了ZnAl2O4覆盖层，从而得到了ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底；再将ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底送入GaN的MOCVD生长系统，以MOCVD方法生长GaN薄膜。在GaN的生长过程中，不存在氮化物缓冲层的生长，这不仅能提高生长的重复性，而且也提高了GaN生长系统的利用效率。

公开(公告)号：CN1399308A

公开(公告)日：2003-02-26

申请号：CN02113086.8

申请日：2002-05-31

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  毕朝霞 ,  王栩生 ,  修向前 ,  顾书林 ,  沈波 ,  施毅 ,  刘治国 ,  郑有炓 ,  江若琏 ,  朱顺明 ,  韩平 ,  胡立群

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/365

Abstract: ZnAl2O4/α－Al2O3复合衬底的制备及ZnAl2O4衬底上GaN薄膜生长方法，先将清洗的α－Al2O3衬底送入脉冲激光淀积(PLD)系统制备ZnO薄膜，生长腔内的氧气偏压气氛下生长ZnO薄膜，然后将上步骤中得到的ZnO/α－Al2O3样品放入高温反应炉中，采用氧气作为反应气氛，ZnO和α－Al2O3在高温下反应得到了ZnAl2O4覆盖层，从而得到了ZnAl2O4/α－Al2O3复合衬底；再将ZnAl2O4/α－Al2O3复合衬底送入GaN的MOCVD生长系统，以MOCVD方法生长GaN薄膜。在GaN的生长过程中，不存在氮化物缓冲层的生长，这不仅能提高生长的重复性，而且也提高了GaN生长系统的利用效率。