公开(公告)号：CN119230597B

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202411759891.9

申请日：2024-12-03

Applicant: 南京大学

Inventor： 叶建东 ,  许轲 ,  万昌锦 ,  雒玉蓉 ,  李展华 ,  任芳芳 ,  顾书林 ,  张荣

IPC: H10D64/68 ,  H10D30/01 ,  H10D30/60

Abstract: 本发明公开了一种具有κ‑Ga2O3/Al2O3复合铁电介质层的负电容晶体管及其制备方法。本发明的负电容晶体管包括从下至上依次设置的衬底，GaN缓冲层，UID‑GaN沟道层，Al0.25Ga0.75N势垒层，以及设置在Al0.25Ga0.75N势垒层上的源电极、漏电极和栅极，以及设置在栅极和Al0.25Ga0.75N势垒层之间的κ‑Ga2O3/Al2O3复合铁电介质层。本发明的负电容晶体管能够实现易失性与非易失性存储的结合，从而在保证高速数据处理能力的同时，提高系统的稳定性与断电后的数据保存可靠性，为全储备池的应用提供高效的数据管理支持。

公开(公告)号：CN119230597A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202411759891.9

申请日：2024-12-03

Applicant: 南京大学

Inventor： 叶建东 ,  许轲 ,  万昌锦 ,  雒玉蓉 ,  李展华 ,  任芳芳 ,  顾书林 ,  张荣

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种具有κ‑Ga2O3/Al2O3复合铁电介质层的负电容晶体管及其制备方法。本发明的负电容晶体管包括从下至上依次设置的衬底，GaN缓冲层，UID‑GaN沟道层，Al0.25Ga0.75N势垒层，以及设置在Al0.25Ga0.75N势垒层上的源电极、漏电极和栅极，以及设置在栅极和Al0.25Ga0.75N势垒层之间的κ‑Ga2O3/Al2O3复合铁电介质层。本发明的负电容晶体管能够实现易失性与非易失性存储的结合，从而在保证高速数据处理能力的同时，提高系统的稳定性与断电后的数据保存可靠性，为全储备池的应用提供高效的数据管理支持。