公开(公告)号：CN100395373C

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200610039236.1

申请日：2006-03-31

Applicant: 南京大学

Inventor： 韩平 ,  赵红 ,  谢自力 ,  王荣华 ,  王琦 ,  夏冬梅 ,  修向前 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: C23C16/44

Abstract: 化学气相淀积的生长设备，采用射频感应加热，射频感应加热器中间设有石墨反应腔，石墨反应腔置于真空石英管(1)内，在石英管与被感应加热的石墨反应腔(3)之间设有耐高温的热解BN套管(2)组。BN套管组为2-6只套管，套管壁间距、套管壁与石英管壁间距是1mm-10mm。利用多层BN套管组作为辐射蔽罩、有效地降低热辐射所致的能量损失。BN材料导热率低，可实现100℃/mm以上的温度梯度，具有良好的保温效果。石英管内维持较高真空，BN套管之间、BN套管与石英管之间为真空，有助于减少热量损失。

公开(公告)号：CN1800445A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200510095459.5

申请日：2005-11-17

Applicant: 南京大学

Inventor： 韩平 ,  王荣华 ,  夏冬梅 ,  刘成祥 ,  谢自力 ,  赵红 ,  修向前 ,  朱顺明 ,  顾书林 ,  施毅 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: C23C16/06 ,  C23C16/52

Abstract: 化学气相淀积生长掺碳硅锗合金缓冲层及生长锗薄膜方法，在700～850℃的衬底温度下，以GeH4、C2H4为反应气源，保持腔体压强10～100Pa，C2H4分压0.01～0.15Pa，GeH4分压0.10～1.10Pa，气源与衬底外扩的Si发生外延反应，结合外延层中的Ge向衬底扩散，最终在衬底表面生长一层Ge组分渐变的Si1－xGex：C缓冲层，缓冲层的厚度为0.5～10微米；继而生长Ge薄膜；尤其是在400～600℃下保持腔体压强15～100Pa，GeH4分压0.17～1.11Pa，在Ge组分渐变的Si1－xGex：C缓冲层上外延Ge薄膜。该缓冲层的存在，在Si衬底上形成了一系列的低失配界面，实现位错密度和热失配的递减，从而实现连续的应变弛豫。

公开(公告)号：CN100451162C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200510095459.5

申请日：2005-11-17

Applicant: 南京大学

Inventor： 韩平 ,  王荣华 ,  夏冬梅 ,  刘成祥 ,  谢自力 ,  赵红 ,  修向前 ,  朱顺明 ,  顾书林 ,  施毅 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: C23C16/06 ,  C23C16/52

Abstract: 化学气相淀积生长掺碳硅锗合金缓冲层及生长锗薄膜方法，在700～850℃的衬底温度下，以GeH4、C2H4为反应气源，保持腔体压强10～100Pa，C2H4分压0.01～0.15Pa，GeH4分压0.10～1.10Pa，气源与衬底外扩的Si发生外延反应，结合外延层中的Ge向衬底扩散，最终在衬底表面生长一层Ge组分渐变的Si1-xGex:C缓冲层，缓冲层的厚度为0.5～10微米；继而生长Ge薄膜；尤其是在400～600℃下保持腔体压强15～100Pa，GeH4分压0.17～1.11Pa，在Ge组分渐变的Si1-xGex:C缓冲层上外延Ge薄膜。该缓冲层的存在，在Si衬底上形成了一系列的低失配界面，实现位错密度和热失配的递减，从而实现连续的应变弛豫。

公开(公告)号：CN1834286A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200610039236.1

申请日：2006-03-31

Applicant: 南京大学

Inventor： 韩平 ,  赵红 ,  谢自力 ,  王荣华 ,  王琦 ,  夏冬梅 ,  修向前 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/52

Abstract: 化学气相淀积的生长设备，采用射频感应加热，射频感应加热器中间设有石墨反应腔，石墨反应腔置于真空石英管(1)内，在石英管与被感应加热的石墨反应腔(3)之间设有耐高温的热解BN套管(2)组。BN套管组为2－6只套管，套管壁间距、套管壁与石英管壁间距是1mm－10mm。利用多层BN套管组作为辐射蔽罩、有效地降低热辐射所致的能量损失。BN材料导热率低，可实现100℃/mm以上的温度梯度，具有良好的保温效果。石英管内维持较高真空，BN套管之间、BN套管与石英管之间为真空，有助于减少热量损失。