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公开(公告)号：CN113076658B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110433972.X
申请日：2021-04-22
Applicant: 华北电力大学
IPC: G06F30/20 , G06F113/04
Abstract: 本专利提出了一种考虑线路两端同步误差的PMU幅值数据恢复方法，该方法可准确恢复PMU数据，保证PMU数据应用的准确性。首先，分析了实测PMU数据中的质量问题，其次，建立了数据恢复的模型，并利用历史数据计算恢复系数，之后，依次对电压幅值，有功功率，无功功率和电流幅值进行恢复，最后，对于实测算例中出现的问题进行了恢复，恢复结果显示，所提方法具有较高的精度。
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公开(公告)号：CN113139287A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110433811.0
申请日：2021-04-22
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本专利提出了一种基于ADALINE神经网络和IGG法的自适应抗差线路参数辨识方法。该辨识方法可准确有效地对输电线路参数进行辨识，从而保障电力系统保护整定以及状态估计的准确性。首先，建立了基于输电线路两端多时间断面PMU量测数据的输电线路参数辨识模型，以及基于ADALINE神经网络的线路参数求解模型。此外，为充分利用量测信息，将IGG抗差法与ADALINE神经网络结合，提出了一种自适应鲁棒ADALINE(ARA)参数辨识方法。另外，为提高系统鲁棒性，利用中位数估计自适应的估计方程残差序列的期望和方差，调整IGG权函数的阈值。最后，仿真算例验证了方法的有效性。
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公开(公告)号：CN105568250A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610048208.X
申请日：2016-01-22
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: C23C16/24 , C23C16/02 , C23C16/513
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/02 , C23C16/0227 , C23C16/513
Abstract: 本发明提供一种PECVD沉积氢化纳米晶硅薄膜的制备方法，所述方法包括：样品制备步骤、样品准备步骤、抽真空步骤、通气步骤、射频发生步骤、加偏压步骤和生长步骤等。本发明通过调节脉冲偏压参数来控制纳米晶硅成核，降低了纳米晶硅薄膜中的缺陷态，形成了一种高晶化度低缺陷态的镶嵌纳米晶硅的氢化纳米晶硅薄膜。
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公开(公告)号：CN113221333A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110427206.2
申请日：2021-04-21
Applicant: 华北电力大学
IPC: G06F30/20 , G06Q10/06 , G06Q50/06 , G06F119/02
Abstract: 本发明提供了一种适用于核心元器件国产化的单装置继电保护可靠性评估方法，能够定量确定继电保护装置核心元器件国产化后对单套继电保护装置可靠性的影响，为继电保护装置国产化提供参考。首先，根据实际继电保护装置缺陷数据，确定继电保护装置典型核心元器件及其失效模式；其次，考虑继电保护装置的典型核心元器件及其失效模式，构建适用于核心元器件国产化的单装置继电保护Markov模型；基于Markov模型建立状态转移矩阵并建立可靠性指标；最后，考虑国产化核心元器件与进口元器件的失效率差异，确定核心元器件国产化后单套继电保护装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN112886644A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110416063.5
申请日：2021-04-19
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明属于电力系统稳定性分析领域，具体涉及一种考虑非线性环节的双馈系统次同步振荡分析方法。双馈系统中的限幅环节饱和会引发系统次同步振荡，危及新能源电力系统安全。为更好研究双馈系统中，机侧控制环节和附加设备中的限幅环节，以及限幅环节对系统阻抗特性的影响，揭示非线性环节引发次同步振荡的机理，本发明采用描述函数法对非线性环节进行近似处理，以双馈风机(DFIG)与静止无功发生器(SVG)为主要研究对象，结合限幅对于阻抗的影响，建立了含限幅环节的简化双馈系统阻抗模型，并采用谐振法近似分析限幅参与的次同步振荡现象，说明了其振荡机理为限幅饱和导致的系统阻抗特性变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113076658A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110433972.X
申请日：2021-04-22
Applicant: 华北电力大学
IPC: G06F30/20 , G06F113/04
Abstract: 本专利提出了一种考虑线路两端同步误差的PMU幅值数据恢复方法，该方法可准确恢复PMU数据，保证PMU数据应用的准确性。首先，分析了实测PMU数据中的质量问题，其次，建立了数据恢复的模型，并利用历史数据计算恢复系数，之后，依次对电压幅值，有功功率，无功功率和电流幅值进行恢复，最后，对于实测算例中出现的问题进行了恢复，恢复结果显示，所提方法具有较高的精度。
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公开(公告)号：CN105554994B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201610105494.9
申请日：2016-02-26
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: H05H1/30
Abstract: 本发明提供了一种无缝接触透明电极产生等离子体射流的装置及方法。本发明所提供的装置包括两个相对设置的水槽、石英玻璃管和等离子体发生电源；所述石英玻璃管垂直穿过两个所述水槽的侧面；所述水槽由透明绝缘材料制成，在两个所述水槽内分别盛有用作电极的液体水，两个水槽内的液面可使穿过所述水槽内部的石英玻璃管完全浸没；在所述石英玻璃管内通有放电气体；所述等离子体发生电源的正负极分别与两个水槽内的液体水电连接。本发明所提供的装置，可克服现有等离子体射流装置存在的技术缺陷，实现电极与石英玻璃管外壁的无缝接触，提高了反应效率；并且可实现对等离子体发光信号的全方位测量。
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公开(公告)号：CN105554994A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610105494.9
申请日：2016-02-26
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: H05H1/30
CPC classification number: H05H1/30
Abstract: 本发明提供了一种无缝接触透明电极产生等离子体射流的装置及方法。本发明所提供的装置包括两个相对设置的水槽、石英玻璃管和等离子体发生电源；所述石英玻璃管垂直穿过两个所述水槽的侧面；所述水槽由透明绝缘材料制成，在两个所述水槽内分别盛有用作电极的液体水，两个水槽内的液面可使穿过所述水槽内部的石英玻璃管完全浸没；在所述石英玻璃管内通有放电气体；所述等离子体发生电源的正负极分别与两个水槽内的液体水电连接。本发明所提供的装置，可克服现有等离子体射流装置存在的技术缺陷，实现电极与石英玻璃管外壁的无缝接触，提高了反应效率；并且可实现对等离子体发光信号的全方位测量。
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公开(公告)号：CN105483654A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201610044372.3
申请日：2016-01-22
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: C23C16/515 , C23C16/24
CPC classification number: C23C16/515 , C23C16/24
Abstract: 本发明提供一种用于生成纳米晶硅薄膜的装置，所述装置包括射频阴极、匹配网络、射频源、进气口、排气口、样品、下电极、绝缘支柱、热电偶测温测加热系统、脉冲偏压源、腔体、废气处理系统、总流量控制器、分子泵和机械泵。其中，腔体为金属反应腔，射频阴极、样品、下电极以及绝缘支柱设置在腔体内。进气口和出气口设置在腔体上。射频阴极与下电极相对设置，二者之间形成等离子放电区，所述样品置于等离子放电区内，脉冲偏压源为下电极提供偏压，输出电压为60-200V。本发明的用于生成纳米晶硅薄膜的装置，具有结构简单，易于操控，生长的纳米晶硅薄膜质量优良的特点。
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公开(公告)号：CN113111532A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110440099.7
申请日：2021-04-20
Applicant: 华北电力大学
IPC: G06F30/20 , G06Q50/06 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种全国产化继电保护核心元器件冗余数量确定方法，首先从不同的冗余方式中确定适合的冗余方式；根据各核心元器件失效率数据，求出各核心元器件在不同冗余数量下的失效率；根据继电保护装置的串联可靠性模型，求取核心元器件组合后继电保护装置的失效率，选取不满足失效率要求情况下最高成本的一种冗余方式；求取不同核心元器件组合的成本，按成本由低到高的顺序增加核心元器件数量，直至满足继电保护装置失效率要求，并以此来确定满足继电保护装置失效率要求且成本最小时各核心元器件的冗余数量。上述方法可以高效的确定各核心元器件的冗余数量，具有重要的理论意义与工程价值。
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