公开(公告)号：CN105568250A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201610048208.X

申请日：2016-01-22

Applicant: 华北电力大学(保定)

Inventor： 徐艳梅 ,  张贵银 ,  王永杰 ,  赵占龙

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/02 ,  C23C16/513

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/02 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/513

Abstract: 本发明提供一种PECVD沉积氢化纳米晶硅薄膜的制备方法，所述方法包括：样品制备步骤、样品准备步骤、抽真空步骤、通气步骤、射频发生步骤、加偏压步骤和生长步骤等。本发明通过调节脉冲偏压参数来控制纳米晶硅成核，降低了纳米晶硅薄膜中的缺陷态，形成了一种高晶化度低缺陷态的镶嵌纳米晶硅的氢化纳米晶硅薄膜。

公开(公告)号：CN105483654A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201610044372.3

申请日：2016-01-22

Applicant: 华北电力大学(保定)

Inventor： 徐艳梅 ,  张贵银 ,  王永杰 ,  赵占龙

IPC: C23C16/515 ,  C23C16/24

CPC classification number: C23C16/515 ,  C23C16/24

Abstract: 本发明提供一种用于生成纳米晶硅薄膜的装置，所述装置包括射频阴极、匹配网络、射频源、进气口、排气口、样品、下电极、绝缘支柱、热电偶测温测加热系统、脉冲偏压源、腔体、废气处理系统、总流量控制器、分子泵和机械泵。其中，腔体为金属反应腔，射频阴极、样品、下电极以及绝缘支柱设置在腔体内。进气口和出气口设置在腔体上。射频阴极与下电极相对设置，二者之间形成等离子放电区，所述样品置于等离子放电区内，脉冲偏压源为下电极提供偏压，输出电压为60-200V。本发明的用于生成纳米晶硅薄膜的装置，具有结构简单，易于操控，生长的纳米晶硅薄膜质量优良的特点。

公开(公告)号：CN102332674A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201110286974.7

申请日：2011-09-21

Applicant: 华北电力大学(保定)

Inventor： 任芝 ,  李松涛 ,  徐艳梅

IPC: H01S3/067 ,  H01S3/16

Abstract: 一种波长可调谐光子晶体光纤激光器，其特征在于：作为增益介质的光子晶体光纤内设置有多种不同周期结构的二维光子晶体结构，在每一种周期结构的二维光子晶体结构中具有一个能够导光的缺陷位，并且在每个缺陷位处掺杂有与该缺陷位所能传导光波长相对应的增益物质。

公开(公告)号：CN111153930A

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN202010019742.4

申请日：2020-01-09

Applicant: 华北电力大学(保定)

Inventor： 徐艳梅 ,  李松涛 ,  吕刚

IPC: C07F7/22 ,  C09K11/06

Abstract: 本发明利用四价Sn的稳定态直接合成有机无机杂化的锡基类钙钛矿材，该发光材料的化学表达式为R2SnM6，其中R为有机胺阳离子，M为卤素I、Br或Cl。此技术以四价锡卤化物为基质材料，引入不同有机胺阳离子对其结构进行调整，并通过热注入溶液法制备锡基类钙钛矿纳米晶颗粒，可获得化学性能稳定、发光性能优异的发光材料。所制备的材料发光来源于自陷激子，呈现出宽光谱发光，改变卤素可以使发光峰位从420nm调整到650nm。在完全暴露在空气条件下，材料结构稳定性，光致发光强度，可以持续4个月以上不发生衰减。

公开(公告)号：CN105679652A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610044708.6

申请日：2016-01-22

Applicant: 华北电力大学(保定)

Inventor： 徐艳梅 ,  张贵银 ,  赵占龙 ,  王永杰

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L29/423 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/401 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/42364

Abstract: 本发明提供一种制备nc-Si/SiOx薄膜MIS结构器件的方法，所述方法包括：样品制备步骤、样品准备步骤、抽真空步骤、通气步骤、射频发生步骤、加偏压步骤、薄膜生长步骤等。本发明通过加衬底负偏压控制等离子体的能量和离子流密度，增大了N2O分解的氧离子和Si结合速率同时抑制了氮粒子和Si的结合，避免和衬底上的硅活性基团生成Si-N键，减少膜中载流子陷阱的形成，从而提高薄膜的载流子输运效率。

公开(公告)号：CN205724358U

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201620360107.1

申请日：2016-04-20

Applicant: 华北电力大学(保定)

Inventor： 任芝 ,  徐艳梅

IPC: H01S3/09 ,  H01S5/042 ,  H02M7/5387

Abstract: 一种全桥逆变电路激光器驱动电路，包括输入端，正输入端分别连接到电容C1的一端以及绝缘栅型场效应晶体管IGBT1和IGBT3的集电极，负输入端vin‑分别连接到电容C1另外一端以及绝缘栅型场效应晶体管IGBT2和IGBT4的发射极，IGBT1，IGBT2，IGBT3，IGBT4的门极分别经电阻R1，R2，R4，R5连接到微处理器MCU，IGBT3的发射极连接到电流传感器ISEN1的一端以及变压器T1初级线圈的一端，IGBT1的发射极连接到电感L3的一端，变压器T1初级线圈的另外一端以及IGBT2的集电极，电感L3的另外一端连接电流传感器ISEN1的另外一端。