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公开(公告)号：CN117156956A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311076782.2
申请日：2023-08-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及纳米半导体材料领域，公开了一种二维CuCrSe2‑CuCr2Se4横向磁性异质结的制备方法，包括(1)以碘化铜作为铜源，铬粉与碘化钾混合作为铬源，将铜源和铬源放置在单温区管式炉下游的石英套管中；碘化铜、铬粉和碘化钾的质量比为(4～6):1:2；(2)将硒粉放置在单温区管式炉上游，通过载气将硒蒸气带入单温区管式炉下游使其与铜源和铬源反应；反应温度设置为840℃～860℃，保温时间为3～5min，得到二维纯相CuCrSe2产物；(3)在步骤(2)后延长保温时间至至不超过7min，制备得到二维CuCrSe2‑CuCr2Se4横向磁性异质结。本发明中套管限域的设置为反应体系提供较低的前驱体流动速率及稳定的生长环境，共同限制CuCrSe2的面外生长，通过调控保温时间控制相转变的程度合成高质量、纯相的二维CuCrSe2‑CuCr2Se4横向磁性异质结。
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公开(公告)号：CN108505034A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810298249.3
申请日：2018-04-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: C23C24/10
CPC classification number: C23C24/103
Abstract: 本发明提供了陶瓷增强型镍基复合涂层及其制备方法，本发明采用激光熔敷将非粉末状含镍合金原料和陶瓷粉熔敷在基体材料上，在基体材料上形成陶瓷增强型镍基复合涂层，其中非粉末状含镍合金原料中镍的质量百分含量≥30％。本发明提供的方法，熔敷过程采用非粉末状含镍合金原料和陶瓷粉，避免采用激光熔炼常规原材料合金粉末，进而避免在熔敷过程中容易产生气孔和裂纹所造成的组织不完整，降低涂层的耐蚀性。本发明实施例的结果表明，按照本申请技术方案得到的复合涂层没有裂纹和孔隙，组织完整。
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公开(公告)号：CN105499793B
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201610051215.5
申请日：2016-01-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: B23K26/064
Abstract: 本发明公开了一种同轴送丝熔敷激光头的光路分光单元，该分光单元主要包括：准直镜，前四分光透镜，后四分光透镜，聚焦透镜和金属斜平面反射镜。该单元目的是将准直后的激光束通过两面相对位置固定的四分光透镜按照激光能量，平均分为水平面上中心对称的四束光路，分离后的光束通过聚焦透镜聚焦，经过金属斜平面反射镜聚焦至焦点，光路中空部分嵌入送丝机构，使光路焦点最终聚焦在焊丝上，实现高精度、高质量、全方向的同轴送丝。
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公开(公告)号：CN105345264B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201510883817.2
申请日：2015-12-03
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种针对复杂曲线构件的激光焊接实时在线监控系统。该在线监控系统的硬件平台包括激光焊接头、机器人、影像采集设备、图像处理单元、数据处理单元、反馈调节单元、机器人控制单元。该系统的目的是通过实时拍摄焊接头与工件的相对形位，将实际形位与规划行位比对，计算回归规划路径所需的补偿矢量，继而将该矢量加载于机器人上以调节机器人按照预定轨迹进行焊接。
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公开(公告)号：CN105499793A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201610051215.5
申请日：2016-01-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: B23K26/064
CPC classification number: B23K26/0643 , B23K26/0648
Abstract: 本发明公开了一种同轴送丝熔敷激光头的光路分光单元，该分光单元主要包括：准直镜，前四分光透镜，后四分光透镜，聚焦透镜和金属斜平面反射镜。该单元目的是将准直后的激光束通过两面相对位置固定的四分光透镜按照激光能量，平均分为水平面上中心对称的四束光路，分离后的光束通过聚焦透镜聚焦，经过金属斜平面反射镜聚焦至焦点，光路中空部分嵌入送丝机构，使光路焦点最终聚焦在焊丝上，实现高精度、高质量、全方向的同轴送丝。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117166048A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311076670.7
申请日：2023-08-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于纳米半导体材料领域，并具体公开了一种二维CuFeSe2晶体材料及其晶面可控生长方法。该制备方法包括：(1)将铁粉和碘化钾混合作为铁源，碘化铜作为铜源；将铁源和铜源放置在位于单温区管式炉下游的石英套管内；(2)将硒源放置在单温区管式炉上游，通过载气将硒蒸气带入单温区管式炉下游使其与铁源和铜源反应；其中，通过调节炉温为600℃～700℃，保温时间为360s～450s，在衬底上制得不同晶面的二维CuFeSe2晶体材料。本发明方法制备出的材料结晶质量高、物相单一且环境稳定性好，同时本发明能够通过控制生长温度实现二维CuFeSe2晶体材料的晶面可控生长。
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公开(公告)号：CN105345264A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510883817.2
申请日：2015-12-03
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种针对复杂曲线构件的激光焊接实时在线监控系统。该在线监控系统的硬件平台包括激光焊接头、机器人、影像采集设备、图像处理单元、数据处理单元、反馈调节单元、机器人控制单元。该系统的目的是通过实时拍摄焊接头与工件的相对形位，将实际形位与规划行位比对，计算回归规划路径所需的补偿矢量，继而将该矢量加载于机器人上以调节机器人按照预定轨迹进行焊接。
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公开(公告)号：CN114197036B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202111535579.8
申请日：2021-12-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于纳米半导体材料领域，并具体公开了一种二维CuCrS2晶体材料及其制备方法，其包括如下步骤：将铜粉和铬粉混合作为金属源，将金属源放置在位于中心温区的衬底上；将硫粉放置在中心温区上游，对其单独加热生成硫蒸气，并通过载气将硫蒸气带入预热后的中心温区，同时控制中心温区温度为800℃～950℃，反应时间为5min～30min，使衬底表面的金属源与硫蒸气充分反应，生成二维CuCrS2晶体材料。本发明方法能合成高质量、纯相的二维CuCrS2晶体材料。
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公开(公告)号：CN114197036A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111535579.8
申请日：2021-12-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于纳米半导体材料领域，并具体公开了一种二维CuCrS2晶体材料及其制备方法，其包括如下步骤：将铜粉和铬粉混合作为金属源，将金属源放置在位于中心温区的衬底上；将硫粉放置在中心温区上游，对其单独加热生成硫蒸气，并通过载气将硫蒸气带入预热后的中心温区，同时控制中心温区温度为800℃～950℃，反应时间为5min～30min，使衬底表面的金属源与硫蒸气充分反应，生成二维CuCrS2晶体材料。本发明方法能合成高质量、纯相的二维CuCrS2晶体材料。
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公开(公告)号：CN205254348U
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201520990229.4
申请日：2015-12-03
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种针对复杂曲线构件的激光焊接实时在线监控系统。该在线监控系统的硬件平台包括激光焊接头、机器人、影像采集设备、图像处理单元、数据处理单元、反馈调节单元、机器人控制单元。该系统的目的是通过实时拍摄焊接头与工件的相对形位，将实际形位与规划行位比对，计算回归规划路径所需的补偿矢量，继而将该矢量加载于机器人上以调节机器人按照预定轨迹进行焊接。
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