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公开(公告)号：CN115407384A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211054339.0
申请日：2022-08-30
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: G01T1/20
Abstract: 本发明公开了一种闪烁体膜制备装置以及方法，所述装置包括：蒸发模具，包括凹槽，凹槽内设置有格栅，原料粉填充于格栅内，其中，格栅为热导率材质；近空间升华炉，包括基底以及加热器，蒸发模具设置于近空间升华炉内，加热器用于对蒸发模具中格栅内的原料粉进行加热，使得原料粉升华，升华后的原料粉沉积到基底上形成闪烁体膜。该装置可以使得原料粉末在格栅中均匀、快速地受热，以解决原料粉末受热不均匀、速度过慢等问题，进而实现高效地制备大面积高均匀性的闪烁体厚膜。
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公开(公告)号：CN115403065B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202211044612.1
申请日：2022-08-30
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请实施例提供一种铯铜卤晶体的制备方法，包括如下步骤：提供化学式为CsX和CuX的化合物，混合均匀得到反应物，其中X为Cl、Br、I中的至少一种；将所述反应物置于预定真空度下并加热至预定温度，同时使所述反应物进行预定时间的内部运动，得到熔体；在预定冷却速率下冷却所述熔体，得到所述铯铜卤晶体。本申请实施例提供的铯铜卤晶体的制备方法，整个制备过程十分简单，且得到的产物具有很高的纯度。
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公开(公告)号：CN115403065A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211044612.1
申请日：2022-08-30
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请实施例提供一种铯铜卤晶体的制备方法，包括如下步骤：提供化学式为CsX和CuX的化合物，混合均匀得到反应物，其中X为Cl、Br、I中的至少一种；将所述反应物置于预定真空度下并加热至预定温度，同时使所述反应物进行预定时间的内部运动，得到熔体；在预定冷却速率下冷却所述熔体，得到所述铯铜卤晶体。本申请实施例提供的铯铜卤晶体的制备方法，整个制备过程十分简单，且得到的产物具有很高的纯度。
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公开(公告)号：CN115295579A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202211072431.X
申请日：2022-09-02
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请涉及半导体光电探测器领域，尤其涉及一种钙钛矿X射线探测器的封装面板及其制备方法；钙钛矿材料层，铝膜层，以及薄膜层，铝膜层设置于钙钛矿材料层与薄膜层之间，且与钙钛矿材料层和薄膜层相邻设置；其中，薄膜层为含硅元素的一个或多个无机薄膜层；所述方法包括：对基板的表面进行TFT驱动器件成型，再在成型的TFT驱动器件表面进行钙钛矿材料层成型，得到功能单元；在功能单元中钙钛矿材料层的表面贴封铝膜层，后在铝膜层表面上沉积第一无机薄膜层和第二无机薄膜层，得到含防水氧结构的封装面板；通过铝膜层和薄膜层，避免水氧环境对钙钛矿层材料的侵蚀，起到有效封装。
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公开(公告)号：CN112490307A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011311538.6
申请日：2020-11-20
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明特别涉及一种用于光电探测器的无表面缺陷的钙钛矿及其制备方法，属于晶体材料加工技术领域，钙钛矿包括钙钛矿本体，钙钛矿本体至少一表面键合有钝化剂，钝化剂为PEAX，其中，X为Cl、Br和I中的至少一种；利用PEAX(卤化苯乙胺)对于钙钛矿表面悬挂键的钝化作用，减小表面的漏电流点，同时抑制了钙钛矿的离子迁移，降低钙钛矿光电探测器器件工作时的暗电流，提高了器件的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112466987B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202011206305.X
申请日：2020-11-03
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/115 , H01L31/117
Abstract: 本发明属于半导体辐射探测领域，公开了一种基于铯铅溴辐射探测器的溴气氛围后处理方法，该方法是将铯铅溴CsPbBr3基的固体材料放置在含有溴气的氛围下以进行后处理，如此向铯铅溴CsPbBr3中额外引入Br原子减少溴空位缺陷，从而提高基于铯铅溴辐射探测器的辐射探测性能。本发明通过对铯铅溴基材料进行溴气氛围的后处理，能够有效减少铯铅溴CsPbBr3材料的缺陷态密度、降低暗态电流、提高辐射探测器的辐射探测性能(如工作稳定性和灵敏度等)。
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公开(公告)号：CN114447137A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210076524.3
申请日：2022-01-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/08 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本申请涉及一种X射线探测器及其制备方法，属于高能射线探测技术领域，本申请提供的X射线探测器，包括闪烁体层，所述闪烁体层的材料的化学式为A5B3X6Y2，其中，A为Cs、Rb、K中的至少一种，B为Cu或Ag，X为Cl、Br、I中的一种，Y为Cl、Br、I中一种，且X与Y为不同的化学元素。A5B3X6Y2的结构特性为一维晶体结构，该结构特性的化合物单晶作为闪烁材料具有强的激子限域效果，以使其拥有优异的发光性能。
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公开(公告)号：CN114381804A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210046162.3
申请日：2022-01-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请涉及一种化合物单晶及其制备方法和应用、闪烁体探测器，属于高性能闪烁体材料技术领域，本申请提供的化合物单晶，化学通式为：A5B3X6X`2或A5B3X7X`1，其中，A表示一价碱金属阳离子，B表示一价过渡金属阳离子，X和X`表示一价卤素阴离子，且X和X`为不同元素，所述化合物单晶的晶体结构为一维链状型。该化合物单晶得结构特性为一维晶体结构，该结构特性的化合物单晶作为闪烁材料具有强的激子限域效果，以使拥有优异的发光性能。
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公开(公告)号：CN111722261B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201911280534.3
申请日：2019-12-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请公开了一种晶体材料作为闪烁体的应用，所述晶体材料满足化学通式A2BX3，其中，A为一价碱金属阳离子，B为一价过渡金属阳离子，X代表一价卤素阴离子。本申请提供的晶体材料具有无毒、稳定、制备方法简单、光产额高的特点，其作为一种新型的闪烁体，在高能粒子探测领域拥有巨大的潜力，展示出大规模工业化生产的应用前景。
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公开(公告)号：CN112467035A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011310022.X
申请日：2020-11-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于半导体光电探测器技术领域，公开了一种肖特基型钙钛矿光电探测器及其制备方法，其中肖特基型钙钛矿光电探测器包括依次相连的第一金属电极(1)、钙钛矿吸光层(2)、聚酰亚胺PI层(3)和第二金属电极(4)，其中，所述第一金属电极(1)所采用的金属材料功函数较高，所述第二金属电极(4)所采用的金属材料功函数较低。本发明通过肖特基势垒对暗电流有很好的抑制作用；同时又通过在钙钛矿表面旋涂一层聚酰亚胺(PI)薄膜，利用聚酰亚胺(PI)薄膜的对于钙钛矿表面的钝化和阻挡金属与钙钛矿的反应作用来降低钙钛矿光电探测器暗电流和离子迁移，从而有效的抑制钙钛矿光电探测器工作时的暗电流过大和暗电流漂移问题。
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