公开(公告)号：CN114141675A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202111479845.X

申请日：2021-12-07

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 高博 ,  张雷 ,  乔琪琪 ,  忽永瑞 ,  孙瑞瑞 ,  赵恩

IPC: H01L21/673 ,  C23C16/458

Abstract: 本发明涉及一种适用不同厚度晶圆的石英舟，包括一对上槽棒（1）和一对下槽棒（2），上、下槽棒相互平行且上槽棒位于下槽棒上侧，两下槽棒之间连接一组石英板（3），两下槽棒外侧通过石英板分别与上槽棒连接，上、下槽棒上分别均布一组V型槽（4），上槽棒的V型槽位置与下槽棒的V型槽位置相互对应，均处在同一截面，所述上槽棒上的V型槽槽底连通有第一I型槽（5），所述下槽棒上的V型槽槽底连通有第二I型槽（6），第一I型槽槽宽为0.8‑1.1mm，第二I型槽槽宽为0.4‑0.7mm。本发明适用不同厚度、相同直径晶圆，能够防止晶圆倾斜过大，提高片间均匀性，满足生产工艺要求，方便采用晶圆自动导片机进行自动化作业。

公开(公告)号：CN115747736A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211341955.4

申请日：2022-10-31

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 张帅 ,  刘博治 ,  肇伟懿 ,  张雷 ,  忽永瑞

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/04 ,  C23C14/50 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种晶圆级深腔沉积薄膜图形化的制备方法及其夹具，它包括在夹具上先设置与深腔沉积金属薄膜图形对应的通孔，而后将待加工的晶圆放入到夹具内，而后将夹具溅射设备高真空环境下，再利用磁控溅射，通过氩气轰击靶才，使其金属晶粒沉积于硅片上形成金属膜层，形成表面深腔沉积金属薄膜图形。本发明有效的提高了制备关键工艺参数的控制精度，提高工艺制备的合格率及器件的产能，且实施成本较低，达到提高企业经济效益。