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公开(公告)号：CN112768596B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110160798.6
申请日：2021-02-05
申请人： 北京航空航天大学杭州创新研究院
摘要： 本发明公开了一种高集成度热电薄膜器件制备方法，属于热电薄膜材料与器件技术领域。本发明通过飞秒激光加工下电极掩模板、P型热电臂掩模板、N型热电臂掩模板和上电极掩模板；将下电极掩模板与器件基底贴合；采用磁控溅射方法在器件基底表面沉积出图案化的下电极；将P型热电臂掩模板与器件进行对准；采用磁控溅射方法沉积出P型热电臂；将N型热电臂掩模板与器件进行对准；采用磁控溅射方法沉积出N型热电臂；通过无掩模光刻的方法制备出绝缘层；将上电极掩模板与器件进行对准；采用磁控溅射或喷涂方法沉积出上电极，得到高集成度热电薄膜器件，单个热电臂的尺寸范围为150～300μm。本发明具有成本低、制备过程便捷快速的优点。
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公开(公告)号：CN113862770A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111140314.8
申请日：2021-09-28
申请人： 北京航空航天大学杭州创新研究院
摘要： 本发明公开了一种采用退镀工艺制备图案化电极的方法及其图案化电极，其方法过程为：在表面绝缘基底上溅射导电种子层；在溅射完导电种子层电镀上金属膜；在金属膜表面旋涂光刻胶，采用光刻法在金属膜表面光刻出电极图案；采用退镀法进行处理，使得没有被光刻胶保护的金属膜和导电种子层被反应溶解，有光刻胶的部分被保留下来；退镀后进行超声清洗，去除光刻胶和金属碎屑残留物，得到图案化电极。本发明省去了湿法刻蚀环节，从而避免了湿法刻蚀所带来的种种问题。
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公开(公告)号：CN112975142A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110229642.9
申请日：2021-03-02
申请人： 北京航空航天大学杭州创新研究院
IPC分类号： B23K26/362 , B23K26/064
摘要： 本发明涉及一种基于飞秒激光可控刻蚀的高精度薄膜材料快速图案化加工方法，通过先在基底上沉积一层薄膜材料，再利用飞秒激光在薄膜材料上进行刻蚀图案化，最后将图案化的材料置于酒精中进行超声清洗后烘干，即得图案化的薄膜材料。本发明所述图案化加工方法，加工精度高，图案尺寸误差可达±3％以内；工艺简单，加工效率高；利用紫外飞秒激光的冷加工特性，降低对薄膜的热损伤；精确控制激光能量，不会对基底材料产生损伤；不使用任何有毒试剂，环保安全。
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公开(公告)号：CN116364631A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310206380.3
申请日：2023-03-07
申请人： 北京航空航天大学杭州创新研究院
IPC分类号： H01L21/683 , H10N19/00
摘要： 本发明公开了基于相变材料的选择性批量转移方法，包括在导热基板上制备图案化凸点阵列，在图案化凸点阵列表面涂覆松香；获得表面具有微元件阵列的施主基板，将涂覆有松香的图案化凸点阵列与微元件阵列进行对应贴合；控制导热基板的温度改变松香的状态使得微元件阵列与对应的图案化凸点阵列进行固定连接，然后从施主基板中拾取微元件阵列；将拾取的微元件阵列与受主基板表面贴合，将松香由固态转变为液态使得图案化凸点阵列与对应的微元件阵列脱离。利用该方法能够实现批量的，可选择性的，无污染转移非平面或平面的微型元件。本发明还公开了热电元阵列及其制备方法。
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公开(公告)号：CN115581031A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211023009.5
申请日：2022-08-25
申请人： 北京航空航天大学杭州创新研究院
摘要： 本发明提供了一种相变散热装置及其制作方法，涉及散热装置技术领域，解决了现有技术中存在的器件散热结构散热效果不佳的问题。该装置包括散热主体以及相变材料层，散热主体由导热材质制成，用于对热源产生的热量进行传导；相变材料层设置于散热主体的表面，用于通过转变物理形态吸收散热主体传导的热量。本发明将散热主体与相变材料层复合在一起，通过散热主体与热源接触，用于对热源产生的热量进行散热，增加了器件(热源)排散的换热面积；另一方面通过在散热主体的表面设置相变材料层，使得相变材料层在相变的过程中能吸收散热主体传导的热量，从而有效降低器件的工作温度。该相变散热装置结构简单，更容易实现高效散热。
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公开(公告)号：CN113421825A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110670761.8
申请日：2021-06-17
申请人： 北京航空航天大学杭州创新研究院
IPC分类号： H01L21/308 , H01L21/306 , B81C1/00 , C23C14/16 , C23C14/35 , C23F1/02 , C23F1/18 , C23F1/38
摘要： 本发明公开了一种基于Cr/Cu双层金属掩膜的硅湿法刻蚀方法，属于半导体微纳米制造技术领域。本发明包括：采用溅射方法在硅片表面相继沉积Cr掩膜和Cu掩膜；通过光刻法在Cu掩膜上形成图案化的光刻胶；用第一刻蚀液体刻蚀Cu掩膜得到图案化的Cu掩膜；去除图案化的光刻胶；以图案化的Cu掩膜为掩膜，用第二刻蚀液体刻蚀Cr掩膜，得到图案化的Cr/Cu双层金属掩膜；用第三刻蚀液体刻蚀硅片；分别用第一刻蚀液体和第二刻蚀液体去除图案化的Cu掩膜和Cr掩膜。本发明的方法可以轻易实现百微米以上深度的高质量深硅刻蚀；工艺简单、成本低、加工精度高，所制备的硅槽侧壁光滑、底部平整。
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公开(公告)号：CN112117230A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202011116538.0
申请日：2020-10-19
申请人： 北京航空航天大学杭州创新研究院
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/68
摘要： 本申请涉及一种高密度图案化加工的衬底‑掩模板原位保持装置，包括真空连接台、底座、衬底保持器和掩模板保持器，所述真空连接台设置第一快速插口和气口；所述底座的上端面设置有第一凸台和第一气孔，所述底座连接在所述真空连接台的上端面、且所述第一气孔与所述气口连通；衬底保持器设置保持槽、连接孔和紧固组件；掩模板保持器设置有镂空孔和悬臂，所述悬臂的上端面设置有第二快速插口、下端面设置有第二气孔。如此设置，本装置结构简单，便于操作，在对准操作后即可将衬底和掩模板保持固定，有利于实现高密度阵列结构薄膜器件的高效制备，并在薄膜器件制备各个工艺之间样品的快速转移。
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公开(公告)号：CN111710639A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010701252.2
申请日：2020-07-20
申请人： 北京航空航天大学杭州创新研究院
IPC分类号： H01L21/68
摘要： 本申请涉及一种高密度阵列结构的非硅基薄膜器件制备用对准装置，包括有支撑装置、位于支撑装置上方基片保持器、连接支撑装置与基片保持器并用于带动基片保持器相对于支撑装置水平位移的水平移动单元、位于基片保持器上方的载荷夹具、连接支撑装置和载荷夹具并用于带动载荷夹具相对于支撑装置竖直位移的竖直移动单元、位于载荷夹具上方的光学观测单元和连接支撑装置和光学观测单元并用于带动光学观测单元相对于支撑装置水平或竖直位移的支架移动单元，载荷夹具中部设置有观测孔。如此设置，本设备简单，成本低，可以实现非硅基基片与各种掩模板的对准，以及多层图案连续多次对准，有利于提升非硅基薄膜器件的制备效率。
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公开(公告)号：CN117405253A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311313218.8
申请日：2023-10-11
申请人： 北京航空航天大学杭州创新研究院
摘要： 本发明公开了一种自供电温度传感电子皮肤，包括：柔性衬底；微型刚性热电器件阵列，所述微型刚性热电器件阵列的底表面与柔性衬底的顶表面通过化学键交联，使得微型刚性热电器件阵列具有柔性，所述微型刚性热电器件阵列用于将接收到的热量转换为电流；和柔性导线，所述柔性导线与每个微型刚性热电器件对准焊接使得每个微型刚性热电器件柔性互连，所述柔性导线还用于将通过微型刚性热电器件阵列转换得到的电流导出。该自供电温度传感电子皮肤能够实现刚性TEG互连的，且具有高性能和高分辨率的自供电温度传感电子皮肤。本发明还公开了一种自供电温度传感电子皮肤的制备方法。
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公开(公告)号：CN113862770B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202111140314.8
申请日：2021-09-28
申请人： 北京航空航天大学杭州创新研究院
摘要： 本发明公开了一种采用退镀工艺制备图案化电极的方法及其图案化电极，其方法过程为：在表面绝缘基底上溅射导电种子层；在溅射完导电种子层电镀上金属膜；在金属膜表面旋涂光刻胶，采用光刻法在金属膜表面光刻出电极图案；采用退镀法进行处理，使得没有被光刻胶保护的金属膜和导电种子层被反应溶解，有光刻胶的部分被保留下来；退镀后进行超声清洗，去除光刻胶和金属碎屑残留物，得到图案化电极。本发明省去了湿法刻蚀环节，从而避免了湿法刻蚀所带来的种种问题。
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