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公开(公告)号：CN115204392A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210638014.0
申请日：2022-06-07
Applicant: 北京机械设备研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于DNA计算和存储的微流控芯片及其操控方法，该微流控芯片包括底板、盖板和密封结构，盖板通过所述密封结构与所述底板密封并在盖板和所述底板之间形成DNA算子液滴的移动空间；所述底板上形成有用于驱动所述DNA算子液滴在底板移动的电极；其中，所述盖板上设置有注液口和检测口，外部加注设备通过所述注液口向芯片内加注所述DNA算子液滴，所述DNA算子液滴在所述电极的电场控制下按照预定计算流程在所述底板上运动，检测设备通过所述检测口对所述DNA算子液滴进行荧光或者DNA测序。本发明通过微流控芯片实现了DNA计算和存储，具有环境要求低，试剂消耗量小、体积微小、成本低、自动化程度高等优点。
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公开(公告)号：CN112378554A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011158266.0
申请日：2020-10-26
Applicant: 北京机械设备研究所
IPC: G01L1/22 , G01L9/04 , H01L41/113
Abstract: 本发明公开了一种具有压敏结构的柔性压力传感器，由上电极、下电极以及位于两者之间的柔性压敏结构构成；所述柔性压敏结构包括至少一层压敏稀疏层。本发明在柔性传感器的基础上，通过改变压敏结构的构成方式，更改压敏结构中压敏材料的主要组成成分以及在压敏结构外表面溅射金属层的方式，得到了一种压力敏感的传感器结构，其性能较传统压阻式压力传感器有了大幅度提升，灵敏度提高了2倍以上，并且具有良好的柔性和较大的形变，可以在复杂的环境中使用而不影响其检测性能，是提升压力传感器灵敏度和柔性的最优选择之一。
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公开(公告)号：CN110794172A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911103781.6
申请日：2019-11-13
Applicant: 北京机械设备研究所
IPC: G01Q60/24
Abstract: 本申请揭示了一种衬底上生长薄膜厚度的测量方法及装置，该方法包括将AFM探针针尖方向与待测样品上生长薄膜的表面平行；控制AFM探针在待测样品上方第一位置与待测样品的薄膜表面之间垂直往复运动，获取AFM探针的第一受力曲线和第一位移曲线；控制AFM探针在校准样品表面上方第二位置与校准样品表面之间垂直往复运动，获取AFM探针的第二受力曲线和第二位移曲线；根据第一受力曲线、第二受力曲线、第一位移曲线、第二位移曲线、校准样品的衬底厚度，计算待测样品的薄膜厚度。本申请采用AFM探针基于相同的位置基准，通过测试固定于同一表面的两种样品的探针移动距离差异，通过求差即可实现对衬底表面薄膜的厚度进行高精度的测量。
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公开(公告)号：CN118937420A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410837588.X
申请日：2024-06-26
Applicant: 北京机械设备研究所
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种气体传感器及其制备方法，该方法包括如下步骤在硅基底上制备包括叉指电极和电路连接结构的气敏芯片；在所述气敏芯片上固定掩板，通过所述掩板将气敏芯片的电路连接结构遮挡并将所述叉指电极暴露；利用喷涂工艺向所述气敏芯片的局部喷涂气敏材料，借由所述掩膜板以在气敏芯片的叉指电极上形成气敏薄膜。本发明通过在静电喷涂工艺中引入掩板结构，使得在气敏芯片叉指电极上形成气敏薄膜，提升气敏薄膜成膜均匀性同时解决了保护电极过程中容易造成电极损坏的问题。并且气敏薄膜形成在气敏芯片叉指电极上，对叉指电极还能起到保护作用，避免空气中的漂浮物落入电极造成测量精确度不高，甚至造成短路等问题。
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公开(公告)号：CN116920969A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310787677.3
申请日：2023-06-29
Applicant: 北京机械设备研究所
Abstract: 本发明公开了一种耐压液滴驱动结构及微流控芯片，耐压液滴驱动结构包括衬底层以及绝缘层和导电层交错堆叠形成的层叠结构和疏水层；所述层叠结构包括至少一层导电层和至少一层绝缘层堆叠形成；所述层叠结构形成在所述衬底层上，所述层叠结构中的导电层通过图形化处理形成驱动电极，所述层叠结构中的绝缘层形成在所述导电层上；所述疏水层形成在所述层叠结构的绝缘层上；其中，所述层叠结构中的至少部分绝缘层包括提高所述层叠结构耐压能力的光固化树脂材料。本发明利用树脂材料所具备的光固化特性，可以进行原位光刻和图形化，大幅度降低工艺复杂度，降低成本。同时利用树脂材料所具备的耐压特性，提高了液滴驱动结构的电压耐受能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116908246A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310674067.2
申请日：2023-06-08
Applicant: 北京机械设备研究所
Abstract: 本发明公开了基于新型的有机半导体材料的气体传感器及其制备方法，包括通过缩聚的方式制备n型半导体聚苯并咪唑苯并菲咯啉；将n型半导体聚苯并咪唑苯并菲咯啉与聚乙烯亚氨按照预定比例混合，并将混合物加入到分散剂中超声分散2‑3h得到分散液；制备叉指电极，并将叉指电极附着在基底上得到MEMS芯片；将分散液滴涂至MEMS芯片表面并进行干燥形成气敏单元。本发明气体传感器的敏感材料采用n型半导体聚苯并咪唑苯并菲咯啉和聚乙烯亚氨的复合材料，该传感器可对对二氧化氮进行痕量检测，其室温下灵敏度可比肩高温状态下金属氧化物材料，同时其响应、恢复时间大大缩短，避免了金属氧化物传感器在使用过程中需加热的情况，降低了体系的能量消耗。
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公开(公告)号：CN116832885A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310782652.4
申请日：2023-06-29
Applicant: 北京机械设备研究所
Abstract: 本发明公开了一种改善芯片分层的微流控芯片制备方法，包括如下步骤：在所述衬底上沉积导电层；利用光刻法对所述导电层进行图形化，并配合干法蚀刻或者湿法腐蚀得到驱动电极；在图形化后的所述导电层上沉积有机层；利用半导体工艺在所述有机层的表面生长一层无机材料；在所述无机材料上涂覆疏水层；其中，所述无机材料能够阻隔工作环境中载体油的渗入。本发明利用了不同材料之间的特点，改善了不同材料之间的接触面积，利用过渡材料的特性，使两种粘附性差的材料能够更好的粘接，规避了相似相溶的特性，减少了载体油渗透作用。经过上述方法制造的微流控芯片提高材料之间的粘附性，改善了芯片材料分层的现象。
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公开(公告)号：CN115197809A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210638015.5
申请日：2022-06-07
Applicant: 北京机械设备研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于DNA计算和存储的微流控系统及其操控方法，该微流控系统包括加注设备、微流控芯片和检测设备；微流控芯片，包括底板、盖板和密封结构，盖板通过密封结构与底板密封并在盖板和底板之间形成DNA算子液滴的移动空间；底板上形成有用于驱动DNA算子液滴在底板移动的电极；盖板上设置有注液口和检测口，加注设备通过注液口与盖板连接，DNA算子液滴在电极的电场控制下按照预定计算流程在底板上运动，检测设备通过检测口与盖板连接；加注设备用于通过注液口向芯片内注入DNA算子液滴；检测设备用于通过检测口对DNA算子液滴进行荧光或者DNA测序检测。本发明具有环境要求低，试剂消耗量小、体积微小、成本低、自动化程度高等优点。
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公开(公告)号：CN113471296A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110589125.2
申请日：2021-05-28
Applicant: 北京机械设备研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/423
Abstract: 本申请揭示了一种高电压薄膜晶体管，包括：衬底、栅电极材料、厚栅介质层、薄栅介质层、半导体薄膜材料层、钝化层、源电极、漏电极，其中：栅电极材料位于衬底的部分区域上；厚栅介质层的厚度大于薄栅介质层的厚度，厚栅介质层位于衬底上且与栅电极材料一侧边相贴合，薄栅介质层覆盖于衬底、栅电极材料以及厚栅介质层的上方；源电极位于半导体薄膜材料层第一端上方，漏电极位于半导体薄膜材料层第二端上方，钝化层位于源电极和漏电极之间。本申请通过将栅介质层分为两种厚度，与源电极相连的栅介质层厚度较薄，与漏端连接的栅介质层厚度较厚，半导体薄膜材料覆盖栅介质层，并且与源电极和漏电极连接，形成导电通道；能够耐受更高的电压。
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公开(公告)号：CN119666936A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411683853.X
申请日：2024-11-22
Applicant: 北京机械设备研究所
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种量子点气敏传感器及其制备方法，包括基底、感测电极和气敏单元；所述感测电极设置在所述基底上；所述气敏单元形成在所述感测电极上，所述气敏单元为CdTe量子点和PEDOT的复合材料。本发明采用导电聚合物PEDOT和CdTe量子点形成的复合材料作为气敏传感器的敏感材料，将小尺寸的量子点镶嵌到聚合物链间，避免了吸附团聚，降低表面活性能，增加材料比表面积同时导电聚合物与量子点之间形成pn异质结，增强传感器的响应性能。
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