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公开(公告)号：CN105575734B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201510981271.4
申请日：2015-12-23
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种射频MEMS开关及其制造方法，该射频MEMS开关的结构特点为硅‑硅双层结构，包括衬底、介质层、驱动电极、隔离层、信号线、地线和盖帽；信号线包括信号线输入电极、柱状锚点、两个固定梁、横梁、多触点系统和信号线输出电极。两个固定梁一端固定在柱状锚点上表面，另一端与横梁的固定端连接，多触点系统位于横梁自由端的下方，驱动电极位于横梁下方，硅帽上加工凹槽和通孔，通孔的位置与信号线输入电极、信号线输出电极、地线和驱动电极相对应。本发明的射频MEMS开关，有效的降低了开关的驱动电压，提高了触点的寿命，用硅帽对横梁进行保护使其不受环境影响，提高了开关的可靠性。
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公开(公告)号：CN104458103B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201410711006.X
申请日：2014-11-28
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种低漂移压力传感器及其制造方法，低漂移压力传感器包括衬底、第一压敏电阻、第二压敏电阻、第三压敏电阻、第四压敏电阻、金属引线和PAD点，四个压敏电阻通过金属引线构成惠斯通电桥，四个压敏电阻放置在通过制作背腔形成的薄膜区域，且四个压敏电阻均沿同一方向放置。其制作步骤为：在衬底正面利用微加工光刻、注入工艺制作浓硼区、淡硼区，在衬底正面制作引线孔、金属引线和PAD点；在衬底背面制作空腔，从而形成薄膜层；划片。本发明压力传感器能够有效减小漏电，降低压力传感器的零点漂移，制造方法与标准体硅压阻式压力传感器的加工工艺兼容，器件加工工艺简单、成本低，且成品率高可批量生产。
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公开(公告)号：CN103818874B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410048811.9
申请日：2014-02-12
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及MEMS结构与处理电路集成系统的新型封装方法，该方法包括：（1）MEMS圆片上每个基底单元预留多个电路芯片放置区域，将电路芯片放置在MEMS圆片上，形成MEMS结构与处理电路的集成；（2）利用垂直互联技术，采用硅作为盖板，盖板上带有垂直通孔，通孔内部填充导电材料，形成结构的输入和输出端口；（3）盖板键合面有多个槽，用于提供MEMS器件工作所需的真空气密环境和电路所需的空间，盖板槽内部的吸气剂薄膜，用于维持真空度；（4）将盖板与MEMS圆片进行圆片键合，实现圆片级真空集成封装，该方法不仅工艺简单，适用范围广，效果显著，而且能够避免由于热膨胀系数带来的热应力，显著提高器件的温度系数。
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公开(公告)号：CN104406644A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410738183.7
申请日：2014-12-05
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G01F1/69
Abstract: 本发明公开了一种MEMS热式流量传感器及其制造方法，其中MEMS热式流量传感器包括衬底、第一组热敏电阻体、加热电阻体、第二组热敏电阻体、环境温度测量电阻体、引出线、钝化保护层和电极焊盘部。MEMS热式流量传感器的制造方法选用具有绝缘作用、高热阻、抗振动的材料作为衬底，并在衬底上溅射金属层或半导体层，并在金属层或半导体层上通过刻蚀形成第一组热敏电阻体、加热电阻体、第二组热敏电阻体、环境温度测量电阻体、引出线，同时通过二氧化硅或聚酰亚胺形成钝化保护层，并在引出线末端电镀金或铝形成电极焊盘部。本发明简化了加工工艺，降低了制造成本，制作了备用热敏电阻体和钝化保护层，提高了传感器的可靠性。
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公开(公告)号：CN105490662B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201510850158.2
申请日：2015-11-27
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03H9/64
Abstract: 种声表面波滤波器,包括基底(2)和盖帽(9),基底(2)上有滤波器图形层,滤波器图形层包括发射叉指换能器(3)、接收叉指换能器(4)、地线(7)、信号输入端口(5)和信号输出端口(6);地线(7)包括与发射叉指换能器(3)相连的第地线(71)和与接收叉指换能器(4)相连的第二地线(72);发射叉指换能器(3)、接收叉指换能器(4)为矩形叉指电极,由两个梳状电极相交叉组成;发射叉指换能器(3)和接收叉指换能器(4)的梳状电极公共端的拐角处为圆角。为了有效避免尖端效应,本发明采用对器件在地线与叉指电极的连接处采取圆角化处理,有效降低了尖端的场强,从而避免击穿现象的发生,提高了器件的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105293420A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510729482.9
申请日：2015-10-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种MEMS圆片级真空封装结构及其制作方法。封装结构包括硅盖板和带可动结构的MEMS圆片，盖板上带有垂直通孔，通孔内部填充有导电材料，盖板键合面有凹槽，凹槽底部有一层吸气剂薄膜，硅盖板与带可动结构的MEMS圆片通过圆片键合形成真空封装结构。本发明的制作方法首先在盖板上制作出通孔，孔内填充导电材料。然后在键合面上制作出凹槽，槽底部淀积一层吸气剂薄膜，键合区域淀积一层多层金属薄膜，将盖板与带可动结构的MEMS圆片在真空环境中进行圆片键合。本发明通过在硅盖板上制作带有吸气剂的槽和通孔，实现了密闭凹槽的电极引出，不需引线键合，工序简单，同时提高了封装结构内真空度的维持能力，避免了切割时颗粒对可动结构的沾污，保证器件性能。
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公开(公告)号：CN104406644B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201410738183.7
申请日：2014-12-05
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G01F1/69
Abstract: 本发明公开了一种MEMS热式流量传感器及其制造方法，其中MEMS热式流量传感器包括衬底、第一组热敏电阻体、加热电阻体、第二组热敏电阻体、环境温度测量电阻体、引出线、钝化保护层和电极焊盘部。MEMS热式流量传感器的制造方法选用具有绝缘作用、高热阻、抗振动的材料作为衬底，并在衬底上溅射金属层或半导体层，并在金属层或半导体层上通过刻蚀形成第一组热敏电阻体、加热电阻体、第二组热敏电阻体、环境温度测量电阻体、引出线，同时通过二氧化硅或聚酰亚胺形成钝化保护层，并在引出线末端电镀金或铝形成电极焊盘部。本发明简化了加工工艺，降低了制造成本，制作了备用热敏电阻体和钝化保护层，提高了传感器的可靠性。
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公开(公告)号：CN105490662A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510850158.2
申请日：2015-11-27
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03H9/64
CPC classification number: H03H9/6413
Abstract: 一种声表面波滤波器，包括基底(2)和盖帽(9)，基底(2)上有滤波器图形层，滤波器图形层包括发射叉指换能器(3)、接收叉指换能器(4)、地线(7)、信号输入端口(5)和信号输出端口(6)；地线(7)包括与发射叉指换能器(3)相连的第一地线(71)和与接收叉指换能器(4)相连的第二地线(72)；发射叉指换能器(3)、接收叉指换能器(4)为矩形叉指电极，由两个梳状电极相交叉组成；发射叉指换能器(3)和接收叉指换能器(4)的梳状电极公共端的拐角处为圆角。为了有效避免尖端效应，本发明采用对器件在地线与叉指电极的连接处采取圆角化处理，有效降低了尖端的场强，从而避免击穿现象的发生，提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN106768517A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611097457.4
申请日：2016-12-02
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种高可靠高温压力传感器及其制造方法，高温压力传感器包括衬底、隔离层、四个压敏电阻、金属引线和PAD点，隔离层设置在衬底正面，衬底通过背面制作空腔形成敏感薄膜层。四个压敏电阻放置在敏感薄膜层对应区域，通过金属引线构成惠斯通电桥，惠斯通电桥通过PAD点与外部电路连接。其制作步骤为：在衬底上依次外延出P型和N型外延层，通过对外延层刻蚀制作压敏电阻；在衬底背面制作空腔，从而形成薄膜层；制作氧化硅介质层，腐蚀氧化硅形成引线孔；在外延层上制作金属引线和PAD点。本发明高温压力传感器金属欧姆接触性能好，能有效提高器件在高温环境下工作时的可靠性。
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公开(公告)号：CN104649217A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410815965.6
申请日：2014-12-23
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种多MEMS传感器的单芯片加工方法，首先在第一衬底的背面加工第二处理电路模块与第二传感结构模块所需的腔体、键合区，在正面制作第一传感结构模块、金属焊盘和通孔；然后在第二衬底圆片的正面制作第二处理电路模块、第二传感结构模块、金属焊盘和键合区，在背面加工腔体；最后将集成了第一传感结构模块的第一衬底与集成了第二传感结构模块和第二处理电路模块的第二衬底在真空环境中进行硅-金属-硅键合形成键合片，按照划片道进行划片，形成多个片上微系统单芯片。本发明方法采用了双衬底方式，对传感器种类和电路种类几乎没有限制，集成度高，并且工艺兼容性强，非常适合用于微型传感器系统单芯片集成领域。
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