公开(公告)号：CN118737820A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410772041.6

申请日：2024-06-16

Applicant: 北京怀柔实验室

Inventor： 魏晓光 ,  吴沛飞 ,  李玲 ,  刘瑞 ,  王耀华 ,  焦倩倩 ,  张语 ,  姬世宇 ,  王凝一 ,  孙宁飞 ,  霍新宇

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L29/40

Abstract: 一种金属层结构的制备方法、得到的产品及芯片制造方法，属于半导体制造工艺领域。所述金属层结构的图形化制备方法包括：在基底上形成第一可剥离介质层；在其上形成第二可剥离介质层；对两个可剥离介质层图案化，形成“檐”状双层剥离结构；在双层剥离结构上形成金属层；去除双层剥离结构，得厚度为0.1～50微米的目标金属层结构。本发明解决了厚金属层图形化的高精度难题，具备工艺成本低、工艺窗口大、工艺精度高、无需苛刻的光刻工艺要求等优势，极大提升了厚金属层图形化的工艺良率、简化了工艺流程。

公开(公告)号：CN118588748A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410739913.9

申请日：2024-06-07

Applicant: 北京怀柔实验室

Inventor： 李玲 ,  吴沛飞 ,  魏晓光 ,  孙宁飞 ,  张语 ,  刘瑞 ,  焦倩倩 ,  姬世宇 ,  王凝一 ,  霍新宇

IPC: H01L29/744 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/332

Abstract: 一种功率半导体器件及其制备方法。所述功率半导体器件包括半导体层、门极引出端和门极网，其中，所述门极引出端和门极网设置于所述半导体层的阴极面上，所述门极网与所述半导体层的接触电阻根据门极网与所述门极引出端的距离远近呈梯度分布，距离所述门极引出端越近，所述门极网与所述半导体层的接触电阻越大。本发明通过对门极网与半导体层的接触电阻进行调整，控制流经金‑半接触的电流沿着金属互联结构更多地流向接触电阻小的区域，实现电流在横纵向的精确控制，改善电流不均匀分布，避免烧坏器件。