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公开(公告)号：CN118507518A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410814130.2
申请日：2024-06-21
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L29/74
Abstract: 本申请涉及一种门极连接元件、门极组件、晶闸管、功率半导体器件及电力设备，主体部具有第一表面和第二表面，第一表面的表面朝向为第一朝向，第二表面的表面朝向为第二朝向，第一朝向和第二朝向相反，形变部与主体部相连，形变部具有第一形变状态和第二形变状态，第一形变状态为形变部沿着第一朝向发生位置改变的形变，第二形变状态为形变部沿着第二朝向发生位置改变的形变，连接部基于形变部在第一形变状态和第二形变状态之间的切换，相对于主体部发生位置改变。门极连接元件与阴极引出件之间的间隙的尺寸，可基于门极连接元件中形变部的形变能力实现改变，因而不会发生劣化门极连接元件的弊端，保证功率半导体器件的电气性能不被破坏。
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公开(公告)号：CN118507518B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202410814130.2
申请日：2024-06-21
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H10D18/80
Abstract: 本申请涉及一种门极连接元件、门极组件、晶闸管、功率半导体器件及电力设备，主体部具有第一表面和第二表面，第一表面的表面朝向为第一朝向，第二表面的表面朝向为第二朝向，第一朝向和第二朝向相反，形变部与主体部相连，形变部具有第一形变状态和第二形变状态，第一形变状态为形变部沿着第一朝向发生位置改变的形变，第二形变状态为形变部沿着第二朝向发生位置改变的形变，连接部基于形变部在第一形变状态和第二形变状态之间的切换，相对于主体部发生位置改变。门极连接元件与阴极引出件之间的间隙的尺寸，可基于门极连接元件中形变部的形变能力实现改变，因而不会发生劣化门极连接元件的弊端，保证功率半导体器件的电气性能不被破坏。
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公开(公告)号：CN119560385B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510122630.4
申请日：2025-01-26
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L21/48 , H01L23/498 , H01L23/373
Abstract: 本公开涉及一种封装电极及其制造方法、半导体封装器件。所述制造方法包括：制备金刚石复合金属基层，并于金刚石复合金属基层的上下两侧表面分别形成第一合金层和第二合金层，于金刚石复合金属基层的侧壁上形成导电凸缘；其中，金刚石复合金属基层、第一合金层、第二合金层和导电凸缘为一体结构；第一合金层和第二合金层二者背离金刚石复合金属基层的表面为机加工表面，用于直接接触芯片；导电凸缘的法兰焊接表面无金刚石成分。本公开有利于提升大尺寸封装电极的成型质量及性能，从而有效提升半导体封装器件的封装可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118737943A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410860369.3
申请日：2024-06-28
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L21/687 , H01L21/68 , H01L21/67 , H01L21/603
Abstract: 一种用于晶圆键合的键合夹具及采用其的键合设备和方法，属于半导体器件技术领域。所述用于晶圆(102)键合的键合夹具(100)包括托盘(1)、限位块(2)、刚性垫块(3)和挡板(4)；通过所述键合夹具(100)实现对晶圆进行径向和竖向的定位。通过本发明的键合夹具(100)、键合设备(101)及使用键合设备(101)进行晶圆键合的方法，实现定位晶圆位置并保护晶圆终端不受压力。
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公开(公告)号：CN119560385A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202510122630.4
申请日：2025-01-26
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L21/48 , H01L23/498 , H01L23/373
Abstract: 本公开涉及一种封装电极及其制造方法、半导体封装器件。所述制造方法包括：制备金刚石复合金属基层，并于金刚石复合金属基层的上下两侧表面分别形成第一合金层和第二合金层，于金刚石复合金属基层的侧壁上形成导电凸缘；其中，金刚石复合金属基层、第一合金层、第二合金层和导电凸缘为一体结构；第一合金层和第二合金层二者背离金刚石复合金属基层的表面为机加工表面，用于直接接触芯片；导电凸缘的法兰焊接表面无金刚石成分。本公开有利于提升大尺寸封装电极的成型质量及性能，从而有效提升半导体封装器件的封装可靠性。
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公开(公告)号：CN118801666A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410812210.4
申请日：2024-06-21
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 一种电流源型功率半导体器件的驱动方法、器件、电路及电子设备，属于电源管理技术领域。所述电流源型功率半导体器件的驱动方法应用于耗尽型元器件，包括：响应于器件开通指令，通过电源管理模块向开通模块内开关元器件输入正偏电压，向维持模块内开关元器件输入反偏电压，向关断模块内开关元器件输入反偏电压；响应于器件维持通流指令，通过电源管理模块向维持模块内开关元器件输入正偏电压，向开通模块内开关元器件输入反偏电压；响应于器件关断指令，通过电源管理模块向开通模块和维持模块内开关元器件均输入反偏电压，向关断模块内开关元器件输入正偏电压。本申请设计了一种电流源型功率半导体器件的驱动方法，能够可靠实现对耗尽型元器件的驱动控制。
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公开(公告)号：CN118739813A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410814101.6
申请日：2024-06-21
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请涉及一种功率器件的驱动电路、驱动方法和功率器件。所述驱动电路包括：开通模块、门极模块和阴极模块；其中，阴极模块的第一端与功率器件中的功率半导体的阴极连接，阴极模块的第二端分别与开通模块和门极模块的第二端连接；开通模块的第一端与功率半导体的门极连接，门极模块的第一端与功率半导体的门极连接。通过各模块的导通或断开实现功率器件的开通或断开，无需在每次关断完成后进行重新充电，降低了传统驱动电路和驱动方法导致的功率器件功率过高的问题，同时提高了功率器件的开关频率，且在功率器件的阴极增加阴极模块，使功率器件具有正温度特性，提高了功率器件的关断增益，从而提高了功率器件的工作性能。
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公开(公告)号：CN118731537A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410773389.7
申请日：2024-06-14
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本公开涉及一种等效应用工况实验电路及其实验方法。所述等效应用工况实验电路，包括：待测装置和可控电源系统。可控电源系统连接于待测装置的两端，被配置为：在待测装置为阻断状态时，于待测装置的两端产生可控电压应力；以及，在待测装置为导通状态时，于待测装置的两端产生可控电流应力；其中，可控电压应力和可控电流应力的波形变化均符合待测装置在实际应用工况中对应电应力的波形变化。本公开利于提升待测装置实验电应力与实际工况电应力的等效性，从而能够有效提高该等效应用工况实验电路的实验可靠性，以及有效降低其运行过程产生的无功功率。
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