-
公开(公告)号：CN119433485A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411606061.2
申请日：2024-11-12
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C23C16/02 , C23C16/27 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开一种易剥离金刚石薄膜及其制备方法，包括如下步骤：选取表面光滑的硅片作为衬底；用等离子体活化硅片表面；在活化后的硅片表面涂布纳米金刚石种晶；将涂布种晶的硅片转入MPCVD设备金刚石生长设备中，在生长金刚石膜的初期阶段，硅片表面温度低于750℃，在工艺气体中除了含氢、碳的气体外，还通入适量的含氮气体，然后调节腔压、微波功率以及气体配方，继续升温至适宜金刚石生长的温度区间，当金刚石薄膜生长到预定厚度以后，降温取出。本发明方法生长的金刚石薄膜既保持金刚石薄膜完整无裂纹，又保证了通过物理方法将金刚石薄膜从硅片上完整剥离下来，且金刚石薄膜的剥离面光滑度高，方便下一步的工业应用。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119601521A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411887985.4
申请日：2024-12-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/683 , H01L23/373 , H01L21/04 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种金刚石薄膜的转移方法，包括：在表面光滑的异质衬底上生长金刚石薄膜；利用粘接剂在所述金刚石薄膜的表面粘接临时载体；掀开所述临时载体，以使所述金刚石薄膜跟随所述临时载体脱离所述异质衬底，完成金刚石薄膜的一次转移。本发明采用临时载体与金刚石通过粘接剂粘接，能够精准且完整地将大面积超薄金刚石薄膜从异质衬底上转移出来，从而适用于大面积超薄金刚石薄膜的转移。
-
公开(公告)号：CN119589189A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411875542.3
申请日：2024-12-18
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种金刚石薄膜复合导热片及其制备方法，制备方法包括：选取金刚石薄膜，金刚石薄膜具有预定的厚度；对金刚石薄膜进行表面平整处理；在金刚石薄膜表面镀一层金属或者涂敷一层含有金属活性成分的焊料，在金属镀层或者焊料上表面贴放金属材质片，将金属材质片与金刚石薄膜的金属镀层金金键合在一起，或者将金属材质片与金刚石薄膜用焊料加热焊接在一起；利用与金刚石薄膜结合在一起的金属材质片将金刚石薄膜从异质衬底上剥离下来，形成金刚石薄膜复合导热片。本发明既保持金刚石薄膜完整无裂纹，又能一次性将金刚石薄膜从衬底上完整剥离下来，且将金刚石薄膜的光滑度高的一面暴露出来，兼容下一步的贴合工艺等工业应用。
-
公开(公告)号：CN117954331B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410353818.5
申请日：2024-03-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/48 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/683 , C23C16/27 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种金刚石复合散热基板的制备方法及金刚石复合散热基板，包括以下步骤：S1、取异质衬底，活化异质衬底抛光面，在异质衬底抛光面旋涂纳米金刚石分散液并甩干；S2、用CVD金刚石生长设备在异质衬底的抛光面上生长多晶金刚石膜；S3、将多晶金刚石膜进行剥离；S4、在导热基片上涂覆纳米浆料，然后将多晶金刚石膜的生长面粘贴在纳米浆料；S5、粘贴有多晶金刚石膜的导热基片进行热压烧结，形成金刚石复合散热基板。上述制备方法中，复合异质衬底的多晶金刚石膜成核面不需要抛光即可达到纳米级粗糙度，方便与器件的结合。其次，使用超薄的多晶金刚石膜与导热基片进行结合，可以在导热效果与制造成本方面获得高的性价比。
-
公开(公告)号：CN119433486A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411606062.7
申请日：2024-11-12
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C23C16/02 , C23C16/27 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开一种金刚石薄膜及其制备方法和可重复利用的衬底材料，金刚石薄膜的制备方法包括：选取表面光滑的异质衬底，对异质衬底进行预处理；在异质衬底上生长所需厚度的金刚石薄膜，在金刚石薄膜的形核成膜阶段，工艺气体中通入适量的氮气；通过物理方法将金刚石薄膜从异质衬底上剥离，得到金刚石薄膜和衬底材料；将衬底材料进行表面处理，形成表面光滑的异质衬底，重复使用。本发明金刚石薄膜的制备方法既可以保持金刚石薄膜完整无裂纹，又可以通过简单的物理方法将金刚石薄膜从衬底材料上剥离，获得完整的金刚石薄膜和衬底材料，衬底材料经过简单的清洁、抛光等处理方法后即可重复使用，节约了金刚石薄膜制造过程中的材料成本。
-
公开(公告)号：CN117954331A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410353818.5
申请日：2024-03-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/48 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/683 , C23C16/27 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种金刚石复合散热基板的制备方法及金刚石复合散热基板，包括以下步骤：S1、取异质衬底，活化异质衬底抛光面，在异质衬底抛光面旋涂纳米金刚石分散液并甩干；S2、用CVD金刚石生长设备在异质衬底的抛光面上生长多晶金刚石膜；S3、将多晶金刚石膜进行剥离；S4、在导热基片上涂覆纳米浆料，然后将多晶金刚石膜的生长面粘贴在纳米浆料；S5、粘贴有多晶金刚石膜的导热基片进行热压烧结，形成金刚石复合散热基板。上述制备方法中，复合异质衬底的多晶金刚石膜成核面不需要抛光即可达到纳米级粗糙度，方便与器件的结合。其次，使用超薄的多晶金刚石膜与导热基片进行结合，可以在导热效果与制造成本方面获得高的性价比。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.027 seconds)
