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公开(公告)号：CN101763446B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200910243155.7
申请日：2009-12-30
Applicant: 北京大学
IPC: G06F17/50 , H01L21/8238
Abstract: 本发明提供了一种CMOS器件的辐照位移损伤的估算方法，属于涉及CMOS器件的辐照位移损伤技术领域。该方法包括：根据入射粒子打到器件源漏端、沟道区和隔离区三个不同位置，建立一计算公式：Ids＝prob1×case1+prob2×case2+prob3×case3，其中，case是入射粒子打到器件不同位置处的位移损伤造成器件漏端电流变化，prob是入射粒子打到器件不同位置的概率，根据该计算公式，得到入射粒子位移损伤造成器件漏端电流的变化量Ids，从而估算出CMOS器件在辐射环境中的位移损伤。利用本发明能够准确地估算出器件和集成电路在辐射环境中的位移损伤效应。
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公开(公告)号：CN101727525B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200910243156.1
申请日：2009-12-30
Applicant: 北京大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供了一种分析CMOS器件辐照位移损伤的模型，属于CMOS器件的辐照位移损伤技术领域。该模型由六个子分析模块组成，包括：一漏、源端位移损伤分析模块、一沟道区位移损伤分析模块、一缺陷群分析模块、一复合增强迁移分析模块、一瞬态增强扩散分析模块和一隔离区位移损伤分析模块，利用蒙特卡罗的方法按照高斯分布随机生成入射粒子，所述模型根据入射粒子打入器件的位置，获取上述六个子分析模块中的一个或多个值，得到CMOS器件在辐照条件下的位移损伤效应。利用本发明能够准确地估算出器件和集成电路在辐射环境中的位移损伤效应。
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公开(公告)号：CN101707210A
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200910241608.2
申请日：2009-11-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L27/092 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种抗辐照的场效应晶体管、CMOS集成电路及其制备方法。其中，N型场效应晶体管在衬底和体区之间增加了一层n+外延层，沟道为p/p+倒掺杂结构层，源漏分别通过一个“L”形绝缘层与体区隔离，“L”形绝缘层顶面到沟道上表面的距离小于沟道的厚度；相应的n+外延层改为p+外延层，p/p+倒掺杂结构层改为n/n+倒掺杂结构层就形成P型场效应晶体管。本发明的器件既抗单粒子效应，又抗总剂量效应，所组成的CMOS集成电路可以从根本上解决了抗辐照效应的单一性问题，而且该器件可以基于体硅衬底制备，无需SOI衬底，降低了成本，制备方法简单，与传统CMOS工艺兼容，可控性好。
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公开(公告)号：CN101630660A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200910088447.8
申请日：2009-07-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/12
Abstract: 本发明公开了一种提高CMOS晶体管抗辐照的方法、CMOS晶体管及集成电路，属于集成电路制备技术领域。本发明CMOS晶体管的N型晶体管和P型晶体管的侧墙所选用的材料不同，具体为：N型MOS场效应晶体管的侧墙选用辐照后表现为不俘获电子的介质材料，而P型MOS场效应晶体管的侧墙则选用辐照后表现为不俘获空穴的介质材料。本发明CMOS晶体管及集成电路的制备与常规CMOS工艺兼容，可有效提高抗辐照特性，且不增加额外的费用。
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公开(公告)号：CN101915624B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201010163419.0
申请日：2010-05-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种实时监测晶体管温度的热表征方法及结构，属于表征晶体管热效应的监测技术领域。该方法通过在晶体管栅上设置一材料层，材料层与晶体管栅构成P-N结，利用P-N结的IV特性测得晶体管器件的温度。本发明将单个器件与高灵敏度的温控二极管结合，因PN结位于沟道上方的多晶硅栅上，更真实地接近器件的实际温度，可实时监测器件温度，操作简单。在大规模晶体管阵列中，该结构用于解决实时监控芯片温度和热点分布等问题的同时，可对器件局部区域进行加热，据此分析器件的可靠性和电路失配等问题，除此之外，该结构面积与器件尺寸相当，可集成于芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101707210B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200910241608.2
申请日：2009-11-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L27/092 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种抗辐照的场效应晶体管、CMOS集成电路及其制备方法。其中，N型场效应晶体管在衬底和体区之间增加了一层n+外延层，沟道为p/p+倒掺杂结构层，源漏分别通过一个“L”形绝缘层与体区隔离，“L”形绝缘层顶面到沟道上表面的距离小于沟道的厚度；相应的n+外延层改为p+外延层，p/p+倒掺杂结构层改为n/n+倒掺杂结构层就形成P型场效应晶体管。本发明的器件既抗单粒子效应，又抗总剂量效应，所组成的CMOS集成电路可以从根本上解决了抗辐照效应的单一性问题，而且该器件可以基于体硅衬底制备，无需SOI衬底，降低了成本，制备方法简单，与传统CMOS工艺兼容，可控性好。
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公开(公告)号：CN101577279B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200910087223.5
申请日：2009-06-19
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/092 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种抗辐照的多叉指CMOS器件，属于电子技术领域。本发明多叉指CMOS器件包括有源区、STI区、和连接所述有源区和所述STI区的栅极，所述栅极呈多叉指状，其特征在于，所述有源区沿着有源区横向的宽度大于所述栅极位于所述有源区范围内沿着有源区横向的宽度。优选地，相邻的两个叉指的根部内轮廓线不呈各个折角同时为90°的折线状，位于端部的两个叉指的根部外轮廓线不呈直角状。本发明多叉指CMOS器件可以有效的降低栅串联电阻，从而提高电路的性能；同时占用的版图面积减小，可提高芯片的集成度。
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公开(公告)号：CN101930954A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010259659.0
申请日：2010-08-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/38
CPC classification number: H01L23/38 , H01L27/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种用于肖特基源漏SOI场效应晶体管的散热结构，属于微电子领域。该散热结构是与SOI场效应晶体管的源端或源、漏两端分别连接填充N型和P型高热电常数材料的两孔，漏端附近的N型高热电常数材料的金属引线相对于漏端接高电位，漏端附近的P型高热电常数材料的金属引线相对于漏端接低电位；源端附近的N型高热电常数材料的金属引线相对于源端接高电位，源端附近的P型材料的金属引线相对于源端接低电位。本发明利用帕尔帖效应，在热电材料与源或漏接触处吸收热量同时在热电材料与底电极金属连接处放出热量，从而将器件有源区的热量有效地传递到衬底，通过散热片散走。
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公开(公告)号：CN101915624A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010163419.0
申请日：2010-05-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种实时监测晶体管温度的热表征方法及结构，属于表征晶体管热效应的监测技术领域。该方法通过在晶体管栅上设置一材料层，材料层与晶体管栅构成P-N结，利用P-N结的IV特性测得晶体管器件的温度。本发明将单个器件与高灵敏度的温控二极管结合，因PN结位于沟道上方的多晶硅栅上，更真实地接近器件的实际温度，可实时监测器件温度，操作简单。在大规模晶体管阵列中，该结构用于解决实时监控芯片温度和热点分布等问题的同时，可对器件局部区域进行加热，据此分析器件的可靠性和电路失配等问题，除此之外，该结构面积与器件尺寸相当，可集成于芯片。
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公开(公告)号：CN101630660B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200910088447.8
申请日：2009-07-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/12
Abstract: 本发明公开了一种提高CMOS晶体管抗辐照的方法、CMOS晶体管及集成电路，属于集成电路制备技术领域。本发明CMOS晶体管的N型晶体管和P型晶体管的侧墙所选用的材料不同，具体为：N型MOS场效应晶体管的侧墙选用辐照后表现为不俘获电子的介质材料，而P型MOS场效应晶体管的侧墙则选用辐照后表现为不俘获空穴的介质材料。本发明CMOS晶体管及集成电路的制备与常规CMOS工艺兼容，可有效提高抗辐照特性，且不增加额外的费用。
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