微硅麦克风及其制备方法

    公开(公告)号:CN100536608C

    公开(公告)日:2009-09-02

    申请号:CN200410033638.1

    申请日:2004-04-14

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明提供了一种微硅麦克风及其制备方法,属于微电子机械系统(MEMS)加工技术领域,该微硅麦克风包括作为电容极板的单晶硅薄膜和多晶硅薄膜,多晶硅薄膜为可动极板,单晶硅薄膜上设有若干个释放孔,在多晶硅薄膜上形成加强筋结构,该加强筋结构与单晶硅薄膜上的释放孔相对应,且镶嵌在释放孔中。本发明的制备方法是利用ICP技术进行深槽刻蚀的制造工艺,该工艺既可以得到释放孔,又可实现带有加强筋结构的多晶硅薄膜,工艺流程简单,工艺兼容好,所制备的麦克风成本低、结构应力小、稳定性好且可靠性高。

    微结构键合工艺检测方法及检测结构

    公开(公告)号:CN1313813C

    公开(公告)日:2007-05-02

    申请号:CN200410039025.9

    申请日:2004-01-21

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明涉及一种微结构键合工艺结果的检测方法及用于该方法的检测结构。先设计包含微结构的硅结构版图;采用键合工艺方法制备微结构,硅结构和硅衬底或玻璃衬底通过键合面连接,硅结构至少有一端与键合面保有距离,并记录键合面积;用探针在没有键合的一端侧面推动硅结构,使之绕键合面发生形变直至单晶硅结构从键合面处断裂,并记录探针推点和键合面的距离和形变直至断裂过程的参数;根据所记录的上述数据,实现键合强度的检测。将复杂的MEMS器件检测技术,用简单的方法完成,解决了目前MEMS技术中微结构键合强度检测的难题,能满足多种MEMS器件加工时键合强度检测的需求。可应用于MEMS加工工艺技术领域。

    一种微型麦克风膜片
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1787692A

    公开(公告)日:2006-06-14

    申请号:CN200510117339.0

    申请日:2005-11-02

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明涉及一种微型麦克风膜片,其中膜片上加有压应力,且压应力在1~100MPa之间。本发明通过采用复合膜片,或者通过调整掺杂剂量、退火温度和退火时间等工艺参数,在膜片内引入适当的压应力,在不改变麦克风膜片大小的条件下,提高微型麦克风膜片的机械灵敏度。

    氧化锡纳米敏感薄膜制备方法

    公开(公告)号:CN1683586A

    公开(公告)日:2005-10-19

    申请号:CN200410033637.7

    申请日:2004-04-14

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明提供了一种氧化锡纳米敏感薄膜制备方法,属于气敏传感器的敏感材料制备领域。本发明采用磁控反应溅射方法使金属锡氧化,在硅片上生成锡的纳米量级氧化物薄膜,再进一步氧化、退火,即可制造出纳米晶粒氧化锡薄膜,该氧化锡纳米敏感薄膜具有氧化锡颗粒度小,比表面积大,厚度均匀(误差在纳米量级)等特点,且表面平整度高,在100倍显微镜下观察没有裂痕,有利于提高气敏传感器的灵敏度和稳定性,通过溅射时间严格地控制膜厚,可重复性高,适合于批量生产。本发明与集成电路工艺相兼容,污染小,极大地降低气体传感器的生产成本,扩展了传感器的应用领域。

    微结构键合工艺检测方法及检测结构

    公开(公告)号:CN1648634A

    公开(公告)日:2005-08-03

    申请号:CN200410039025.9

    申请日:2004-01-21

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明涉及一种微结构键合工艺结果的检测方法及用于该方法的检测结构。先设计包含微结构的硅结构版图;采用键合工艺方法制备微结构,硅结构和硅衬底或玻璃衬底通过键合面连接,硅结构至少有一端与键合面保有距离,并记录键合面积;用探针在没有键合的一端侧面推动硅结构,使之绕键合面发生形变直至单晶硅结构从键合面处断裂,并记录探针推点和键合面的距离和形变直至断裂过程的参数;根据所记录的上述数据,实现键合强度的检测。将复杂的MEMS器件检测技术,用简单的方法完成,解决了目前MEMS技术中微结构键合强度检测的难题,能满足多种MEMS器件加工时键合强度检测的需求。可应用于MEMS加工工艺技术领域。

    微硅麦克风及其制备方法

    公开(公告)号:CN1684546A

    公开(公告)日:2005-10-19

    申请号:CN200410033638.1

    申请日:2004-04-14

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明提供了一种微硅麦克风及其制备方法,属于微电子机械系统(MEMS)加工技术领域,该微硅麦克风包括作为电容极板的单晶硅薄膜和多晶硅薄膜,多晶硅薄膜为可动极板,单晶硅薄膜上设有若干个释放孔,在多晶硅薄膜上形成加强筋结构,该加强筋结构与单晶硅薄膜上的释放孔相对应,且镶嵌在释放孔中。本发明的制备方法是利用ICP技术进行深槽刻蚀的制造工艺,该工艺既可以得到释放孔,又可实现带有加强筋结构的多晶硅薄膜,工艺流程简单,工艺兼容好,所制备的麦克风成本低、结构应力小、稳定性好且可靠性高。

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