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公开(公告)号：CN119997595A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510124534.3
申请日：2025-01-26
Applicant: 北京大学 , 北京知识产权运营管理有限公司
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备。制备方法包括：在衬底的第一区域上形成第一极结构，并在衬底的第二区域上形成倒装堆叠晶体管中的第一晶体管；倒片并去除衬底；在第一区域上形成第二极结构，并在第二区域上形成倒装堆叠晶体管中的第二晶体管，第二极结构的离子掺杂类型与第一极结构的离子掺杂类型不同；其中，在第一极结构或第二极结构为基极结构的情况下，在基极结构的第三区域通过离子掺杂形成发射极结构，发射极结构的离子掺杂类型与基极结构的离子掺杂类型不同。通过制备与倒装堆叠晶体管工艺兼容的穿通双极结型晶体管，节省工艺步骤，增强半导体器件电路设计的灵活性。
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公开(公告)号：CN119317131A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411234319.0
申请日：2024-09-04
Applicant: 北京大学 , 北京知识产权运营管理有限公司
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：提供一衬底；在衬底的横向扩散区域进行离子注入，以形成P型阱区和N型漂移区；刻蚀P型阱区和衬底的核心区域，以形成鳍状结构和平面块状结构；平面块状结构基于横向扩散区域中未被刻蚀的N型漂移区形成；基于第一鳍状结构，形成第一晶体管；倒片并去除衬底；基于第二鳍状结构，形成第二晶体管；对第一鳍状结构进行第一鳍切处理，以形成第一鳍切沟槽，和/或，对第二鳍状结构进行第二鳍切处理，以形成第二鳍切沟槽；第一鳍切沟槽的刻蚀深度为鳍状结构的高度的一半或等于鳍状结构的高度；第二鳍切沟槽的刻蚀深度为鳍状结构的高度的一半或等于鳍状结构的高度。
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公开(公告)号：CN102593351A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210019208.9
申请日：2012-01-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)技术领域。该阻变存储器包括衬底，在衬底上设有下电极，在下电极上设有第一阻变层，在第一阻变层上设有第二阻变层，在第二阻变层上设有电子电流阻挡层，在电子电流阻挡层上设有上电极，上电极和电子电流阻挡层导带之间的能带差低于1eV。本发明可以有效地抑制电子电流，同时又不会减弱引起阻变的离子电流，能有效地降低功耗。
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公开(公告)号：CN101894910B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201010223393.4
申请日：2010-07-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种基于非化学剂量比即富含硅的氮氧硅(SiOxNy)阻变材料的双极阻变存储器及其制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该阻变存储器包括顶电极，阻变材料层，底电极和衬底，其中，阻变材料层为硅的氮氧化物(SiOxNy)，所述SiOxNy的x、y满足条件：2x+3y＜4，x≥0，y≥0，所述底电极为Cu、W、Pt等金属或者其它导电材料，所述顶电极为Ti、TiN、Al、AlCu等与硅的氮氧化物发生化学反应的金属或导电材料。本发明通过控制硅氮氧化物的成分，使其硅含量相对较多，引入更多的缺陷，空位，比如氮空位、氧空位等，从而得到稳定的双极器件。
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公开(公告)号：CN102306705A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110274869.1
申请日：2011-09-16
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L45/08 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明公开了一种大容量多值阻变存储器，属于阻变存储器制备技术领域。该阻变存储器包括上电极和下电极，在上、下电极之间插入多个阻变材料层和缺陷层组合，其中，与上、下电极接触的是阻变材料层(例如Ta2O5，TiO2，HfO2等薄膜)，阻变材料层之间是缺陷层(例如Ti，Au，Ag等金属薄膜)。本发明可增加阻变存储器存储容量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102222512A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201010146401.X
申请日：2010-04-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种柔性有机阻变存储器及其制备方法，属于集成电路技术领域。该器件采用聚对二甲苯聚合物膜为衬底，衬底上为MIM结构的阻变存储器，阻变存储器的底层和顶层分别为金属电极，阻变存储器的中间功能层为聚对二甲苯聚合物膜。由于用聚对二甲苯聚合物膜同时作为有机阻变存储器的衬底和功能层，可制备出柔韧、可弯曲的有机阻变存储器。本发明柔性有机阻变存储器的关态电流小，性能优异，且工艺成本低。开关态的电流比率高达108，比基于SiO2/Si衬底的聚对二甲苯阻变存储器的开关比率高出3-4个数量级。
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公开(公告)号：CN101944569A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010247426.9
申请日：2010-08-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用标准CMOS工艺的MIM电容结构制备非挥发性存储器的方法，属于超大规模集成电路技术领域。本发明首先基于标准CMOS工艺制备MIM电容结构，然后对MIM电容的介质层进行掺杂形成阻变材料层，从而制备得MIM结构的阻变存储器。该方法和标准CMOS工艺完全兼容，没有对CMOS工艺进行任何改变以及增加任何复杂的工艺，通过版图设计就可以实现阻变存储器的制备，降低了成本。
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公开(公告)号：CN119364842A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411345982.8
申请日：2024-09-25
Applicant: 北京大学 , 北京知识产权运营管理有限公司
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备。其中，制备方法包括：在衬底上形成有源结构，有源结构包括第一有源结构和第二有源结构，第二有源结构相较于第一有源结构远离衬底；基于第二有源结构，形成第一PN结结构；对第一PN结结构进行倒片并去除衬底，以暴露第一有源结构；基于第一有源结构，形成第二PN结结构，第一PN结结构和第二PN结结构构成PN结结构；其中，在形成第一PN结结构之前，对第一有源结构和第二有源结构进行离子注入。本申请通过制备半导体结构的PN结，增强了半导体器件中电路设计的灵活性。
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公开(公告)号：CN102543172B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201210046710.9
申请日：2012-02-27
Applicant: 北京大学
IPC: G11C11/56
Abstract: 本发明公开了一种适用于神经元电路的阻变忆阻器的控制方法。本发明的控制方法在神经元电路里，阻变忆阻器的两个端口分别和MOS晶体管的漏端和源端相连，组成并联结构，并分别连接于前神经元和后神经元，在MOS晶体管的栅端加上栅电压。本发明通过阻变忆阻器与MOS晶体管并联，在学习态，通过调节MOS晶体管的栅电压将阻变忆阻器设置到预定阻值；在计算态，通过栅电压控制MOS晶体管的沟道电阻从而精确控制阻变忆阻器和MOS晶体管的并联结构的阻值，从而快速精确地对并联结构的阻值进行调节。MOS晶体管的面积可以很小，有利于大规模集成，同时，控制MOS晶体管的栅电压能够实现阻变忆阻器的阻值可变并且可以精确控制阻值浮动。
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公开(公告)号：CN102222512B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201010146401.X
申请日：2010-04-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种柔性有机阻变存储器及其制备方法，属于集成电路技术领域。该器件采用聚对二甲苯聚合物膜为衬底，衬底上为MIM结构的阻变存储器，阻变存储器的底层和顶层分别为金属电极，阻变存储器的中间功能层为聚对二甲苯聚合物膜。由于用聚对二甲苯聚合物膜同时作为有机阻变存储器的衬底和功能层，可制备出柔韧、可弯曲的有机阻变存储器。本发明柔性有机阻变存储器的关态电流小，性能优异，且工艺成本低。开关态的电流比率高达108，比基于SiO2/Si衬底的聚对二甲苯阻变存储器的开关比率高出3-4个数量级。
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