公开(公告)号：CN103762160B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201410042467.2

申请日：2014-01-28

Applicant: 北京华力创通科技股份有限公司

Inventor： 郭子超 ,  虢晓双 ,  张旭 ,  肖定邦 ,  张欢 ,  侯占强 ,  吴光跃 ,  吴学忠

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及硅片刻蚀领域，具体而言，涉及深硅刻蚀方法及其装置。该深硅刻蚀方法，包括如下步骤：将腐蚀溶液置于水浴中加热至预定温度，并通过磁力搅拌器对所述腐蚀溶液进行搅拌，使所述腐蚀溶液内部温度均匀；将带有掩膜的硅片竖直置于所述腐蚀溶液中腐蚀；将腐蚀好的硅片用去离子水清洗并经氮气吹干，得到成品硅片。本发明提供的深硅刻蚀方法及其装置，与现有技术相比，使刻蚀出的硅片的结构、图形、尺寸一致。

公开(公告)号：CN103762160A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201410042467.2

申请日：2014-01-28

Applicant: 北京华力创通科技股份有限公司

Inventor： 郭子超 ,  虢晓双 ,  张旭 ,  肖定邦 ,  张欢 ,  侯占强 ,  吴光跃 ,  吴学忠

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/30604 ,  B81C1/00539 ,  B81C2201/0133 ,  H01L21/67075

Abstract: 本发明涉及硅片刻蚀领域，具体而言，涉及深硅刻蚀方法及其装置。该深硅刻蚀方法，包括如下步骤：将腐蚀溶液置于水浴中加热至预定温度，并通过磁力搅拌器对所述腐蚀溶液进行搅拌，使所述腐蚀溶液内部温度均匀；将带有掩膜的硅片竖直置于所述腐蚀溶液中腐蚀；将腐蚀好的硅片用去离子水清洗并经氮气吹干，得到成品硅片。本发明提供的深硅刻蚀方法及其装置，与现有技术相比，使刻蚀出的硅片的结构、图形、尺寸一致。