公开(公告)号：CN108776296A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201810670264.6

申请日：2018-06-26

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 赵来钖

IPC: G01R31/28

Abstract: 本文公开了一种用电流差值△IDDQ(MAX(IDDQ_1，IDDQ_N)-MIN(IDDQ_1，IDDQ_N))来判断IDDQ测试结果，用于提高IDDQ故障以及桥接故障的测试覆盖率。本方法可以改进现有只用两个测试点的差值判断IDDQ，拓宽到任意个测试点。从而通过追加测试点提高IDDQ测试的测试覆盖率。同时使用电流差值作为判断IDDQ测试的依据，可以减轻IDDQ测试单纯判断电流大小，在深亚微米工艺条件下背景电流大的缺点。进而保证在芯片量产时存在工艺偏差的背景下能够稳定量产。

公开(公告)号：CN114076883B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202111327774.1

申请日：2021-11-10

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 王辉 ,  李建波 ,  赵来钖

IPC: G01R31/26

Abstract: 本申请公开了一种老化电路、芯片老化测试方法及芯片。该老化电路包括：随机数发生模块，根据模式信号生成老化图形；以及扫描链模块，至少根据模式信号将老化图形发送至待测电路，其中，随机数发生模块在接收到有效状态的模式信号之后，生成随机数，并根据随机数生成随机的老化图形。该老化电路降低了老化板硬件开发成本，并且提供了随机的老化图形，使得所有的图形组合都有机会被施加到待测电路，即待测电路中的所有逻辑结构都有机会被图形遍历到，保证了老化测试覆盖率。

公开(公告)号：CN112578271A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202011259930.0

申请日：2020-11-12

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 梁瀚予 ,  赵来钖

IPC: G01R31/316

Abstract: 本发明涉及芯片测试电路设计领域。公开了一种提高模拟滤波电路(104)测试效率的方法。本方法可以改进现有对模拟滤波电路(104)串行、单个测试方法的不足，提出了一种能够同时对多个模拟滤波电路(104)进行测试的方法。该方法通过ATE(101)控制配置寄存器(102)开启模拟滤波电路(104)；通过控制电路(103)控制测试寄存器(105)的复位；通过配置寄存器(102)对测试寄存器(105)的输出结果通过与或选择器(106)进行选择。ATE(101)通过观测输出的结果判断模拟滤波电路(104)是否失效。同时，通过配置寄存器(102)开启部分模拟滤波电路(104)，可以使用二分法快速定位失效的模拟滤波电路(104)，进而提高测试效率。

公开(公告)号：CN109143023A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810670277.3

申请日：2018-06-26

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 赵来钖 ,  盛娜 ,  李焕春

IPC: G01R31/28

CPC classification number: G01R31/2851

Abstract: 本发明涉及LSI(内嵌CPU)筛选测试领域，提供了一种IDDQ测试图形设计方法。使用CPU(300)指令控制寄存器(301)以及存储器(302)，把其分别设置为DEFAULT、00、55、AA、FF状态，实现部分寄存器(301)、存储器(302)、组合电路A(304)的相关连线出现电位差异状态。使用CPU指令控制使组合电路A(304)工作，使不直接受CPU控制的寄存器(305)翻转到不同状态，实现寄存器(305)、组合电路B(306)相关连线(307)出现电位差异状态。从而实现高覆盖率IDDQ测试图形设计。在每种不同状态下使用CPU指令使芯片进入最低功耗模式后测试电源(308)电流。此方法在不追加电路设计及面积成本的前提下，实现IDDQ测试筛选，有效提高测试筛选覆盖率。可广泛用于高可靠性LSI筛选。

公开(公告)号：CN114355151A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202111395035.6

申请日：2021-11-23

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 姜京哲 ,  赵来钖 ,  张楠

IPC: G01R31/28 ,  G06F30/20

Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片双温trim测试方法，使芯片在常温下完成第一次trim后，将中间测试结果存储到flash中供高温trim使用，之后切换到高温下再完成第二次trim，使芯片在常温/高温下的表现都能达到预期。

公开(公告)号：CN114076883A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202111327774.1

申请日：2021-11-10

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 王辉 ,  李建波 ,  赵来钖

IPC: G01R31/26

Abstract: 本申请公开了一种老化电路、芯片老化测试方法及芯片。该老化电路包括：随机数发生模块，根据模式信号生成老化图形；以及扫描链模块，至少根据模式信号将老化图形发送至待测电路，其中，随机数发生模块在接收到有效状态的模式信号之后，生成随机数，并根据随机数生成随机的老化图形。该老化电路降低了老化板硬件开发成本，并且提供了随机的老化图形，使得所有的图形组合都有机会被施加到待测电路，即待测电路中的所有逻辑结构都有机会被图形遍历到，保证了老化测试覆盖率。