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公开(公告)号：CN101512778B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200780032273.2
申请日：2007-08-02
Applicant: 信越半导体股份有限公司 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L21/28 , H01L21/288
CPC classification number: H05K3/248 , H01L31/022425 , H05K1/092 , H05K2201/0338 , H05K2203/1476 , Y02E10/50
Abstract: 本发明是一种半导体基板，是形成有电极的半导体基板，上述电极至少含有银与玻璃料，具有由第一电极层与上部电极层所构成的多层构造；该第一电极层直接接合于上述半导体基板上，该上部电极层被配置于该第一电极层上，且由一层以上所构成；上述上部电极层，是将银的总含有比例为75wt％以上95wt％以下的导电性浆料焙烧而成的，相对于上述上部电极层的银的总含量，平均粒径4μm以上8μm以下的银粒子的含有比例，高于上述第一电极层中的含有比例。藉此，可于半导体基板上，通过简便的方法形成具有高纵横比且难以引起断线等的不良情况的电极。
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公开(公告)号：CN101506992B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200780028838.X
申请日：2007-07-12
Applicant: 信越半导体股份有限公司 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L21/28 , H01L21/288
CPC classification number: H01L31/022425 , C03C8/14 , C03C8/18 , H01L21/2225 , H01L31/05 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265 , H01L2924/3025 , Y02E10/50 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体基板和电极的形成方法以及太阳能电池的制造方法，该半导体基板是至少形成有电极的半导体基板，上述电极是具有二层以上的多层构造，上述多层构造之中，至少与上述半导体基板直接接合的第一电极层是至少含有银与玻璃料，以及含有钛、铋、锆、钒、铌、钽、铬、钼、钨、锰、铁、钴、镍、硅、铝、锗、锡、铅、锌的氧化物中的至少一种来作为添加物；形成于上述第一电极层上的电极层之中，至少与配线接合的最表层的电极层是至少含有银和玻璃料，而未含有上述添加物。借此，于半导体基板上形成一种电极，可减少接触电阻与配线电阻，且具有充分的与半导体基板接着的强度以及通过焊锡而与配线接着的强度。
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公开(公告)号：CN101512778A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200780032273.2
申请日：2007-08-02
Applicant: 信越半导体股份有限公司 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L21/28 , H01L21/288
CPC classification number: H05K3/248 , H01L31/022425 , H05K1/092 , H05K2201/0338 , H05K2203/1476 , Y02E10/50
Abstract: 本发明是一种半导体基板，是形成有电极的半导体基板，上述电极至少含有银与玻璃料，具有由第一电极层与上部电极层所构成的多层构造；该第一电极层直接接合于上述半导体基板上，该上部电极层被配置于该第一电极层上，且由一层以上所构成；上述上部电极层，是将银的总含有比例为75wt％以上95wt％以下的导电性浆料焙烧而成者，相对于上述上部电极层的银的总含量，平均粒径4μm以上8μm以下的银粒子的含有比例，高于上述第一电极层中的含有比例。藉此，可于半导体基板上，通过简便的方法形成具有高纵横比且难以引起断线等的不良情况的电极。
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公开(公告)号：CN101167191B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200680013998.2
申请日：2006-04-11
Applicant: 信越半导体股份有限公司 , 直江津电子工业株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L21/2254 , H01L31/022425 , H01L31/0682 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及太阳能电池的制造方法和太阳能电池及半导体装置的制造方法，该太阳能电池的制造方法是在第一导电类型半导体基板上形成PN结以制造出太阳能电池的方法，其特征为至少包含下列步骤：在该第一导电类型半导体基板上，涂布含有掺杂剂与掺杂剂飞散防止剂的第一涂布剂、以及至少与该第一涂布剂连接且含有掺杂剂的第二涂布剂后，通过扩散热处理，同时形成第一扩散层以及第二扩散层；该第一扩散层由涂布该第一涂布剂形成；该第二扩散层由涂布该第二涂布剂形成且其导电率低于该第一扩散层。借此可一边得到欧姆接触一边通过抑制受光面的电极以外部分的表面再结合以及射极内的再结合，从而能提供太阳能电池的制造方法及其太阳能电池以及半导体装置的制造方法，可用简便容易的方法便宜地制造出提高光电转换效率的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN101506992A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200780028838.X
申请日：2007-07-12
Applicant: 信越半导体股份有限公司 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L21/28 , H01L21/288
CPC classification number: H01L31/022425 , C03C8/14 , C03C8/18 , H01L21/2225 , H01L31/05 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265 , H01L2924/3025 , Y02E10/50 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体基板和电极的形成方法以及太阳能电池的制造方法，该半导体基板是至少形成有电极的半导体基板，上述电极是具有二层以上的多层构造，上述多层构造之中，至少与上述半导体基板直接接合的第一电极层是至少含有银与玻璃料，以及含有钛、铋、锆、钒、铌、钽、铬、钼、钨、锰、铁、钴、镍、硅、铝、锗、锡、铅、锌的氧化物中的至少一种来作为添加物；形成于上述第一电极层上的电极层之中，至少与配线接合的最表层的电极层是至少含有银和玻璃料，而未含有上述添加物。借此，于半导体基板上形成一种电极，可减少接触电阻与配线电阻，且具有充分的与半导体基板接着的强度以及通过焊锡而与配线接着的强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101167191A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200680013998.2
申请日：2006-04-11
Applicant: 信越半导体股份有限公司 , 直江津电子工业株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L21/2254 , H01L31/022425 , H01L31/0682 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及太阳能电池的制造方法和太阳能电池及半导体装置的制造方法，该太阳能电池的制造方法是在第一导电类型半导体基板上形成PN结以制造出太阳能电池的方法，其特征为至少包含下列步骤：在该第一导电类型半导体基板上，涂布含有掺杂剂与掺杂剂飞散防止剂的第一涂布剂、以及至少与该第一涂布剂连接且含有掺杂剂的第二涂布剂后，通过扩散热处理，同时形成第一扩散层以及第二扩散层；该第一扩散层由涂布该第一涂布剂形成；该第二扩散层由涂布该第二涂布剂形成且其导电率低于该第一扩散层。借此可一边得到欧姆接触一边通过抑制受光面的电极以外部分的表面再结合以及射极内的再结合，从而能提供太阳能电池的制造方法及其太阳能电池以及半导体装置的制造方法，可用简便容易的方法便宜地制造出提高光电转换效率的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN113243043B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN201980082989.6
申请日：2019-11-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/365 , H01L21/368 , C23C16/455
Abstract: 本发明为一种层叠体，其包含晶体基板与半导体膜，所述半导体膜设置在该晶体基板的主表面上，且含有掺杂剂并包含具有刚玉结构的氧化物半导体作为主要成分，所述氧化物半导体中所包含的Si浓度为5.0×1020cm‑3以下，所述半导体膜的电阻率为150mΩ·cm以下。由此，可提供一种层叠体，该层叠体包含适于半导体器件用途的低电阻的具有刚玉结构的半导体。
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公开(公告)号：CN117321256A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202280030633.X
申请日：2022-03-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C30B29/16
Abstract: 本发明是一种层叠结构体，其特征在于包括基底基板与以氧化镓为主成分的结晶性氧化物膜，所述结晶性氧化物膜的表面的均方根粗糙度为0.2μm以下，所述基底基板的直径为50mm以上，所述基底基板的TTV为30μm以下。由此，提供包含表面平滑的结晶性氧化物膜的层叠结构体以及所述层叠结构体的制造方法。
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公开(公告)号：CN116157360A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202180055292.7
申请日：2021-08-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01G15/00
Abstract: 本发明涉及一种成膜方法，其为对经雾化的原料溶液进行热处理而进行成膜的成膜方法，其特征在于，将金属镓溶解于含有氢溴酸及氢碘酸中的至少一种的酸性溶液中，制备金属杂质的浓度小于2％的所述原料溶液，将该原料溶液雾化并进行成膜。由此，能够提供一种成膜方法，该方法能够以高成膜速度成膜为结晶性良好的膜。
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公开(公告)号：CN110073504B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201680090766.0
申请日：2016-11-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/05 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: [问题]为了提供一种低成本、高产率、可以容易地制造的背面接触型的高光电转换效率的太阳能电池。[解决方案]在该高光电转换效率的太阳能电池中，在第一导电型半导体基板的作为非受光面的背面上设置：扩散有第一导电型杂质的第一导电型扩散层，扩散有第二导电型杂质的第二导电型扩散层，和在第一导电型扩散层和第二导电型扩散层之间形成的高电阻层或本征半导体层。
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