公开(公告)号：CN105283970B

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201480033929.2

申请日：2014-05-16

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 川原实 ,  铃木金吾

IPC: H01L33/24 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/22 ,  H01L33/30

Abstract: 本发明是一种发光元件，其具有：四元发光层；第一窗层，其形成在该四元发光层的一侧的主表面侧；第二窗层，其形成在所述四元发光层的另一侧的主表面侧，其特征在于，所述四元发光层的侧面比所述第一窗层和所述第二窗层的侧面更向所述发光元件的内侧凹陷。由此，可减少被破坏而变成不亮的不良情况，并可抑制光辐射功率输出和Vf的变动的高亮度发光元件及其制造成为可能。

公开(公告)号：CN105283970A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201480033929.2

申请日：2014-05-16

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 川原实 ,  铃木金吾

IPC: H01L33/24 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/22 ,  H01L33/30

Abstract: 本发明是一种发光元件，其具有：四元发光层；第一窗层，其形成在该四元发光层的一侧的主表面侧；第二窗层，其形成在所述四元发光层的另一侧的主表面侧，其特征在于，所述四元发光层的侧面比所述第一窗层和所述第二窗层的侧面更向所述发光元件的内侧凹陷。由此，可减少被破坏而变成不亮的不良情况，并可抑制光辐射功率输出和Vf的变动的高亮度发光元件及其制造成为可能。

公开(公告)号：CN100481541C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200580013382.0

申请日：2005-04-13

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 池田均 ,  铃木金吾 ,  中村秋夫

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/30

Abstract: 本发明是对具有发光层部24、以及以结晶方位与该发光层部24一致的方式做积层的GaP透明半导体层20，90而成的发光元件晶圆，以GaP透明半导体层的侧面成为{100}面的方式进行切割来得到发光元件芯片；该发光层部，在以组成式(AlxGa1-x)yIn1-yP(其中，0≤x≤1，0≤y≤1)表示的化合物中，以与GaAs晶格匹配的组成的化合物分别构成第一导电型包覆层6、活性层5以及第二导电型包覆层4，并依此顺序积层而形成双异质结构，且主表面为(100)面。藉此提供一种在具有AlGaInP发光层部与GaP透明半导体层的发光元件中，进行切割时不易产生边缘裂片等不良的制造方法。

公开(公告)号：CN1383186A

公开(公告)日：2002-12-04

申请号：CN02118666.9

申请日：2002-04-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 池田均 ,  铃木金吾

IPC: H01L21/00

Abstract: 将从粘合片2上的半导体晶片1剥离的部分作为已剥离区域,除此以外的部分作为未剥离区域,此时,一边将这些已剥离区域与未剥离区域的边界(剥离边界)在滑板200a的边界12’处保持成直线状、一边使粘合片2相对滑板200a进行相对性移动,使剥离边界沿着半导体晶片1的主面进行移动。采用这种方法,不会对半导体晶片1施加过份的力,能可靠地从粘合片2上剥离。

公开(公告)号：CN100433388C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200580013481.9

申请日：2005-04-13

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 池田均 ,  铃木金吾 ,  中村秋夫

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L33/30 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L33/22 ,  H01L2224/48091 ,  Y10S438/964 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明的发光元件的制造方法，是将具有发光层部24(具有由AlGaInP所组成的双异质结构)、以及GaP光取出层20(以本身的第一主表面成为晶圆的第一主表面的形式设置于发光层部上)的发光元件晶圆，以GaP光取出层的第一主表面成为(100)面的方式来制造。其是通过面粗糙用蚀刻液，将由该(100)面所形成的GaP光取出层20的第一主表面进行蚀刻，而形成面粗糙突起部40f；该蚀刻液，是含有醋酸、氢氟酸、硝酸、碘与水合计量在90%以上，且醋酸、氢氟酸、硝酸与碘的总质量含有率较水的质量含有率为高。由此，本发明可提供一种发光元件的制造方法，其具有以(100)作为主表面的GaP光取出层，且可轻易地在该(100)主表面进行面粗糙处理。

公开(公告)号：CN1947269A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200580013382.0

申请日：2005-04-13

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 池田均 ,  铃木金吾 ,  中村秋夫

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/30

Abstract: 本发明是对具有发光层部24、以及以结晶方位与该发光层部24一致的方式做积层的GaP透明半导体层20，90而成的发光元件晶圆，以GaP透明半导体层的侧面成为{100}面的方式进行切割来得到发光元件芯片；该发光层部，在以组成式(AlxGa1－x)yIn1－yP(其中，0≤x≤1，0≤y≤1)表示的化合物中，以与GaAs晶格匹配的组成的化合物分别构成第一导电型包覆层6、活性层5以及第二导电型包覆层4，并依此顺序积层而形成双异质结构，且主表面为(100)面。藉此提供一种在具有AlGaInP发光层部与GaP透明半导体层的发光元件中，进行切割时不易产生边缘裂片等不良的制造方法。

公开(公告)号：CN109643744B

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201780045605.4

申请日：2017-06-28

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石崎顺也 ,  古屋翔吾 ,  铃木金吾 ,  池田淳 ,  铃木谦一 ,  山田雅人

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/22

Abstract: 本发明为一种发光组件，包括由化合物半导体所构成的发光部、电极、以及保护膜。该发光组件的特征在于覆盖该发光组件的至少一部分的该保护膜的表面形成有Rz超过5nm的凹凸。由于此结构，便能不使树脂密接性降低，并在进行树脂密封时抑制树脂剥离的发生。

公开(公告)号：CN109643744A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780045605.4

申请日：2017-06-28

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石崎顺也 ,  古屋翔吾 ,  铃木金吾 ,  池田淳 ,  铃木谦一 ,  山田雅人

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/22

Abstract: 本发明为一种发光组件，包括由化合物半导体所构成的发光部、电极、以及保护膜。该发光组件的特征在于覆盖该发光组件的至少一部分的该保护膜的表面形成有Rz超过5nm的凹凸。由于此结构，便能不使树脂密接性降低，并在进行树脂密封时抑制树脂剥离的发生。

公开(公告)号：CN1947270A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200580013481.9

申请日：2005-04-13

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 池田均 ,  铃木金吾 ,  中村秋夫

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L33/30 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L33/22 ,  H01L2224/48091 ,  Y10S438/964 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明的发光元件的制造方法，是将具有发光层部24(具有由AlGaInP所组成的双异质结构)、以及GaP光取出层20(以本身的第一主表面成为晶圆的第一主表面的形式设置于发光层部上)的发光元件晶圆，以GaP光取出层的第一主表面成为(100)面的方式来制造。其是通过面粗糙用蚀刻液，将由该(100)面所形成的GaP光取出层20的第一主表面进行蚀刻，而形成面粗糙突起部40f；该蚀刻液，是含有醋酸、氢氟酸、硝酸、碘与水合计量在90％以上，且醋酸、氢氟酸、硝酸与碘的总质量含有率较水的质量含有率为高。由此，本发明可提供一种发光元件的制造方法，其具有以(100)作为主表面的GaP光取出层，且可轻易地在该(100)主表面进行面粗糙处理。