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发明公开
硅外延晶片以及生产硅外延晶片的方法无效

公开(公告)号：CN1791705A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200480013251.8

申请日：2004-04-02

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 吉田知佐 , 角田均 , 加藤正弘

IPC: C30B29/06

CPC classification number: C30B29/06 , C30B23/02 , C30B25/02

Abstract: 本发明涉及一种硅外延晶片(W)，其特征在于包含：单晶硅基材(1)，在其主表面(11)上具有COP(100)；和在单晶硅基材(1)的主表面(11)上通过气相外延生长形成的硅外延层(2)，其中所述主表面(11)相对于[100]轴沿着[011]方向或[0－1－1]方向从(100)平面倾斜θ角度，以及相对于[100]轴沿着[01－1]方向或[0－11]方向从(100)平面倾斜φ角度，且θ角和/或φ角是0°－15’。

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