公开(公告)号：CN100343961C

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN02816567.5

申请日：2002-08-23

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 小林德弘 ,  玉正郎 ,  名古屋孝俊 ,  曲伟峰

IPC: H01L21/322

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  H01L21/3225 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明提供一种退火晶片的制造方法，在氩气、氢气、或上述气体的混合气体环境下，以1100至1350℃的温度对以拉晶(CZ)法制作出的单晶硅晶片，进行10至600分钟的高温退火的退火晶片，其特征在于：在进行退火时，通过支持机构对上述单晶硅晶片仅支持距离晶片外周端不小于5mm的晶片中心侧的区域，且在进行上述高温退火之前，以未满上述高温退火的温度进行预退火，使氧析出物生长。由此，可提供一种即使为不小于300mm的大口径单晶硅晶片，也可抑制在进行高温退火时所产生的滑动位错的退火晶片的制造方法以及退火晶片。

公开(公告)号：CN1302526C

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN02801855.9

申请日：2002-05-22

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 饭田诚 ,  玉正郎

IPC: H01L21/322

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/3225

Abstract: 本发明涉及一种掺杂氮的退火晶片的制造方法，其在对由掺杂氮的硅单晶切削、并至少经过研磨的晶片在氩、氢或其混合气体环境下实施1100～1350℃的高温热处理前，通过进行在小于前述高温热处理的处理温度温度滞留的工序，使前述高温热处理中消灭的尺寸的氧析出核生长为前述高温热处理中不消灭的尺寸，然后，进行前述高温热处理的掺杂氮的退火晶片的制造方法。据此，提供不受掺杂于硅单晶的氮浓度影响，从硅单晶的各部位切削而成的硅单晶晶片中的退火后的BMD密度的误差可被缓和。