公开(公告)号：CN113519040A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202080018057.8

申请日：2020-01-27

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 久米史高 ,  铃木由佳里 ,  北村浩一 ,  吉田昌弘 ,  横田修二 ,  江原幸治

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/324 ,  H01L21/66 ,  C30B29/06 ,  G01N27/04

Abstract: 本发明为一种单晶硅的电阻率测定方法，其中，在以四探针法测定单晶硅的电阻率的单晶硅的电阻率测定方法中，具有：至少对所述单晶硅中进行所述电阻率的测定的面进行磨削的第一磨削工序，对实施了所述第一磨削工序的单晶硅进行清洗的清洗工序，对实施了所述清洗工序的单晶硅进行热处理的供体消除热处理工序，及至少对实施了所述供体消除热处理工序的单晶硅中进行所述电阻率的测定的面进行磨削的第二磨削工序，并在实施所述第二磨削工序之后，以四探针法测定所述单晶硅的电阻率。由此，可提供一种能够在供体消除热处理之后长期稳定地进行测定的单晶硅的电阻率测定方法。