公开(公告)号：CN1406291A

公开(公告)日：2003-03-26

申请号：CN01805759.4

申请日：2001-12-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿部孝夫 ,  山田透

IPC: C30B15/00 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/14 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/1032 ,  Y10T117/1068 ,  Y10T117/1072

Abstract: 本发明涉及一种切克劳斯基法(CZ法)的单晶生长方法和单晶生长装置。其特征为至少在结晶生长界面近旁以包围拉晶中的单晶的形态配置由铜或比铜热传导率更高的金属所形成的冷却筒，且通过使冷却媒体在该冷却筒中流动，强制性冷却结晶成长界面近旁进行单晶生长。藉此，提供一种即使成长具300mm以上直径的硅单晶，也可对成长中的单晶发挥最大限度的冷却效果，以提供结晶成长速度高速化的单晶生长方法及单晶生长装置。

公开(公告)号：CN1265030C

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN01805759.4

申请日：2001-12-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿部孝夫 ,  山田透

IPC: C30B15/00 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/14 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/1032 ,  Y10T117/1068 ,  Y10T117/1072

Abstract: 本发明涉及一种切克劳斯基法(CZ法)的单晶生长方法和单晶生长装置。其特征为至少在结晶生长界面近旁以包围拉晶中的单晶的形态配置由铜或比铜热传导率更高的金属所形成的冷却筒，且通过使冷却媒体在该冷却筒中流动，强制性冷却结晶成长界面近旁进行单晶生长。藉此，提供一种即使成长具300mm以上直径的硅单晶，也可对成长中的单晶发挥最大限度的冷却效果，以提供结晶成长速度高速化的单晶生长方法及单晶生长装置。