公开(公告)号：CN1599050A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN200410068344.2

申请日：2001-11-15

Applicant: 信越半导体株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 小林诚 ,  松川和人 ,  山本秀和 ,  前岛伸六

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01B21/30 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种新的晶片形状评价方法及晶片形状评价装置，它在晶片内以规定的间隔测量晶片的形状，由该测量的晶片形状、在晶片面内设定为算出基准线或者基准面的第1区域(W1)，算出在该第1区域(W1)的基准线(10a)或者基准面(10b)，在该第1区域外设定准备评价的第2区域(W2)，将该基准线(10a)或者基准面(10b)外插到该第2区域(W2)，分析该第2区域的形状和在该第2区域内的该基准线或者基准面的差、算出表面特性，由此，得到比现有的SFQR等更能正确的评价晶片外周部的晶片形状。

公开(公告)号：CN100339969C

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200410068344.2

申请日：2001-11-15

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 小林诚 ,  松川和人 ,  山本秀和 ,  前岛伸六

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01B21/30 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种新的晶片形状评价方法及晶片形状评价装置，它在晶片内以规定的间隔测量晶片的形状，由该测量的晶片形状、在晶片面内设定为算出基准线或者基准面的第1区域(W1)，算出在该第1区域(W1)的基准线(10a)或者基准面(10b)，在该第1区域外设定准备评价的第2区域(W2)，将该基准线(10a)或者基准面(10b)外插到该第2区域(W2)，分析该第2区域的形状和在该第2区域内的该基准线或者基准面的差、算出表面特性，由此，得到比现有的SFQR等更能正确的评价晶片外周部的晶片形状。

公开(公告)号：CN1193409C

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN01803299.0

申请日：2001-11-15

Applicant: 信越半导体株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 小林诚 ,  松川和人 ,  山本秀和 ,  前岛伸六

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01B21/30 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种新的晶片形状评价方法及晶片形状评价装置，它在晶片内以规定的间隔测量晶片的形状的值，由该测量的晶片形状的值、根据预定的算法在晶片面内设定为算出基准线或者基准面的第1区域(W1)，算出在该第1区域(W1)的基准线(10a)或者基准面(10b)，在该第1区域外设定准备评价的第2区域(W2)，将该基准线(10a)或者基准面(10b)外插到该第2区域(W2)，分析该第2区域的形状和在该第2区域内的该基准线或者基准面的差、算出表面特性，由此，得到比现有的SFQR等更能正确的评价晶片外周部的晶片形状。

公开(公告)号：CN1394356A

公开(公告)日：2003-01-29

申请号：CN01803299.0

申请日：2001-11-15

Applicant: 信越半导体株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 小林诚 ,  松川和人 ,  山本秀和 ,  前岛伸六

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01B21/30 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种新的晶片形状评价方法及晶片形状评价装置，它在晶片内以规定的间隔测量晶片的形状，由该测量的晶片形状、在晶片面内设定为算出基准线或者基准面的第1区域(W1)，算出在该第1区域(W1)的基准线(10a)或者基准面(10b)，在该第1区域外设定准备评价的第2区域(W2)，将该基准线(10a)或者基准面(10b)外插到该第2区域(W2)，分析该第2区域的形状和在该第2区域内的该基准线或者基准面的差、算出表面特性，由此，得到比现有的SFQR等更能正确的评价晶片外周部的晶片形状。