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公开(公告)号：CN113994032B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202080044129.6
申请日：2020-04-30
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种电子器件用基板，其是在单晶硅的接合基板上形成了氮化物半导体膜的基板，其特征在于，所述接合基板是接合了多个单晶硅基板而成的基板，厚度大于2000μm，所述多个单晶硅基板是通过CZ法制造的基板，电阻率为0.1Ωcm以下。由此，提供一种在将氮化物半导体膜形成在硅基板上的电子器件用基板中抑制了翘曲并且能够用于高耐压产品的电子器件用基板及其制造方法。
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公开(公告)号：CN117480593A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202280040388.0
申请日：2022-05-30
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种晶圆标记方法，其使用激光对氮化物半导体基板的缺陷部分施加激光标记，所述氮化物半导体基板是使至少包含GaN层的氮化物半导体层在单晶硅基板上外延生长而成的，将相当于GaN的带隙能量的波长即365nm的±10％以内的波长的激光照射至所述缺陷部分，从而对所述GaN层的表面及所述单晶硅基板表面同时进行标记。由此，提供一种激光标记方法，该方法在对氮化物半导体基板中的缺陷部分进行激光标记时，能够对GaN层表面及单晶硅基板表面同时进行标记，其中，上述氮化物半导体基板是使至少包含GaN层的氮化物半导体层在单晶硅基板上外延生长而成的。
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公开(公告)号：CN114207825A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202080055655.2
申请日：2020-07-02
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种电子器件用基板，其是在单晶硅的接合基板上形成有氮化物半导体膜的基板，所述接合基板是至少在由单晶硅构成的基底晶片上接合了由单晶硅构成的接合晶片的基板，所述基底晶片由电阻率为0.1Ωcm以下、结晶取向为 的CZ硅构成，所述接合晶片的结晶取向为 。由此，提供抑制了电子器件用基板的翘曲的基板。
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公开(公告)号：CN113994032A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202080044129.6
申请日：2020-04-30
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种电子器件用基板，其是在单晶硅的接合基板上形成了氮化物半导体膜的基板，其特征在于，所述接合基板是接合了多个单晶硅基板而成的基板，厚度大于2000μm，所述多个单晶硅基板是通过CZ法制造的基板，电阻率为0.1Ωcm以下。由此，提供一种在将氮化物半导体膜形成在硅基板上的电子器件用基板中抑制了翘曲并且能够用于高耐压产品的电子器件用基板及其制造方法。
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