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公开(公告)号：CN116507761A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202180079826.X
申请日：2021-10-11
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B15/26
Abstract: 本发明是一种隔热部件下端面与原料熔液面之间的距离的测量方法，当利用切克劳斯基法一边对坩埚内的原料熔液施加磁场一边提拉单晶硅时，设置位于原料熔液面上方的隔热部件，并测量隔热部件下端面与原料熔液面之间的距离，其特征在于，在所述隔热部件下端面形成贯通孔，当实测所述隔热部件下端面与所述原料熔液面之间的距离并用定点观测机观测了所述贯通孔的反射到所述原料熔液面的镜像的位置后，在所述单晶硅提拉过程中，用所述定点观测机测量所述镜像的移动距离，并根据实测值与所述镜像的移动距离来计算隔热部件下端面与原料熔液面之间的距离。由此，能够提供一种可以高精度地测量隔热部件下端面与原料熔液面之间的距离的测量方法。
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公开(公告)号：CN108138353A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680060808.6
申请日：2016-09-26
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 北川胜之
Abstract: 本发明是一种单晶的制造方法，其在填充工序后，进行坩埚位置设定工序以及熔化工序，所述坩埚位置设定工序包含：将锥形阀的下端配置在比吹扫管的下端更靠下方的位置的步骤；一边测量锥形阀的重量的变化，一边使锥形阀和坩埚以相对接近的方式移动的步骤；根据锥形阀的重量的变化率，检测锥形阀的下端与原料的上端的接触的步骤；根据检测到接触的锥形阀的下端的位置，测量原料的上端的位置的步骤；以及设定坩埚的位置，以使吹扫管的下端与填充在坩埚内的原料的上端的间隔为规定的距离的步骤，所述熔化工序包含坩埚位置调整步骤，在所述坩埚位置调整步骤中，配合原料的熔化的进行，调整坩埚的位置，以使吹扫管的下端与原料的上端的间隔维持在规定的距离。由此，能够将吹扫管的下端与填充在坩埚内的原料的上端的间隔控制为规定的距离。
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公开(公告)号：CN116888309A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202280014498.X
申请日：2022-01-26
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 北川胜之
IPC: C30B29/06
Abstract: 本发明为一种原料熔液的表面状态的检测方法，其在利用CZ法从坩埚内的原料熔液提拉单晶的单晶制造过程中，检测坩埚内的原料熔液的表面状态，其中，使用两台CCD照相机从不同方向同时拍摄坩埚内的原料熔液表面的任意相同检查区域，而获得检查区域的测量图像，使用两台CCD照相机的测量图像的视差数据，自动地检测从原料完全熔融的状态成为在原料熔液的表面形成有固化的状态的固化时机、及从在原料熔液的表面形成有固化的状态成为完全熔融的状态的熔融完毕时机中的一个以上。由此，提供原料熔液的表面状态的检测方法、单晶的制造方法及CZ单晶制造装置，其在利用CZ法进行单晶制造时，能够高精确度地检测原料熔液的固化及熔融完毕的时机，并能够减轻作业员负担。
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公开(公告)号：CN108138353B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201680060808.6
申请日：2016-09-26
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 北川胜之
Abstract: 本发明是一种单晶的制造方法，其在填充工序后，进行坩埚位置设定工序以及熔化工序，所述坩埚位置设定工序包含：将锥形阀的下端配置在比吹扫管的下端更靠下方的位置的步骤；一边测量锥形阀的重量的变化，一边使锥形阀和坩埚以相对接近的方式移动的步骤；根据锥形阀的重量的变化率，检测锥形阀的下端与原料的上端的接触的步骤；根据检测到接触的锥形阀的下端的位置，测量原料的上端的位置的步骤；以及设定坩埚的位置，以使吹扫管的下端与填充在坩埚内的原料的上端的间隔为规定的距离的步骤，所述熔化工序包含坩埚位置调整步骤，在所述坩埚位置调整步骤中，配合原料的熔化的进行，调整坩埚的位置，以使吹扫管的下端与原料的上端的间隔维持在规定的距离。由此，能够将吹扫管的下端与填充在坩埚内的原料的上端的间隔控制为规定的距离。
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公开(公告)号：CN104641024B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380048354.7
申请日：2013-10-28
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: C30B15/02 , C30B29/06 , Y10T117/1056
Abstract: 本发明涉及一种原料填充方法，在具有圆筒部件及锥形阀的再装填管中收容原料，其中，所述圆筒部件为石英制并收容原料，所述锥形阀用于开闭该圆筒部件下端的开口部，在将该收容有原料的再装填管安置在腔室内，使锥形阀下降，打开圆筒部件下端的开口部，由此向石英坩埚内投入收容在再装填管内的原料，其特征在于，配置再装填管及石英坩埚，使开始投入原料时所述再装填管的下端与石英坩埚内的原料或者熔液的距离为200mm以上250mm以下，之后，以石英坩埚的下降速度(CL)与再装填管的锥形阀的下降速度(SL)之比(CL/SL)为1.3以上1.45以下的方式，一边使石英坩埚和再装填管的锥形阀同时下降，一边投入原料。由此，能够抑制石英坩埚或再装填管的破损。
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公开(公告)号：CN104641024A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201380048354.7
申请日：2013-10-28
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: C30B15/02 , C30B29/06 , Y10T117/1056
Abstract: 本发明涉及一种原料填充方法，在具有圆筒部件及锥形阀的再装填管中收容原料，其中，所述圆筒部件为石英制并收容原料，所述锥形阀用于开闭该圆筒部件下端的开口部，在将该收容有原料的再装填管安置在腔室内，使锥形阀下降，打开圆筒部件下端的开口部，由此向石英坩埚内投入收容在再装填管内的原料，其特征在于，配置再装填管及石英坩埚，使开始投入原料时所述再装填管的下端与石英坩埚内的原料或者熔液的距离为200mm以上250mm以下，之后，以石英坩埚的下降速度(CL)与再装填管的锥形阀的下降速度(SL)之比(CL/SL)为1.3以上1.45以下的方式，一边使石英坩埚和再装填管的锥形阀同时下降，一边投入原料。由此，能够抑制石英坩埚或再装填管的破损。
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