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公开(公告)号：CN118259547A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311792811.5
申请日：2023-12-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题提供于使用高能射线的光学光刻中，感度及分辨度优良的非化学增幅抗蚀剂组成物，及使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段是一种抗蚀剂组成物，包含下式(1)表示的超价碘化合物、含羧基的聚合物及溶剂，#imgabs0#式中，n是0～5的整数，R1及R2各自独立地为卤素原子、或也可含有杂原子的碳数1～10的烃基，又，R1及R2亦可互相键结并和它们所键结的碳原子及该碳原子间的原子一起形成环，R3是卤素原子、或也可含有杂原子的碳数1～40的烃基。
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公开(公告)号：CN116165845A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211476999.8
申请日：2022-11-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及正型抗蚀剂材料及图案形成方法。本发明的课题是提供酸的扩散受到控制，具有优于已知的正型抗蚀剂材料的分辨率，边缘粗糙度、尺寸偏差小，且曝光后的图案形状良好的正型抗蚀剂材料及图案形成方法。该课题的解决手段为一种正型抗蚀剂材料，含有末端被连接于硫醚基的含碘原子的酸的铵盐封端而成的基础聚合物。
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公开(公告)号：CN118795733A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410434699.6
申请日：2024-04-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及分子抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在使用高能射线的光学光刻中感度、分辨性及LWR优异的分子抗蚀剂组成物、以及使用该分子抗蚀剂组成物的图案形成方法。本发明的解决手段为一种负型分子抗蚀剂组成物，含有：包含具有环状醚部位的阳离子的鎓盐、及有机溶剂，且不含有基础聚合物。
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公开(公告)号：CN117700444A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311168766.6
申请日：2023-09-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用化合物和组成物、图案形成方法及半导体光致抗蚀剂材料。本发明提供对比于已知的抗蚀剂下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性，而且兼顾高程度的填埋/平坦化特性的含金属的膜形成用化合物、使用了该化合物的含金属的膜形成用组成物、将该组成物使用于抗蚀剂下层膜材料的图案形成方法、将前述组成物使用于抗蚀剂材料的图案形成方法、使用了前述组成物的半导体光致抗蚀剂材料。一种含金属的膜形成用化合物，是半导体制造中使用的含金属的膜形成用组成物使用的含金属的膜形成用化合物，其特征为前述含金属的膜形成用化合物以下列通式(M‑1)或(M‑2)表示。[化1]#imgabs0#
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公开(公告)号：CN116068854A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211358180.1
申请日：2022-11-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及分子抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题是提供在使用高能射线的光学光刻中，感度、解析性及LWR优良的分子抗蚀剂组成物、以及使用该分子抗蚀剂组成物的图案形成方法。解决手段是一种分子抗蚀剂组成物，含有下式(1)或(2)表示的锍盐及有机溶剂，且不含有基础聚合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118938599A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410567595.2
申请日：2024-05-09
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题是提供使用高能射线的光学光刻中，感度、分辨度及LWR优良的抗蚀剂组成物，以及使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。本发明的解决手段是一种抗蚀剂组成物，包含下式(1)表示的锡化合物及有机溶剂，#imgabs0#式中，R1A～R10A及R1B～R10B各自独立地为碳数1～20的烃基，R11～R14各自独立地为氢原子或碳数1～20的烃基，La1及La2各自独立地为连接基团。
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公开(公告)号：CN116136647A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202211439146.7
申请日：2022-11-17
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/039
Abstract: 本发明涉及正型抗蚀剂材料及图案形成方法。本发明的课题是提供酸的扩散受到控制，具有优于已知的正型抗蚀剂材料的分辨率，边缘粗糙度、尺寸偏差小，且曝光后的图案形状良好的正型抗蚀剂材料及图案形成方法。该课题的解决手段为一种正型抗蚀剂材料，含有末端被含连接于硫醚基的羧酸阴离子的锍盐封端而成的基础聚合物。
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公开(公告)号：CN118620392A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410255911.2
申请日：2024-03-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物、及图案形成方法。本发明的课题为提供含有使上层抗蚀剂的感度、LWR、分辨度改善，对图案崩塌防止有贡献的热硬化性含硅材料的抗蚀剂下层膜形成用组成物以及使用该抗蚀剂下层膜形成用组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物，含有为聚硅氧烷树脂的缩合反应型热硬化性含硅的材料(Sx)，其特征为：该材料具有会和自由基化学物种进行反应的非缩合反应性有机基团，该树脂中含有超过0且为70mol％以下的下述通式(Sx‑4)表示的重复单元或通式(Sx‑5)表示的重复单元中任一者以上，且该有机基团在聚硅氧烷树脂的热硬化反应后仍为未反应的状态而残留。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN116165846A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211477157.4
申请日：2022-11-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及正型抗蚀剂材料及图案形成方法。本发明的课题是提供酸的扩散受到控制，具有优于已知的正型抗蚀剂材料的分辨率，边缘粗糙度、尺寸偏差小，且曝光后的图案形状良好的正型抗蚀剂材料及图案形成方法。该课题的解决手段为一种正型抗蚀剂材料，含有末端被由连接于硫醚基的铵阳离子及含氟原子的阴离子构成的盐封端而成的基础聚合物。
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