公开(公告)号：CN102498065B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201080040883.9

申请日：2010-07-09

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 祢津茂义 ,  小黑晓二 ,  清水孝明 ,  黑泽靖志 ,  久米史高

IPC: C01B33/035

CPC classification number: C01B33/035 ,  C22C1/02 ,  Y02P20/124

Abstract: 本发明提供用于在得到高纯度的多晶硅的同时、将通过制造多晶硅而产生的热量在价值高的状态下进行回收的技术。反应炉(10)的内壁(11)具有两层结构，在与腐蚀性的工艺气体接触的炉内侧设置有由耐腐蚀性高的合金材料构成的耐腐蚀层(11a)，在炉外侧(外壁侧)设置有用于使反应炉(10)内的热量高效地从内壁面向冷却介质流路(13)传导的导热层(11b)。另外，冷却介质流路具备可使标准沸点以上的热水循环的耐压性。耐腐蚀层(11a)由合金材料构成，所述合金材料具有如下组成：在将铬(Cr)、镍(Ni)及硅(Si)的质量百分含量分别设定为[Cr]、[Ni]及[Si]时，由R＝[Cr]+[Ni]-1.5[Si]定义的R值为40％以上。在将反应炉内壁的炉内侧表面温度控制在370℃以下的状态下进行多晶硅的析出反应。

公开(公告)号：CN102498063B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201080040911.7

申请日：2010-07-20

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 祢津茂义 ,  小黑晓二 ,  清水孝明 ,  黑泽靖志 ,  久米史高

IPC: C01B33/02

CPC classification number: H01L21/02595 ,  B01J19/02 ,  B01J2219/0236 ,  C01B33/035 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/463 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02636 ,  Y02P20/124 ,  Y02P20/129

Abstract: 本发明提供从反应炉的冷却中使用的冷却介质中高效地回收热量、并且能够减少使多晶硅在反应炉内析出时由反应炉内壁混入的掺杂剂杂质而制造高纯度的多晶硅的技术。使用温度高于标准沸点的热水(15)作为供给到反应炉(10)中的冷却介质，使反应器内壁温度保持在370℃以下，并且，利用设置在冷却介质罐(20)中的压力控制部使回收的热水(15)减压而产生蒸汽，将其一部分以蒸汽的形式取出到外部，作为其他用途的加热源进行再利用。另外，作为设置在反应炉(10)的内壁的炉内侧的耐腐蚀层(11a)的材料，使用具有由R＝[Cr]+[Ni]-1.5[Si]定义的R值为40％以上的组成的合金材料。

公开(公告)号：CN102498063A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201080040911.7

申请日：2010-07-20

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 祢津茂义 ,  小黑晓二 ,  清水孝明 ,  黑泽靖志 ,  久米史高

IPC: C01B33/02

CPC classification number: H01L21/02595 ,  B01J19/02 ,  B01J2219/0236 ,  C01B33/035 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/463 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02636 ,  Y02P20/124 ,  Y02P20/129

Abstract: 本发明提供从反应炉的冷却中使用的冷却介质中高效地回收热量、并且能够减少使多晶硅在反应炉内析出时由反应炉内壁混入的掺杂剂杂质而制造高纯度的多晶硅的技术。使用温度高于标准沸点的热水(15)作为供给到反应炉(10)中的冷却介质，使反应器内壁温度保持在370℃以下，并且，利用设置在冷却介质罐(20)中的压力控制部使回收的热水(15)减压而产生蒸汽，将其一部分以蒸汽的形式取出到外部，作为其他用途的加热源进行再利用。另外，作为设置在反应炉(10)的内壁的炉内侧的耐腐蚀层(11a)的材料，使用具有由R＝[Cr]+[Ni]-1.5[Si]定义的R值为40％以上的组成的合金材料。

公开(公告)号：CN102471076A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080035441.5

申请日：2010-07-07

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 永井直树 ,  清水孝明 ,  上原克浩 ,  久保田透

IPC: C01B33/107

CPC classification number: C01B33/10778

Abstract: 本发明提供了一种从含有硼杂质和磷杂质的氯硅烷类获得高纯度氯硅烷类的方法。基于如下发现，所公开的方法将具有掩蔽效果的路易斯碱添加至氯硅烷类中：通过添加芳香族醛而提纯氯硅烷类时固体副产物形成的原因是由铁离子或锈状铁造成的催化反应。路易斯碱的实例包括含硫化合物和烷氧基硅烷。含硫化合物优选为由式R-S-R′(其中R是包含脂肪族或芳香族骨架的碳原子数为1至20的烃基；R′是包含脂肪族或芳香族骨架的碳原子数为1至20的烃基，或者由包含脂肪族或芳香族骨架的碳原子数为1至20的烃基取代的羰基；且R和R′中的碳原子的总数为7以上)表示的化合物，且烷氧基硅烷优选为由式RxSi(OR′)4-x(其中R和R′各自表示碳原子数为1至20的烷基，且x是0、1、2或3)表示的化合物。

公开(公告)号：CN102471076B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201080035441.5

申请日：2010-07-07

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 永井直树 ,  清水孝明 ,  上原克浩 ,  久保田透

IPC: C01B33/107

CPC classification number: C01B33/10778

Abstract: 本发明提供了一种从含有硼杂质和磷杂质的氯硅烷类获得高纯度氯硅烷类的方法。基于如下发现，所公开的方法将具有掩蔽效果的路易斯碱添加至氯硅烷类中：通过添加芳香族醛而提纯氯硅烷类时固体副产物形成的原因是由铁离子或锈状铁造成的催化反应。路易斯碱的实例包括含硫化合物和烷氧基硅烷。含硫化合物优选为由式R-S-R′(其中R是包含脂肪族或芳香族骨架的碳原子数为1至20的烃基；R′是包含脂肪族或芳香族骨架的碳原子数为1至20的烃基，或者由包含脂肪族或芳香族骨架的碳原子数为1至20的烃基取代的羰基；且R和R′中的碳原子的总数为7以上)表示的化合物，且烷氧基硅烷优选为由式RxSi(OR′)4-x(其中R和R′各自表示碳原子数为1至20的烷基，且x是0、1、2或3)表示的化合物。

公开(公告)号：CN102498065A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201080040883.9

申请日：2010-07-09

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 祢津茂义 ,  小黑晓二 ,  清水孝明 ,  黑泽靖志 ,  久米史高

IPC: C01B33/035

CPC classification number: C01B33/035 ,  C22C1/02 ,  Y02P20/124

Abstract: 本发明提供用于在得到高纯度的多晶硅的同时、将通过制造多晶硅而产生的热量在价值高的状态下进行回收的技术。反应炉(10)的内壁(11)具有两层结构，在与腐蚀性的工艺气体接触的炉内侧设置有由耐腐蚀性高的合金材料构成的耐腐蚀层(11a)，在炉外侧(外壁侧)设置有用于使反应炉(10)内的热量高效地从内壁面向冷却介质流路(13)传导的导热层(11b)。另外，冷却介质流路具备可使标准沸点以上的热水循环的耐压性。耐腐蚀层(11a)由合金材料构成，所述合金材料具有如下组成：在将铬(Cr)、镍(Ni)及硅(Si)的质量百分含量分别设定为[Cr]、[Ni]及[Si]时，由R＝[Cr]+[Ni]-1.5[Si]定义的R值为40％以上。在将反应炉内壁的炉内侧表面温度控制在370℃以下的状态下进行多晶硅的析出反应。