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公开(公告)号：CN100413898C
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200510126905.4
申请日：2002-12-12
Applicant: 住友电木株式会社
IPC: C08F232/08 , C08F8/08 , G03F7/00
CPC classification number: C08G61/06 , G03F7/0046 , G03F7/0395 , G03F7/0397
Abstract: 本发明涉及多环聚合物，多环聚合物的生产方法，以及其在制造集成电路中用作光刻胶的使用方法。在一实施方案中，本发明涉及由至少一种卤化多环单体或氢卤化多环单体形成的光刻胶组合物。在另一实施方案中，本发明涉及由至少一种卤化多环单体或氢卤化多环单体与至少一种非-卤化多环单体的共聚合而形成的光刻胶组合物。另外，本发明还涉及借此对所述光刻胶组合物进行后-处理以便获得下列之一或更多的方法：(1)降低聚合物组合物的光密度；和(2)降低聚合物组合物中剩余金属和/或单体的含量。此外，本发明还披露了用来生产本发明光刻胶组合物的催化剂体系，所述催化剂体系能够控制光刻胶产物的分子量。
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公开(公告)号：CN1315906C
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN99804515.2
申请日：1999-02-19
CPC classification number: G03F7/039 , C08G61/02 , C08G61/08 , G03F7/0045 , G03F7/0395 , G03F7/0397
Abstract: 本发明涉及环状聚合物和其在照相平版印刷应用中的用途。这些环状聚合物含有酸不稳定官能侧基和含保护的羟基部分的官能基团。这些聚合物通过使羟基侧基部分脱保护并使该含脱保护羟基的部分与共反应剂反应而进行后改性。发现这些后-官能化的聚合物可用于化学放大光刻胶组合物中。
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公开(公告)号：CN1251021C
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN98808966.1
申请日：1998-09-03
IPC: G03F7/039
CPC classification number: G03F7/039 , G03F7/0045
Abstract: 本发明涉及一种辐射敏感的光刻胶组合物，包括光致酸引发剂和多环聚合物，该聚合物包括含酸不稳定侧基的重复单元。通过图像辐射源曝光，光致酸引发剂产生使酸不稳定侧基分裂的酸，使聚合物中的极性改变。在按图像光源曝光的区域使聚合物具有碱水溶液可溶性。
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公开(公告)号：CN103370347B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201180056522.8
申请日：2011-11-23
Applicant: 普罗米鲁斯有限责任公司 , 住友电木株式会社
IPC: C08F222/06 , C08F220/52 , C08F210/14 , G03F7/038
CPC classification number: G03F7/0382 , C08F222/06 , C08F232/08 , G03F7/0233 , G03F7/0395
Abstract: 聚合物和包含此种聚合物的形成可自成像膜的组合物，此种聚合物包含具有至少一个酚类官能团的降冰片烯型重复单元和马来酸酐型重复单元，其可以配制为正色调成像或负色调成像。据此形成的膜可用作微电子器件，例如半导体，和光电子器件制造中的可自成像层。
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公开(公告)号：CN1789300A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510126905.4
申请日：2002-12-12
Applicant: 住友电木株式会社
IPC: C08F232/08 , C08F8/08 , G03F7/00
CPC classification number: C08G61/06 , G03F7/0046 , G03F7/0395 , G03F7/0397
Abstract: 本发明涉及多环聚合物，多环聚合物的生产方法，以及其在制造集成电路中用作光刻胶的使用方法。在一实施方案中，本发明涉及由至少一种卤化多环单体或氢卤化多环单体形成的光刻胶组合物。在另一实施方案中，本发明涉及由至少一种卤化多环单体或氢卤化多环单体与至少一种非－卤化多环单体的共聚合而形成的光刻胶组合物。另外，本发明还涉及借此对所述光刻胶组合物进行后－处理以便获得下列之一或更多的方法：(1)降低聚合物组合物的光密度；和(2)降低聚合物组合物中剩余金属和/或单体的含量。此外，本发明还披露了用来生产本发明光刻胶组合物的催化剂体系，所述催化剂体系能够控制光刻胶产物的分子量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1210318C
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN99103604.2
申请日：1994-11-15
Applicant: 住友电木株式会社
CPC classification number: C08F232/08 , C08F32/08
Abstract: 由降冰片烯官能单体得到的加成聚合物用由链转移剂产生的烯属部分端接。链转移剂选自在相邻碳原子之间有末端烯属双键的化合物(不包括苯乙烯、乙烯基醚和共轭二烯)以及至少一个所述的碳原子有两个氢原子连接在上面。本发明的加成聚合物由含VIII族金属离子源的单组分或多组分催化剂体系制备。催化剂体系的特征在于它们催化链转移剂只在聚合物链的末端的插入。
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公开(公告)号：CN1561355A
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN02819081.5
申请日：2002-12-12
Applicant: 住友电木株式会社
IPC: C08G61/00 , C08F232/08 , G03F7/004
CPC classification number: C08G61/06 , G03F7/0046 , G03F7/0395 , G03F7/0397
Abstract: 本发明涉及多环聚合物，多环聚合物的生产方法，以及其在制造集成电路中用作光刻胶的使用方法。在一实施方案中，本发明涉及由至少一种卤化多环单体或氢卤化多环单体形成的光刻胶组合物。在另一实施方案中，本发明涉及由至少一种卤化多环单体或氢卤化多环单体与至少一种非－卤化多环单体的共聚合而形成的光刻胶组合物。另外，本发明还涉及借此对所述光刻胶组合物进行后－处理以便获得下列之一或更多的方法：(1)降低聚合物组合物的光密度；和(2)降低聚合物组合物中剩余金属和/或单体的含量。此外，本发明还披露了用来生产本发明光刻胶组合物的催化剂体系，所述催化剂体系能够控制光刻胶产物的分子量。
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公开(公告)号：CN1208360C
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN99815696.5
申请日：1999-12-08
Applicant: 住友电木株式会社
IPC: C08F32/00
CPC classification number: C08F232/08 , C08F32/00 , C08F232/00
Abstract: 公开了用于多环烯烃的本体加成聚合的一种催化剂和方法，多环烯烃例如降冰片烯、甲基降冰片烯、乙基降冰片烯、丁基降冰片烯、或己基降冰片烯，1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氢-1，4∶5，8-二亚甲基萘、5，5’-(1，2-乙二基) 双二环[2.2.1]庚-2-烯、和1，4，4a，4b，5，8，8a，8b-八氢-1，4∶5，8-二亚甲基亚二苯基。该催化剂包括一种有机镍或有机钯过渡金属助催化剂和一种活化剂化合物。聚合可在反应注射成型过程中进行，得到具有高玻璃化转变温度的热塑性和热固性聚合物模塑制品。
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公开(公告)号：CN1554680A
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN200410049561.7
申请日：1999-12-08
Applicant: 住友电木株式会社
CPC classification number: C08F232/08 , C08F32/00 , C08F232/00
Abstract: 公开了用于多环烯烃的本体加成聚合的反应物组合物，多环烯烃例如降冰片烯、甲基降冰片烯、乙基降冰片烯、丁基降冰片烯、或己基降冰片烯，1，2，3，4，4a，5，8，8a－八氢－1，4：5，8－二亚甲基萘、5，5’－(1，2－乙二基)双二环[2.2.1]庚－2－烯、和1，4，4a，4b，5，8，8a，8b－八氢－1，4：5，8－二亚甲基亚二苯基。聚合可在反应注射成型过程中进行，得到具有高玻璃化转变温度的热塑性和热固性聚合物模塑制品。
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公开(公告)号：CN103370347A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201180056522.8
申请日：2011-11-23
Applicant: 普罗米鲁斯有限责任公司 , 住友电木株式会社
IPC: C08F222/06 , C08F220/52 , C08F210/14 , G03F7/038
CPC classification number: G03F7/0382 , C08F222/06 , C08F232/08 , G03F7/0233 , G03F7/0395
Abstract: 聚合物和包含此种聚合物的形成可自成像膜的组合物，此种聚合物包含具有至少一个酚类官能团的降冰片烯型重复单元和马来酸酐型重复单元，其可以配制为正色调成像或负色调成像。据此形成的膜可用作微电子器件，例如半导体，和光电子器件制造中的可自成像层。
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