公开(公告)号：CN114600260A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202080074319.2

申请日：2020-10-28

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 松本有平 ,  山元泉太郎 ,  冈本和弘 ,  大川佳英

IPC: H01L33/64 ,  H01S5/024 ,  H01L33/48

Abstract: 发光元件搭载用封装件具有基板和绝缘层，所述绝缘层设置在所述基板的第一面上，且具有在相对于该第一面垂直的方向上贯通的贯通孔，面向所述贯通孔的壁面具有在靠近于所述基板的一侧所述贯通孔的直径小且在远离该基板的一侧所述贯通孔的直径大的台阶部。

公开(公告)号：CN102272937B

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201080002210.4

申请日：2010-03-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 田中勇 ,  稻井诚一郎 ,  大川佳英 ,  西村太佑 ,  山元泉太郎

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032

CPC classification number: H01L31/0322 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种光电转换装置的制法，其包括：向含有包含I-B族元素、III-B族元素和硫属元素的单源前体的有机溶剂中，添加III-B族元素的硫属化物粉末，制作半导体形成用溶液的工序；使用所述半导体形成用溶液来形成含有I-III-VI族化合物的半导体的工序。

公开(公告)号：CN116568983A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202180083576.7

申请日：2021-12-10

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 大川佳英 ,  山元泉太郎

IPC: F28D15/02

Abstract: 天线装置具备天线部、第1基座构件、第2基座构件、支柱和第1固定构件。天线部、第1基座构件、第2基座构件以及支柱按该顺序排列。第1基座构件以及第2基座构件相互分离，经由第1固定构件而连结。

公开(公告)号：CN115461574A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202180030663.6

申请日：2021-04-23

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 松本有平 ,  山元泉太郎 ,  冈本和弘 ,  大川佳英

IPC: F21V19/00 ,  F21S41/19 ,  F21W102/00 ,  F21Y115/10

Abstract: 基板支承体(A1、B1、C1、D1)具有支承板(1)、包围构件(3)以及接合件(5)，包围构件(3)配置于支承板(1)，接合件(5)配置于包围构件(3)的内侧区域(3a)的整个面，并与支承板(1)接合。

公开(公告)号：CN102362339B

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201080012699.3

申请日：2010-07-27

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 稻井诚一郎 ,  大川佳英 ,  田中勇 ,  山田光一郎

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/032 ,  H01L27/142

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体的制造方法、光电转换装置的制造方法以及半导体形成用溶液。化合物半导体层的制造方法具备如下步骤：使包含I-B族元素及III-B族元素中至少一方的金属原料以金属状态溶解于包含含有硫属元素的有机化合物及路易斯碱性有机化合物的混合溶剂中以制作半导体形成用溶液的步骤；使用该半导体形成用溶液制作皮膜的步骤；以及对该皮膜进行热处理的步骤。

公开(公告)号：CN116670822A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202180087666.3

申请日：2021-12-10

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 大川佳英 ,  山元泉太郎

IPC: H01L23/34

Abstract: 天线装置具备第一基板以及天线部。第一基板具有沿厚度方向贯通的贯通孔。天线部具有：第二基板；以及元件部，其设置于第二基板上，并具备电路部。第二基板以在与第一基板之间具有间隙的方式位于贯通孔内。

公开(公告)号：CN116349417A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202180070234.1

申请日：2021-10-28

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 大川佳英 ,  山元泉太郎

IPC: H05K7/20

Abstract: 天线装置具备天线部、连接部和支柱。连接部将天线部和支柱连接。支柱位于天线部的上方，具有遍及位于与天线部对置的位置的流入口以及位于比流入口更远离天线部的位置的流出口的流路。

公开(公告)号：CN116134605A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202180060551.5

申请日：2021-07-21

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 冈本和弘 ,  山元泉太郎 ,  松本有平 ,  大川佳英

IPC: H01L23/12

Abstract: 布线基板具有金属基板、位于金属基板上的绝缘树脂层以及位于绝缘树脂层上的导体层。绝缘树脂层具备：位于金属基板的第一面；位于第一面的相反的位置的第二面；位于第一面及第二面之间的第三面；第一面与第三面相交的第一棱线部；以及第二面与第三面相交的第二棱线部。绝缘树脂层在比第二棱线部更靠第一棱线部的附近具有多个封闭气孔密集的第一封闭气孔群。

公开(公告)号：CN114223066A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202080057047.5

申请日：2020-08-26

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 大川佳英 ,  山元泉太郎 ,  冈本和弘 ,  松本有平 ,  西本和贵 ,  菅井广一朗

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/62

Abstract: 具有基板(1)、绝缘层(3)以及金属层(5)，绝缘层(3)具有在厚度方向上贯通的贯通孔(7)且设置于基板(1)上，金属层(5)配置在基板(1)上的至少贯通孔(7)内，且具有从基板(1)上沿着贯通孔(7)的内壁(9)延伸的突出部(11)。突出部(11)呈连结了金属粒子(13)的连结体的形状。绝缘层(3)的内壁(9)在接近基板(1)的一侧具有贯通孔(7)的宽度变宽的倾斜面(9a)，突出部(11)与倾斜面(9a)相接。

公开(公告)号：CN102362339A

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN201080012699.3

申请日：2010-07-27

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 稻井诚一郎 ,  大川佳英 ,  田中勇 ,  山田光一郎

IPC: H01L21/368 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体的制造方法、光电转换装置的制造方法以及半导体形成用溶液。化合物半导体层的制造方法具备如下步骤：使包含I-B族元素及III-B族元素中至少一方的金属原料以金属状态溶解于包含含有硫属元素的有机化合物及路易斯碱性有机化合物的混合溶剂中以制作半导体形成用溶液的步骤；使用该半导体形成用溶液制作皮膜的步骤；以及对该皮膜进行热处理的步骤。