公开(公告)号：CN113454802A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202080015782.X

申请日：2020-02-26

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 藤田浩平 ,  佐野浩孝

IPC: H01L51/44 ,  H01L51/46

Abstract: 太阳能电池元件具有第一电极、第二电极、光吸收层以及第一载流子传输部。光吸收层位于第一电极与第二电极之间。第一载流子传输部位于光吸收层与第一电极之间。第一载流子传输部具有处于在从光吸收层朝向第一电极的方向上层叠的状态的第一导电型的第一半导体层以及第一载流子导入层。第一载流子导入层与第一半导体层的第一电极侧的面接触。第一载流子导入层中的电离电势比第一半导体层中的电子亲和力小。

公开(公告)号：CN113454802B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202080015782.X

申请日：2020-02-26

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 藤田浩平 ,  佐野浩孝

IPC: H10K30/50 ,  H10K30/85 ,  H10K30/86 ,  H10K71/00

Abstract: 太阳能电池元件具有第一电极、第二电极、光吸收层以及第一载流子传输部。光吸收层位于第一电极与第二电极之间。第一载流子传输部位于光吸收层与第一电极之间。第一载流子传输部具有处于在从光吸收层朝向第一电极的方向上层叠的状态的第一导电型的第一半导体层以及第一载流子导入层。第一载流子导入层与第一半导体层的第一电极侧的面接触。第一载流子导入层中的电离电势比第一半导体层中的电子亲和力小。

公开(公告)号：CN119836860A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202380063621.1

申请日：2023-09-06

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 佐野浩孝

IPC: H10K30/50 ,  H10F77/20 ,  H10K30/40 ,  H10K30/81

Abstract: 太阳能电池元件具有太阳能电池部(103)、电极部(101)以及第一扩散降低部(102)。太阳能电池部(103)具有受光面(F1)。第一扩散降低部(102)位于太阳能电池部(103)与电极部(101)之间。第一扩散降低部(102)具有受光面(F1)侧的第一面(F3)以及电极部(101)侧的第二面(F4)。第一扩散降低部(102)避开在俯视受光面(F1)时不与电极部(101)重叠的区域的至少一部分而配置。

公开(公告)号：CN119213888A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202380041094.4

申请日：2023-05-02

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 佐野浩孝 ,  本城智郁

IPC: H10K39/12 ,  H10K30/40 ,  H10K30/88

Abstract: 本发明的太阳能电池模块(1)具有：复数个单元区域(2)，每一个单元区域(2)均包括太阳能电池元件；连接部。复数个单元区域(2)以沿第一方向平面排列的状态设置。太阳能电池元件基于入射光而发电。连接部呈将复数个单元区域(2)的太阳能电池元件串联地电连接的状态。太阳能电池元件包括第一电极层、第二电极层、位于第一电极层与所述第二电极层之间的半导体层(4b)。复数个单元区域(2)的至少一个包括物体部(5)。物体部(5)以俯视时与半导体层(4b)相邻的状态设置。物体部(5)具有带隙能量与半导体层(4b)不同的半导体或绝缘体。

公开(公告)号：CN119817199A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202380063624.5

申请日：2023-09-04

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 佐野浩孝 ,  藤田浩平 ,  佐藤谅 ,  根本弥生

IPC: H10K30/50 ,  H10K30/40 ,  H10K30/86

Abstract: 太阳能电池元件的一个方式，具有：第一电极部(106)；光电转换部(104)；以及第一载流子传输部(105)。第一载流子传输部(105)位于第一电极部(106)与光电转换部(104)之间。第一载流子传输部(105)具有：第一面(CF1)，该第一面(CF1)与光电转换部(104)接触；以及第二面(CF2)，该第二面(CF2)与第一电极部(106)接触。在第一载流子传输部(105)中，沿第一面(CF1)的第一界面区域(Ab1)中的最高占据分子轨道的能级即第一能级(EL1)比沿第二面(CF2)的第二界面区域(Ab2)中的最高占据分子轨道的能级即第二能级(EL2)小。

公开(公告)号：CN109997231A

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201780067492.8

申请日：2017-10-31

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 荒浪顺次 ,  宫道祐介 ,  佐野浩孝 ,  高桥卫乡 ,  小栗诚司

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/043 ,  H01L31/048

Abstract: 太阳能电池模块具备第1板部、第2板部、太阳能电池部以及多条布线件。第1板部具有以相互朝向相反方向的状态设置的第1面和第2面。第2板部具有以与第2面对置的状态设置的第3面和以朝向与该第3面相反方向的状态设置的第4面。太阳能电池部位于第1板部与第2板部的间隙。多条布线件以与太阳能电池部电连接的状态设置。第1板部以及第2板部当中至少一方具有对特定范围的波长的光的透光性。多条布线件的至少1条布线件，在俯视观察第2板部的情况下沿着在沿第2板部的一边的一部分以第1板部为基准缺失的缺口部设置成从间隙内到间隙外。

公开(公告)号：CN102859720A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180019969.8

申请日：2011-04-27

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 大前智史 ,  阿部真一 ,  福留正人 ,  大隈丈司 ,  白泽胜彦 ,  西村刚太 ,  丰田大介 ,  佐野浩孝 ,  黑须敬太

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/032

CPC classification number: H01L31/072 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 在缓冲层上进一步层叠窗层等情况下，耐湿性、耐等离子体性变差，因此在形成了窗层时，缓冲层及光吸收层容易受到损伤，从可靠性的观点考虑，变得不能满足转换效率。本发明提供一种光电转换元件，具有：设置于下部电极层上的、含有IB族元素、IIIB族元素及VIB族元素的光吸收层；设置于该光吸收层上的、含有IIIB族元素及VIB族元素的第一半导体层；设置于该第一半导体层上的、含有IIB族元素的氧化物的第二半导体层，所述光吸收层在所述第一半导体层侧具有含有IIB族元素的掺杂层区域。