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公开(公告)号：CN115902595A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310179200.7
申请日：2023-02-20
Applicant: 之江实验室
IPC: G01R31/28
Abstract: 本说明书公开了一种芯片测试系统以及芯片测试方法，在控制芯片和待测试芯片之间设有各选通开关，在各选通开关中预设有多个用于在待测试芯片中写入行数据、读取行数据、写入列数据、读取列数据的通道，控制芯片可以根据测试需求，从各选通开关中确定出各目标选通开关，并向各目标选通开关发送控制指令，以通过这些处于选通状态的选通通道完成测试操作，从而对待测试芯片的每个行线和每个列线的读取数据以及写入数据功能进行测试，进而可以降低测试成本，并且可以提高测试效率。
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公开(公告)号：CN119132363B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411066411.0
申请日：2024-08-05
Applicant: 之江实验室
IPC: G11C13/00
Abstract: 本说明书公开了一种基于忆阻器非线性权重映射的最短路径确定方法，在本说明书提供的基于忆阻器的最短路径确定方法中，根据待施加电压脉冲信号的输入电压，以及硬件电路中第二忆阻器的阈值转换电压、跨阻放大器的等效电阻的阻值、负载电阻的阻值、第二忆阻器的高电阻值，确定图数据中各条边的权重的映射值，并根据各映射值，设置突触阵列中各第一忆阻器的电导值。从而通过基于忆阻器的硬件电路，采用存内计算方式，实现图数据最短路径的计算，相比于软件实现的最短路径算法，加快了最短路径算法的计算效率。
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公开(公告)号：CN119107944B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411066409.3
申请日：2024-08-05
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本说明书公开了一种语音识别方法、装置、存储介质及电子设备。在本说明书提供的语音识别方法中，获取样本语音，以及所述样本语音对应的标注结果；将所述样本语音输入待训练的识别模型，得到所述识别模型输出的待优化识别结果，其中，所述识别模型至少包括阻变存储器特征学习层、全连接层、激活层、输出层；根据所述待优化识别结果与所述标注结果之间的差异，对所述识别模型进行训练；采用完成训练的所述识别模型识别目标语音。
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公开(公告)号：CN118647256B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411110209.3
申请日：2024-08-14
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种电流极性可调的铁酸铋光电器件及调控方法，该铁酸铋光电器件是通过改变入射激光的波长，调控铁酸铋薄膜样品的面外畴结构，调控光生载流子的分离和迁移特性，实现对铁酸铋光电器件光电流方向的调控。其方法引入了调控光电流极性新的物理手段，引入了调控光电流极性新的物理机制；且读取光电流的测试过程中，无需任何外加电压，实现了低功耗。
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公开(公告)号：CN119107944A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411066409.3
申请日：2024-08-05
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本说明书公开了一种语音识别方法、装置、存储介质及电子设备。在本说明书提供的语音识别方法中，获取样本语音，以及所述样本语音对应的标注结果；将所述样本语音输入待训练的识别模型，得到所述识别模型输出的待优化识别结果，其中，所述识别模型至少包括阻变存储器特征学习层、全连接层、激活层、输出层；根据所述待优化识别结果与所述标注结果之间的差异，对所述识别模型进行训练；采用完成训练的所述识别模型识别目标语音。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117038646B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311293178.5
申请日：2023-10-08
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/58 , H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本申请提供一种陶瓷封装结构及其设计方法。该陶瓷封装结构包括：陶瓷基板、芯片、键合丝、封装环框、盖板和金属凸点。其中，陶瓷基板设有键合键；键合键包括信号键合键和接地键合键；芯片容置于陶瓷基板一侧的中心区域，至少部分被键合键包围，芯片的四周间隔分布有接地键合键，芯片靠近键合键的区域设有引脚，引脚包括信号引脚和接地引脚；信号引脚的数量小于或等于信号键合键的数量，接地引脚的数量小于或等于接地键合键的数量；至少部分信号键合键通过键合丝与信号引脚连接，至少部分接地键合键通过键合丝与接地引脚连接。可实现满足芯片封装结构的信号质量以及生产周期的双向需求。
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公开(公告)号：CN115902595B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310179200.7
申请日：2023-02-20
Applicant: 之江实验室
IPC: G01R31/28
Abstract: 本说明书公开了一种芯片测试系统以及芯片测试方法，在控制芯片和待测试芯片之间设有各选通开关，在各选通开关中预设有多个用于在待测试芯片中写入行数据、读取行数据、写入列数据、读取列数据的通道，控制芯片可以根据测试需求，从各选通开关中确定出各目标选通开关，并向各目标选通开关发送控制指令，以通过这些处于选通状态的选通通道完成测试操作，从而对待测试芯片的每个行线和每个列线的读取数据以及写入数据功能进行测试，进而可以降低测试成本，并且可以提高测试效率。
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公开(公告)号：CN119132363A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411066411.0
申请日：2024-08-05
Applicant: 之江实验室
IPC: G11C13/00
Abstract: 本说明书公开了一种基于忆阻器非线性权重映射的最短路径确定方法，在本说明书提供的基于忆阻器的最短路径确定方法中，根据待施加电压脉冲信号的输入电压，以及硬件电路中第二忆阻器的阈值转换电压、跨阻放大器的等效电阻的阻值、负载电阻的阻值、第二忆阻器的高电阻值，确定图数据中各条边的权重的映射值，并根据各映射值，设置突触阵列中各第一忆阻器的电导值。从而通过基于忆阻器的硬件电路，采用存内计算方式，实现图数据最短路径的计算，相比于软件实现的最短路径算法，加快了最短路径算法的计算效率。
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公开(公告)号：CN118647256A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202411110209.3
申请日：2024-08-14
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种电流极性可调的铁酸铋光电器件及调控方法，该铁酸铋光电器件是通过改变入射激光的波长，调控铁酸铋薄膜样品的面外畴结构，调控光生载流子的分离和迁移特性，实现对铁酸铋光电器件光电流方向的调控。其方法引入了调控光电流极性新的物理手段，引入了调控光电流极性新的物理机制；且读取光电流的测试过程中，无需任何外加电压，实现了低功耗。
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公开(公告)号：CN117038646A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311293178.5
申请日：2023-10-08
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/58 , H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本申请提供一种陶瓷封装结构及其设计方法。该陶瓷封装结构包括：陶瓷基板、芯片、键合丝、封装环框、盖板和金属凸点。其中，陶瓷基板设有键合键；键合键包括信号键合键和接地键合键；芯片容置于陶瓷基板一侧的中心区域，至少部分被键合键包围，芯片的四周间隔分布有接地键合键，芯片靠近键合键的区域设有引脚，引脚包括信号引脚和接地引脚；信号引脚的数量小于或等于信号键合键的数量，接地引脚的数量小于或等于接地键合键的数量；至少部分信号键合键通过键合丝与信号引脚连接，至少部分接地键合键通过键合丝与接地引脚连接。可实现满足芯片封装结构的信号质量以及生产周期的双向需求。
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