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公开(公告)号：CN107533969A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680020330.4
申请日：2016-03-04
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065 , C09K13/08 , C07C17/383 , C07C21/18
Abstract: 本申请涉及一种干法蚀刻气体，其包含纯度为99.5质量％以上，且在气体中混入的Fe、Ni、Cr、Al以及Mo的各金属成分的浓度之和为500质量ppb以下的1,3,3,3‑四氟丙烯。对于该干法蚀刻气体，进一步优选氮含量为0.5体积％以下、水分含量为0.05质量％以下，在使用对干法蚀刻气体进行等离子体化而得到的等离子体气体的干法蚀刻中，能够提高硅系材料相对于掩模的蚀刻选择性。
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公开(公告)号：CN102317350B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201080008226.6
申请日：2010-02-18
CPC classification number: C08G69/28 , B01D61/025 , B01D61/027 , B01D67/0006 , B01D69/02 , B01D69/125 , B01D71/56 , B01D2323/40 , B01D2325/30 , C08G69/26 , C08G69/42 , Y02A20/131
Abstract: 聚合物膜包括载体上的活性层。活性层包括具有骨架的聚合物，和所述骨架附着至少一种氟代醇部分。
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公开(公告)号：CN107533969B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201680020330.4
申请日：2016-03-04
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065 , C09K13/08 , C07C17/383 , C07C21/18
Abstract: 本申请涉及一种干法蚀刻气体，其包含纯度为99.5质量％以上，且在气体中混入的Fe、Ni、Cr、Al以及Mo的各金属成分的浓度之和为500质量ppb以下的1,3,3,3‑四氟丙烯。对于该干法蚀刻气体，进一步优选氮含量为0.5体积％以下、水分含量为0.05质量％以下，在使用对干法蚀刻气体进行等离子体化而得到的等离子体气体的干法蚀刻中，能够提高硅系材料相对于掩模的蚀刻选择性。
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公开(公告)号：CN106994455B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201611200081.5
申请日：2016-12-22
Applicant: 中央硝子株式会社
Abstract: 本发明涉及七氟醚储藏容器的清洗方法和七氟醚的储藏方法，其课题在于，发现：可以有效地清洗使用过的“七氟醚储藏容器”且不以昂贵的七氟醚作为清洗液的手段。该课题通过采用如下清洗方法来解决，所述清洗方法包括如下工序：确保至少七氟醚的蒸气存在于七氟醚储藏容器内的状态的工序(第A工序)；之后，以七氟醚的蒸气存在于储藏容器内的状态，使“以水作为主要成分的液体”与前述七氟醚储藏容器的内壁接触，使该液体以液态排出至该储藏容器外的工序(第B工序)；和，实施第B工序后，使干燥气体在该储藏容器内流通，使残留于该储藏容器内壁的液体与该干燥气体一起排出至该储藏容器外的工序(第C工序)。
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公开(公告)号：CN108352314A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680065817.4
申请日：2016-10-26
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31133 , B08B3/08 , B08B3/10 , B81C1/00928 , B81C2201/117 , C11D7/02 , C11D7/261 , C11D7/5018 , C11D11/0047 , H01L21/02057 , H01L21/02101 , H01L21/6708
Abstract: 本发明的基板的处理方法的特征在于，其为将半导体基板的表面用水系清洗液清洗，将附着于基板表面的水系清洗液置换为超临界流体而干燥的方法，作为该流体，使用Fe、Ni、Cr、Al、Zn、Cu、Mg、Li、K、Na、Ca的各元素的含量分别为500质量ppb以下、且含有碳数为2～6的含氟醇的溶剂。该处理方法中，能使超临界流体中的氟原子的释放量降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102858822B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201180021541.7
申请日：2011-03-07
IPC: C08F283/00 , C08F283/02
CPC classification number: C08G64/1633 , C07D319/06 , C08G63/08 , C08G63/64 , C08G64/0233 , C08G64/0241 , C08G64/025 , C08G64/38 , C08G64/42 , C08G2261/126 , Y02P20/582
Abstract: 公开了一种制备包含活性的五氟苯基酯基侧基的环状羰基化合物的一锅法。环状羰基化合物可通过开环方法聚合以形成包含重复单元的ROP聚合物，所述重复单元包含侧链五氟苯基酯基。在开环聚合之前或之后，可使用合适的亲核体将五氟苯基酯基侧基选择性地转变为多种其他官能团。
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公开(公告)号：CN102770808A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201180010028.8
申请日：2011-02-03
CPC classification number: G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/325
Abstract: 提供在光刻技术中使用的含磺酰胺的光刻胶组合物，其具有高分辨率、低模糊成像的改良性能。还提供用于抗蚀应用的醇溶性光刻胶。本发明的含磺酰胺的光刻胶组合物包括正型光刻胶组合物，其包括如式(I)所示的具有支化连接基团的磺酰胺取代的重复单元。
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公开(公告)号：CN101687740A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880020858.7
申请日：2008-09-05
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: C07C29/147 , C07C31/34 , C07C303/00 , C07C309/08 , C07C309/10 , C07C309/12 , C07C381/12
CPC classification number: C07C309/17 , C07C29/147 , C07C67/08 , C07C67/14 , C07C303/32 , C07C309/08 , C07C309/12 , C07C313/04 , C07C381/12 , C07C2602/42 , C07C2603/74 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , C07C31/34 , C07C69/653 , C07C69/63 , C07C69/753
Abstract: 本发明提供2-溴-2，2-二氟乙醇的制造方法，其包括通过作为还原剂的酸根型的氢络合物将式[1]所示的溴二氟醋酸衍生物进行还原的工序。其中，所述式[1]中，A表示取代或者非取代的碳原子数1～20的直链状、支链状或环状的烷氧基、取代或者非取代的碳原子数6～15的芳氧基或碳原子数4～15的杂芳氧基、或卤素。通过以该2-溴-2，2-二氟乙醇作为原料，依次进行酯化工序、亚磺化工序、氧化工序，可以得到2-烷基羰氧基-1，1-二氟乙烷磺酸盐类。
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公开(公告)号：CN112921320A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110075293.X
申请日：2016-06-22
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: C23F1/10 , C23F1/02 , C23F1/44 , H01L21/306 , H01L21/311 , H01L21/3213
Abstract: 一种湿式蚀刻方法，其特征在于，其是使用蚀刻液对基板上的含金属膜进行蚀刻的湿式蚀刻方法，前述蚀刻液是三氟甲基与羰基键合而成的β‑二酮的有机溶剂溶液，前述含金属膜包含能够与前述β‑二酮形成络合物的金属元素，前述蚀刻液中所包含的水的量为1质量％以下。
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