公开(公告)号：CN113031392B

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202110304075.9

申请日：2021-03-22

Applicant: 中国科学院半导体研究所 ,  武汉大学

Inventor： 冯梦阳 ,  孟宪权 ,  金鹏 ,  周广迪 ,  霍晓迪 ,  徐鹏飞 ,  王占国

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  B29C43/58 ,  B29C43/02

Abstract: 本发明公开了一种应用于小尺寸样品光刻工艺的方法。该方法包括：将待光刻的小尺寸样品放置在冷压法所用设备的压片模具上；将压片用粉末材料填充到放置有小尺寸样品的压片模具中；对压片模具施加压力，将小尺寸样品嵌入到压制所述压片用粉末材料得到的压片中，以得到压片产品。利用本发明，解决了小尺寸样品在匀胶过程中的“边缘”效应问题，提高了样品的表面利用率；解决了在小尺寸样品光刻工艺中，匀胶机和光刻机的真空吸嘴尺寸与待光刻小尺寸样品尺寸不匹配的问题；并且该方法适用于形状规则和不规则的小尺寸样品。

公开(公告)号：CN113594230A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110860565.7

申请日：2021-07-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 徐鹏飞 ,  冯梦阳 ,  金鹏 ,  周广迪 ,  霍晓迪 ,  屈鹏霏 ,  王占国

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种垂直结构的金刚石深耗尽型场效应晶体管及制备方法，该垂直结构的金刚石深耗尽型场效应晶体管包括：本征金刚石衬底；P+型漏区，材料为P+型掺杂金刚石，形成于本征金刚石衬底上；P型漂移区，材料为P型掺杂金刚石，形成于P+型漏区上；漏电极，形成于P+型漏区上且位于P型漂移区两侧的位置；P型沟道区，材料为P型掺杂金刚石，形成于P型漂移区上；P+型源区，材料为P型掺杂金刚石，形成于P型沟道区上；源电极，形成于P+型源区上；栅介质，形成于P型漂移区、P型沟道区和P+型源区的外侧，并且与P型漂移区、P型沟道区和P+型源区相接触；以及栅电极，形成于栅介质上。

公开(公告)号：CN101882754A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN201010191207.3

申请日：2010-05-26

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 徐鹏飞 ,  杨涛

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/06

Abstract: 一种提高半导体激光器温度稳定性的腔面镀膜方法，包括如下步骤：步骤1：取一条解理后的半导体激光器芯片；步骤2：通过在所述半导体激光器芯片的后端面上交替沉积光学厚度为λ/4的高低折射率材料，在波长-反射率曲线上得到随波长红移反射率增加的薄膜系统，其中，λ为膜系的中心波长；步骤3：调整所述半导体激光器的腔面反射膜系的中心波长与所述半导体激光器的激射波长，使工作温度范围内激射波长落在反射率-波长曲线上升带宽内，由于半导体激光器的激射波长随温度升高发生红移，使得所述半导体激光器的反射率随温度上升而增大，导致腔面损耗随温度升高而降低，从而改进半导体激光器的温度特性。

公开(公告)号：CN113594230B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202110860565.7

申请日：2021-07-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 徐鹏飞 ,  冯梦阳 ,  金鹏 ,  周广迪 ,  霍晓迪 ,  屈鹏霏 ,  王占国

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种垂直结构的金刚石深耗尽型场效应晶体管及制备方法，该垂直结构的金刚石深耗尽型场效应晶体管包括：本征金刚石衬底；P+型漏区，材料为P+型掺杂金刚石，形成于本征金刚石衬底上；P型漂移区，材料为P型掺杂金刚石，形成于P+型漏区上；漏电极，形成于P+型漏区上且位于P型漂移区两侧的位置；P型沟道区，材料为P型掺杂金刚石，形成于P型漂移区上；P+型源区，材料为P型掺杂金刚石，形成于P型沟道区上；源电极，形成于P+型源区上；栅介质，形成于P型漂移区、P型沟道区和P+型源区的外侧，并且与P型漂移区、P型沟道区和P+型源区相接触；以及栅电极，形成于栅介质上。

公开(公告)号：CN113031392A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202110304075.9

申请日：2021-03-22

Applicant: 中国科学院半导体研究所 ,  武汉大学

Inventor： 冯梦阳 ,  孟宪权 ,  金鹏 ,  周广迪 ,  霍晓迪 ,  徐鹏飞 ,  王占国

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  B29C43/58 ,  B29C43/02

Abstract: 本发明公开了一种应用于小尺寸样品光刻工艺的方法。该方法包括：将待光刻的小尺寸样品放置在冷压法所用设备的压片模具上；将压片用粉末材料填充到放置有小尺寸样品的压片模具中；对压片模具施加压力，将小尺寸样品嵌入到压制所述压片用粉末材料得到的压片中，以得到压片产品。利用本发明，解决了小尺寸样品在匀胶过程中的“边缘”效应问题，提高了样品的表面利用率；解决了在小尺寸样品光刻工艺中，匀胶机和光刻机的真空吸嘴尺寸与待光刻小尺寸样品尺寸不匹配的问题；并且该方法适用于形状规则和不规则的小尺寸样品。