公开(公告)号：CN114676816B

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202210206304.8

申请日：2022-03-01

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 程传同 ,  张恒杰 ,  于璇 ,  陈弘达

IPC: G06N3/04 ,  G06N3/08 ,  H10F39/12

Abstract: 本发明公开了一种图像感知芯片，包括：衬底；光电探测器阵列，包括形成在衬底上的多个光电探测器；其中，通过调节多个光电探测器的光响应度，以使多个光电探测器识别待识别图像时叠加输出相应的光电流。通过调节光电探测器阵列中的每个光电探测器的光响应度，使得多个光电探测器识别不同的待识别图像时叠加输出不同的光电流，通过检测光电探测器阵列叠加输出的光电流就可以识别待识别图像的形状。

公开(公告)号：CN115274889A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210694742.3

申请日：2022-06-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 程传同 ,  刘玲玲 ,  张恒杰 ,  陈润 ,  于璇 ,  黄北举 ,  陈弘达

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/028 ,  H01L31/08 ,  H01L31/18

Abstract: 本公开提供一种石墨烯器件及其制备方法、光电探测器，制备方法包括：对衬底进行光刻，形成器件图案，其中，器件图案包括第一部分图案和第二部分图案，第一部分图案与第二部分图案之间的连接处为尖端形状；在器件图案上制备金属催化层，其中，金属催化层的形状与器件图案的形状相同；在预设温度条件下，在金属催化层表面生长石墨烯并使金属催化层的尖端处熔断，得到石墨烯器件。该制备方法通过一步法同时获得石墨烯和电极，进而得到光电性能优良的石墨烯器件，无需石墨烯的转移过程，解决了石墨烯转移过程损伤石墨烯，导致石墨烯光电探测器的性能差的技术问题。

公开(公告)号：CN114676816A

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202210206304.8

申请日：2022-03-01

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 程传同 ,  张恒杰 ,  于璇 ,  陈弘达

IPC: G06N3/04 ,  G06N3/08 ,  H01L27/144

Abstract: 本发明公开了一种图像感知芯片，包括：衬底；光电探测器阵列，包括形成在衬底上的多个光电探测器；其中，通过调节多个光电探测器的光响应度，以使多个光电探测器识别待识别图像时叠加输出相应的光电流。通过调节光电探测器阵列中的每个光电探测器的光响应度，使得多个光电探测器识别不同的待识别图像时叠加输出不同的光电流，通过检测光电探测器阵列叠加输出的光电流就可以识别待识别图像的形状。

公开(公告)号：CN115274889B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202210694742.3

申请日：2022-06-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 程传同 ,  刘玲玲 ,  张恒杰 ,  陈润 ,  于璇 ,  黄北举 ,  陈弘达

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/028 ,  H01L31/08 ,  H01L31/18

Abstract: 本公开提供一种石墨烯器件及其制备方法、光电探测器，制备方法包括：对衬底进行光刻，形成器件图案，其中，器件图案包括第一部分图案和第二部分图案，第一部分图案与第二部分图案之间的连接处为尖端形状；在器件图案上制备金属催化层，其中，金属催化层的形状与器件图案的形状相同；在预设温度条件下，在金属催化层表面生长石墨烯并使金属催化层的尖端处熔断，得到石墨烯器件。该制备方法通过一步法同时获得石墨烯和电极，进而得到光电性能优良的石墨烯器件，无需石墨烯的转移过程，解决了石墨烯转移过程损伤石墨烯，导致石墨烯光电探测器的性能差的技术问题。