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公开(公告)号：CN105353326A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510697466.6
申请日：2015-10-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/032
CPC classification number: G01R33/032 , G01R33/0052
Abstract: 本发明提供一种基于扭转闪耀光栅检测的磁场传感器及其制备方法，包括：1）提供半导体基底，在半导体基底表面形成第一凹槽；2）在第一凹槽内形成磁性薄膜结构；3）提供键合基底，将半导体基底与键合基底键合；4）在键合后的半导体基底表面形成闪耀光栅结构；5）对半导体基底进行刻蚀以形成扭转闪耀光栅结构；6）对磁性薄膜结构进行磁化处理。本发明直接在传感器芯片制造阶段将闪耀光栅结构和磁性薄膜结构集成在单一芯片上，大大简化了磁场传感器的制作工艺流程；该磁场传感器可以工作在水下、地底、无线传感网节点等电源受限或存在强电磁干扰等场合，具有小型化、高灵敏度、低成本、可批量化制作、使用范围广泛。
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公开(公告)号：CN102759637B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201110106037.9
申请日：2011-04-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/125 , G01P15/18 , B81B3/00 , B81C1/00
Abstract: 本发明提供了一种MEMS三轴加速度传感器及其制造方法。根据本发明的MEMS三轴加速度传感器包括支撑框体、弹性梁、敏感质量块、下支撑体、栅型敏感电容和引线电极；其中，敏感质量块通过弹性梁悬于支撑框体之间，支撑框体通过键合与下支撑体连接，敏感质量块与下支撑体之间有间隙，敏感质量块上制作了栅型电容的上电极，下支撑体的内表面上制作栅型电容的下电极组，上电极与下电极组错位排列构成一组栅型电容，该组栅型电容从引线电极输出;其中，该组栅型电容包括第一电容、第二电容、第三电容和第四电容，第一电容与第二电容、第三电容与第四电容分别构成差分检测电容，所述MEMS三轴加速度传感器通过电容的运算实现三轴加速度量的同时检测。
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公开(公告)号：CN104501729A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410728295.4
申请日：2014-12-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Inventor： 钟少龙
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS工艺的光纤F-P应变计及成型方法，属于高精度光纤传感测量领域。所述光纤F-P应变计主要包括F-P应变敏感MEMS芯片和准直扩束光纤；其中，F-P应变敏感MEMS芯片由SOI应变梁、玻璃固定极和硅套管组成；SOI应变梁包括顶层硅、中间氧化层和底层硅；SOI应变梁通过硅-玻璃阳极键合固定在玻璃固定极上，玻璃固定极通过硅-玻璃阳极键合固定在硅套管上，准直扩束光纤通过焊料固定在硅套管上；所述F-P压力敏感MEMS芯片基于MEMS微加工技术制备，可以实现器件的微型化、批量化制作；应变计具有高精细度的F-P干涉谱、可以采用波长信号解调获得高灵敏度和高测量精度而且可以通过波分复用和时分复用实现多只应变计在单芯光纤上的串接。
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公开(公告)号：CN105353326B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201510697466.6
申请日：2015-10-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明提供一种基于扭转闪耀光栅检测的磁场传感器及其制备方法，包括：1）提供半导体基底，在半导体基底表面形成第一凹槽；2）在第一凹槽内形成磁性薄膜结构；3）提供键合基底，将半导体基底与键合基底键合；4）在键合后的半导体基底表面形成闪耀光栅结构；5）对半导体基底进行刻蚀以形成扭转闪耀光栅结构；6）对磁性薄膜结构进行磁化处理。本发明直接在传感器芯片制造阶段将闪耀光栅结构和磁性薄膜结构集成在单一芯片上，大大简化了磁场传感器的制作工艺流程；该磁场传感器可以工作在水下、地底、无线传感网节点等电源受限或存在强电磁干扰等场合，具有小型化、高灵敏度、低成本、可批量化制作、使用范围广泛。
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公开(公告)号：CN102225739A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201110095547.0
申请日：2011-04-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于MEMS技术的可调FP光学滤波器的制作方法，其特征在于：采用两次光刻制作出所有图形的刻蚀窗口；采用一次等离子体硅刻蚀完成中间FP空气腔体及可动硅反射镜面结构的制作；采用一次硅-硅键合、等离子体干法刻蚀、HF酸腐蚀二氧化硅层释放工艺制造硅膜可动反射镜；采用硬模板选择蒸镀的方法制作FP腔内两反射镜的高反膜及增透膜；采用一次硅-玻璃键合形成最终的FP腔滤波器。极大地简化了工艺流程，保证了FP腔镜面光洁度和平行度，提高了所制造的FP滤波器的光学技术指标和芯片成品率。与现有的同类产品制作工艺相比具有更好的工艺兼容性及可操作性，驱动电压更低，具有较好的光学调谐重复性和稳定性。可广泛应用于光通信WDM系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106772752B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201710040989.2
申请日：2017-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于MEMS波长可调谐FP光纤滤波器及其制备方法，包括：1）提供半导体基底，在半导体基底的第一表面形成第一凹槽及第二凹槽；2）提供键合基底，在键合基底的第一表面形成第三凹槽；3）将半导体基底与键合基底键合；4）在键合基底内形成光纤安装孔；5）在半导体基底的第二表面形成光学增透膜；6）刻蚀半导体基底，以形成贯穿半导体基底的通孔；7）在通孔底部的键合基底的第一表面形成第一电极，在半导体基底的第二表面形成第二电极；8）释放可动质量块结构；9）在中心质量块的下表面形成光学高反膜。通过预设光纤安装孔，在降低驱动电压的同时，极大地增加在静电驱动模式下FP光纤滤波器腔长变化与电源选择之间的灵活性。
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公开(公告)号：CN102798734A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201110137641.8
申请日：2011-05-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种MEMS三轴加速度计及其制造方法。MEMS三轴加速度计包括敏感器件层、上盖板层和下支撑体层；敏感器件层与上盖板层、下支撑体层之间有间隙；敏感器件层包括支撑框体、弹性梁、三个独立的敏感质量块、可动梳齿、固定梳齿以及电极，敏感器件层中的三个独立的敏感质量块分别实现X、Y、Z三轴加速度信号的检测；每个方向的加速度传感器由相应的一个敏感质量块通过仅对检测方向敏感的弹性梁悬挂于支撑框体之间，每个敏感质量块上利用体硅加工工艺制作了多对可动梳齿，支撑框体相应地制作多对固定梳齿，以构成一对差分电容作为敏感电容；不同方向的差分梳齿电容对该方向的加速度信号的响应产生差分电容变化。
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公开(公告)号：CN106443065B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201610513007.2
申请日：2016-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/03
Abstract: 本发明提供一种高精度波长形加速度传感器及其制备方法，包括：1）提供第一半导体基底，在第一半导体基底的表面形成第一凹槽；2）提供第二半导体基底，在第二半导体基底的表面形成闪耀光栅结构；3）将第一半导体基底与第二半导体基底键合以形成键合基底；4）提供第一盖板，将第一盖板与键合基底键合；5）依据第一凹槽及闪耀光栅结构对键合基底进行刻蚀，以形成弹性扭转梁及惯性质量块；6）提供第二盖板，在第二盖板表面形成第二凹槽；7）将第二盖板与步骤5）得到的结构进行键合。本发明将加速度敏感单元与检测单元集成批量化制造，具有体积小、结构简单、成本低、封装简单等特点。
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公开(公告)号：CN104596435A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410729338.0
申请日：2014-12-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Inventor： 钟少龙
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS工艺的腔长可调光纤F-P应变计，属于高精度光纤传感测量领域。所述光纤F-P应变计主要包括F-P应变敏感MEMS芯片和准直扩束光纤；其中，F-P应变敏感MEMS芯片F-P应变敏感MEMS芯片由SOI硅片和玻璃片组成，在SOI硅片的轴向设置有圆孔；SOI硅片通过硅-玻璃阳极键合固定在玻璃片上；准直扩束光纤通过焊料固定在SOI硅片上的圆孔中。所述F-P压力敏感MEMS芯片基于MEMS微加工技术制备，可以实现器件的微型化，并根据应变测量灵敏度、量程和波分组网等实际应用需要而灵活调整应变计F-P腔的初始腔长；应变计具有高精细度的F-P干涉谱、可以采用波长信号解调获得高灵敏度和高测量精度而且可以通过波分复用和时分复用实现多只应变计在单芯光纤上的串接。
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公开(公告)号：CN102759637A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201110106037.9
申请日：2011-04-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种MEMS三轴加速度传感器及其制造方法。根据本发明的MEMS三轴加速度传感器包括支撑框体、弹性梁、敏感质量块、下支撑体、栅型敏感电容和引线电极；其中，敏感质量块通过弹性梁悬于支撑框体之间，支撑框体通过键合与下支撑体连接，敏感质量块与下支撑体之间有间隙，敏感质量块上制作了栅型电容的上电极，下支撑体的内表面上制作栅型电容的下电极组，上电极与下电极组错位排列构成一组栅型电容，该组栅型电容从引线电极输出;其中，该组栅型电容包括第一电容、第二电容、第三电容和第四电容，第一电容与第二电容、第三电容与第四电容分别构成差分检测电容，所述MEMS三轴加速度传感器通过电容的运算实现三轴加速度量的同时检测。
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