公开(公告)号：CN104831235A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201510136878.2

申请日：2015-03-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宋志棠 ,  郑勇辉 ,  成岩 ,  刘卫丽 ,  宋三年 ,  朱敏

IPC: C23C14/14 ,  H01L45/00

Abstract: 本发明提供一种用于相变存储器的Zr-Sb-Te系列相变材料及其制备方法，所述Zr-Sb-Te系列相变材料的化学式为Zr100-x-ySbxTey，其中0＜100-x-y＜20，0.5≤x/y≤4。本发明的用于相变存储器的Zr-Sb-Te系列相变材料具有较好的结晶速度及较高的沉积态稳定性，其在电脉冲作用下可以实现可逆相变，相变前后有电阻高低差异之分，差值较大，可以分辨出“0”、“1”，其中Set电压脉冲宽达到100ns，Reset电压脉冲宽度达到10ns，循环次数达到104，是一种较为理想的相变材料，可用于制作相变存储器单元。所述Zr-Sb-Te系列相变材料可采用多种方法制备，其中磁控溅射法比较灵活，可以方便制得组分可调、质量较高的Zr100-x-ySbxTey复合薄膜。

公开(公告)号：CN104831235B

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201510136878.2

申请日：2015-03-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宋志棠 ,  郑勇辉 ,  成岩 ,  刘卫丽 ,  宋三年 ,  朱敏

IPC: C23C14/14 ,  H01L45/00

Abstract: 本发明提供一种用于相变存储器的Zr‑Sb‑Te系列相变材料及其制备方法，所述Zr‑Sb‑Te系列相变材料的化学式为Zr100‑x‑ySbxTey，其中0

公开(公告)号：CN109839296A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201711213560.5

申请日：2017-11-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宋志棠 ,  任堃 ,  沈佳斌 ,  郑勇辉 ,  成岩

IPC: G01N1/28

Abstract: 本发明提供一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法，至少包括：首先提供金属探针，将金属探针的顶端针尖削平形成平台；然后在平台表面制备相变存储器器件，包括下电极层、相变层、以及上电极层；接着在上电极层表面淀积保护层；再以保护层为掩膜，刻蚀所述相变存储器器件，在平台两侧缘形成薄片；最后对薄片进行分割，形成多个独立的透射电镜样品。本发明解决了TEM样品与原位电学测试TEM样品杆的电学连接问题，避免了常规FIB制备TEM样品所需的样品提取转移到Cu网的步骤，减小了样品制备的难度，提高了样品制备的成功率，大大降低了样品的制备成本，加快了新型高密度存储相变材料研发，为其可逆相变行为及界面相变行为的研究提供了快捷的手段。