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公开(公告)号：CN119517737A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411509691.8
申请日：2024-10-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/265 , H01L21/02 , H01L21/223 , H01L21/306 , H10D84/03
Abstract: 本申请实施例提供了一种碳基半导体薄膜材料的制备方法，首先通过键合经过离子注入的半导体和具有介质层的硅基衬底，得到硅基半导体材料，通过在硅基衬底上制备用于介质层释放的通孔，为介质层释放提供来自于支撑衬底的通孔，解决了现有技术中介质层释放需要通过将半导体薄膜图案化来提供通道的问题，突破了转印半导体薄膜的尺寸限制，进而实现大面积半导体异质集成材料的制备。此外，通过转印这种范德华集成方法制备的异质材料在界面处几乎没有非晶过渡区域，对于组成材料的种类没有限制，不受晶格失配、热失配等物理因素影响。
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公开(公告)号：CN119943654A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411952083.4
申请日：2024-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/18 , H01L21/265
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种异质结构的制备方法及异质结构。通过将具有缺陷层的第一目标衬底与过渡衬底进行键合、退火剥离处理，得到中间异质结构，该中间异质结构包括层叠的过渡衬底和目标薄膜，后续，对中间异质衬底进行离子注入，并将中间异质衬底与第二目标衬底进行键合、退火剥离处理，并去除剥离处理后的所属过渡衬底的薄膜层，得到包括层叠的第二目标衬底和目标薄膜的目标异质结构。从而可以有效降低第一目标衬底的薄膜与第二目标衬底之间的异质界面应力，进而实现第一目标衬底的薄膜与第二目标衬底直接的异质集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117577518A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311555216.X
申请日：2023-11-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供一种金刚石基氧化镓半导体结构及其制备方法，在金刚石衬底上制备碳化硅层，形成金刚石‑碳化硅复合结构，并将碳化硅层作为中间层，用于与氧化镓材料的异质集成，形成金刚石‑碳化硅‑氧化镓复合结构，从而可提供散热性能良好、易键合且键合强度高，可批量化生产的金刚石基氧化镓半导体结构。
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公开(公告)号：CN116487340A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310474680.X
申请日：2023-04-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/367 , H01L23/46 , H01L27/088
Abstract: 本发明提供一种具有微流道的异质集成氧化镓场效应晶体管及制备方法，通过在氧化镓异质集成结构中直接制备嵌入式的微流道，可使得冷却介质直接靠近热源流过，从而实现高效的散热，降低场效应晶体管的沟道温度，优化器件的热性能。本发明的基于内嵌微流道和异质集成的氧化镓场效应晶体管，具有结构紧凑，传热效率高，冷却系统能耗低等优点。
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公开(公告)号：CN116631847A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310498119.5
申请日：2023-05-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , C23C14/48 , C23C14/06 , C30B25/20 , C30B25/18 , C30B29/16 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供一种氧化镓异质集成结构及制备方法，通过对异质集成的氧化镓复合结构进行表面刻蚀，以基于NaOH溶液或KOH溶液对材料的各向异性刻蚀，在氧化镓复合结构的表面留下具有凹槽的绒面结构，以增加器件的总体有效散热面积，增强了基于此制备的氧化镓基器件的散热能力，以解决氧化镓基器件的散热问题，提高氧化镓基器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN119381252A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411509689.0
申请日：2024-10-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/265 , H01L21/02 , H01L21/223 , H01L21/306 , H10D84/03
Abstract: 本发明提供了一种阵列化的碳基半导体薄膜材料及其制备方法，首先将经离子注入的半导体晶圆和表面具有牺牲层的支撑衬底，沿牺牲层进行键合，随后对半导体薄膜层进行刻蚀处理，以使半导体薄膜层形成阵列化图案，得到阵列化的半导体薄膜层，以及通过刻蚀处理去除牺牲层，得到包含阵列化的半导体薄膜层和支撑衬底的半导体异质材料，再通过转印技术将阵列化的半导体薄膜层，从支撑衬底上转移至目标碳基衬底上，得到阵列化的碳基半导体薄膜材料。通过该方法可实现半导体与具有优良性能的碳基材料的异质集成，进一步释放半导体半导体材料在功率、射频等领域的应用潜力。
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公开(公告)号：CN117577518B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202311555216.X
申请日：2023-11-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供一种金刚石基氧化镓半导体结构及其制备方法，在金刚石衬底上制备碳化硅层，形成金刚石‑碳化硅复合结构，并将碳化硅层作为中间层，用于与氧化镓材料的异质集成，形成金刚石‑碳化硅‑氧化镓复合结构，从而可提供散热性能良好、易键合且键合强度高，可批量化生产的金刚石基氧化镓半导体结构。
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