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公开(公告)号：CN103246610B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201210032785.1
申请日：2012-02-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于单类型存储器的嵌入式系统的动态存储管理方法，该嵌入式系统包括预存有内核及文件系统启动加载信息和引导程序的启动程序存储区及建置有内核及文件系统的系统RAM区，该方法是在引导程序启动后，基于启动信息加载内核与文件系统；然后在系统RAM区标记出已用内存区及可用内存区；最后系统接收到更新或搬移指令时，申请系统RAM区中是否有连续可用的内存块，若是，则写入内核或文件系统的更新或搬移数据，若否，则整理该可用内存区中的碎片并将各该碎片合并成连续可用的内存块，以将内核或文件系统的更新或搬移数据写入该内存块，本发明模糊了内存与外存的界限，统一了存储架构，把外存管理纳入了内存管理之中，解决了不便管理等问题。
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公开(公告)号：CN103246610A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210032785.1
申请日：2012-02-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于单类型存储器的嵌入式系统的动态存储管理方法，该嵌入式系统包括预存有内核及文件系统启动加载信息和引导程序的启动程序存储区及建置有内核及文件系统的系统RAM区，该方法是在引导程序启动后，基于启动信息加载内核与文件系统；然后在系统RAM区标记出已用内存区及可用内存区；最后系统接收到更新或搬移指令时，申请系统RAM区中是否有连续可用的内存块，若是，则写入内核或文件系统的更新或搬移数据，若否，则整理该可用内存区中的碎片并将各该碎片合并成连续可用的内存块，以将内核或文件系统的更新或搬移数据写入该内存块，本发明模糊了内存与外存的界限，统一了存储架构，把外存管理纳入了内存管理之中，解决了不便管理等问题。
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公开(公告)号：CN102841674A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210259941.8
申请日：2012-07-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于新型存储器的嵌入式系统及其进程的休眠与唤醒方法，该嵌入式系统由新型非易失存储器及DRAM内存构成存储架构，所述新型非易失存储器又由引导程序存储区、内核存储区、文件系统存储区、以及进程镜像备份区组成，其中，所述进程镜像备份区划分有镜像索引区和镜像数据保存区，可实现应用进程挂起到所述新型非易失存储器。本发明可实现系统级以及单进程的休眠，使进程休眠、唤醒管理更加灵活、方便，可降低传统嵌入式系统休眠唤醒的数据备份及恢复的工作量以及系统休眠时数据备份所占用的大量存储空间，从而提高嵌入式系统运行效率。
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公开(公告)号：CN102751319A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210230324.5
申请日：2012-07-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/221 , H01L21/334 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种基于硫系化合物的浪涌保护器件，该浪涌保护器件包括下电极（2）、位于该下电极（2）上的下加热电极（3）、位于下加热电极（3）上的硫系化合物薄膜（5）以及位于所述硫系化合物薄膜（5）上的上电极（6）；所述硫系化合物薄膜（5）下部通过下加热电极（3）与下电极（2）达成电性连接；所述硫系化合物薄膜（5）上部与上电极（6）达成电性连接。本发明还提供一种基于硫系化合物的浪涌保护器件的制备方法。本发明器件利用硫系化合物所特用的阈值导通特性实现过压保护，概念新颖，结构简单，是一种过电保护响应速度极快，抑制过压能力极强的浪涌保护器件。
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公开(公告)号：CN104575611A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410804631.9
申请日：2014-12-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C29/08
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器器件单元的皮秒级脉冲测试系统，包括主控计算机、皮秒脉冲信号发生器、数字源表和器件夹具盒，所述主控计算机分别与所述皮秒脉冲信号发生器和数字源表相连；所述皮秒脉冲信号发生器和数字源表还分别与所述器件夹具盒内的偏置器相连；所述器件夹具盒的两根探针分别连接被测相变存储器的上电极和下电极，构成一个完整的存储单元测试连接回路；所述主控计算机通过控制软件进行命令及数据传输，实现命令的发送和数据的采集。本发明能够表征器件单元的电学和存储性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102923676B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201210414938.9
申请日：2012-10-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及电路中的浪涌保护器件领域，特别是涉及一种适用于浪涌保护器件的硫系化合物薄膜材料。本发明提供一种适用于浪涌保护器件的硫系化合物薄膜材料，所述硫系化合物薄膜材料为Ge、Al、As、Sb、Te、S或Se中任意两种以上的元素按任意比例所组成的化合物。本发明针对硫系化合物所独有的阈值导通特性来实现对电路的过压保护，其工作原理与半导体浪涌保护器件完全不同，是一种新型的浪涌保护器件。
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公开(公告)号：CN102779072B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210199953.6
申请日：2012-06-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F9/48
Abstract: 本发明提供一种嵌入式系统及其应用进程的休眠与唤醒方法，该嵌入式系统由传统的非易失主存及DRAM内存构成存储架构，非易失主存又由引导程序存储区、内核存储区、文件系统存储区、以及进程镜像备份区组成，其中，进程镜像备份区划分有镜像索引区和镜像数据保存区，可实现应用进程挂起到非易失存储器。本发明可实现系统级以及单进程的休眠，使进程休眠、唤醒管理更加灵活、方便，可降低传统嵌入式系统休眠唤醒的数据备份及恢复的工作量以及系统休眠时数据备份所占用的大量存储空间，从而提高嵌入式系统运行效率。
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公开(公告)号：CN103049397B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201210559664.2
申请日：2012-12-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F12/08
Abstract: 本发明提供一种基于新型存储器的固态硬盘内部缓存管理方法及系统，所述管理系统包括SATA接口控制器、微处理器、DRAM内存、本地总线、闪存控制器、及NAND闪存，所述固态硬盘内部管理系统中还包括PCRAM缓存，所述PCRAM缓存包括数据块置换区及映射表存储区，其中，所述数据块置换区用于存放从所述DRAM内存置换到所述PCRAM缓存的数据块，所述映射表存储区用于保存数据页逻辑地址到物理地址之间的映射表，本发明通过基于PCRAM的SSD内部缓存管理方法，实现对固态硬盘的写的缓存以克服固态硬盘的读写不均衡特性、有效提高写性能、减少固态硬盘的随机写操作及擦出操作，以此来延长固态硬盘的寿命及提高固态硬盘的整体I/O性能。
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公开(公告)号：CN102841674B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201210259941.8
申请日：2012-07-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于新型存储器的嵌入式系统及其进程的休眠与唤醒方法，该嵌入式系统由新型非易失存储器及DRAM内存构成存储架构，所述新型非易失存储器又由引导程序存储区、内核存储区、文件系统存储区、以及进程镜像备份区组成，其中，所述进程镜像备份区划分有镜像索引区和镜像数据保存区，可实现应用进程挂起到所述新型非易失存储器。本发明可实现系统级以及单进程的休眠，使进程休眠、唤醒管理更加灵活、方便，可降低传统嵌入式系统休眠唤醒的数据备份及恢复的工作量以及系统休眠时数据备份所占用的大量存储空间，从而提高嵌入式系统运行效率。
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公开(公告)号：CN104201282A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410504612.4
申请日：2014-09-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储器及其制备方法，其中，所述相变存储器至少包括：下电极，所述下电极呈阵列式排布；位于所述下电极上的下加热电极；位于多个下加热电极上的相变材料层，所述相变材料层呈条状等间距排布；位于所述下加热电极上方位置的相变材料层上的上电极，所述上电极呈条状等间距排布，且与所述相变材料层相互垂直。本发明的相变存储器通过将整条的相变材料覆盖在多个下加热电极上，从而将各个分立的相变存储单元连接在一起，可以通过控制信号输入完成块擦除，解决了现有相变存储器不能完成块操作的缺陷；同时也可以通过控制信号端和电极进行选择性单元数据擦除，大大提高了数据擦除效率。
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