公开(公告)号：CN116736445A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310610948.8

申请日：2023-05-29

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  周李平 ,  伊艾伦 ,  王成立 ,  杨秉承

IPC: G02B6/293

Abstract: 本发明涉及一种自干涉光学微谐振腔及其调控方法，其中，自干涉光学微谐振腔包括，微腔结构，由首尾相连的波导构成；总线波导，与所述微腔结构耦合2n+1次构成2n+1个耦合器，相邻两个耦合器在所述微腔结构所在波导上的光程与相邻两个耦合器在所述总线波导上的光程不同。本发明能够在不改变光学微谐振腔的绝对谐振频率情况下调控光学微谐振腔的谐振透射率。

公开(公告)号：CN117518714A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311363532.7

申请日：2023-10-20

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  杨秉承 ,  伊艾伦 ,  周李平

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/40 ,  G03F1/80 ,  H01S3/30

Abstract: 本发明涉及一种用于拉曼激光器的碳化硅光子器件制备方法，本发明方法可获得侧壁光滑、垂直度高的碳化硅直波导和微环谐振器，从而使得光被束缚在回音壁式微腔中，产生回音壁式拉曼激光。

公开(公告)号：CN117608029A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202311363537.X

申请日：2023-10-20

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  杨秉承 ,  伊艾伦 ,  周李平

IPC: G02B6/136 ,  G02B6/13

Abstract: 本发明涉及一种用于端面耦合的碳化硅光子芯片分离方法，利用光刻、刻蚀和研磨工艺将晶圆分离成单个芯片的制备方法。相比于正常的切割工艺，这种方法的主要优点是能够实现更光滑的垂直切面，有利于芯片与光纤或其他芯片的端面进行耦合。

公开(公告)号：CN117872530A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202410059037.5

申请日：2024-01-15

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  杨秉承 ,  王成立 ,  蔡佳辰

IPC: G02B6/136 ,  G02B6/13 ,  G02B6/122 ,  G02B6/12

Abstract: 本发明涉及半导体光电技术领域，特别涉及一种光子芯片的制备方法及光子芯片。通过提供一光子结构；所述光子结构包括支撑衬底和位于所述支撑衬底上的钽酸锂层；在所述钽酸锂层上形成图形化的光刻胶层；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，对所述钽酸锂层进行刻蚀，以在所述支撑衬底上形成钽酸锂波导；去除所述光刻胶，得到光子芯片。通过对钽酸锂层进行深刻蚀，使得得到的条形波导可以有效改善水平方向的光场限制，降低波导弯曲半径大小的限制，从而获得更高集成密度的钽酸锂光子芯片。