公开(公告)号：CN1722462A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510026541.2

申请日：2005-06-08

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宋志棠 ,  刘波 ,  徐成 ,  徐嘉庆 ,  刘卫丽 ,  封松林 ,  陈邦明

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/105 ,  H01L27/24 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8239

Abstract: 本发明提供一种可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元及制备方法。主要利用相变材料的半导体特性，通过对相对稳定且易微细加工的可逆相变材料所具有的N型与P型特性制备出微米到纳米量级的小尺寸场效应晶体管，利用纳米加工技术，在晶体管的源、漏上制备10－100nm的引出电极，这样就可实现构成相变存储单元的1R1T(一个可逆相变电阻，一个场效应晶体管)在结构上的一体化与功能上的集成，可有效提高相变存储器的集成度。

公开(公告)号：CN100440535C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200510026541.2

申请日：2005-06-08

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宋志棠 ,  刘波 ,  徐成 ,  徐嘉庆 ,  刘卫丽 ,  封松林 ,  陈邦明

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/105 ,  H01L27/24 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8239

Abstract: 本发明提供一种可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元及制备方法。主要利用相变材料的半导体特性，通过对相对稳定且易微细加工的可逆相变材料所具有的N型与P型特性制备出微米到纳米量级的小尺寸场效应晶体管，利用纳米加工技术，在晶体管的源、漏上制备10-100nm的引出电极，这样就可实现构成相变存储单元的1R1T(一个可逆相变电阻，一个场效应晶体管)在结构上的一体化与功能上的集成，可有效提高相变存储器的集成度。