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公开(公告)号：CN1815363A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200610024251.9
申请日：2006-03-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G03F7/00 , G03F7/20 , H01L21/027 , G11C11/00 , G11C13/00
Abstract: 本发明涉及一种制作相变随机存储器用的湿法刻蚀液及其湿法刻蚀工艺，其刻蚀液的组成为：酸溶液为1～30％，氧化剂为0.5％～10％，络合剂为0.05％～10％，表面活性剂0.1～5％(均为wt％)，余量为去离子水。湿法刻蚀工艺步骤为：(1)清洗氧化硅片，依次沉积Ti或TiN，Pt或Au，以及相变材料膜；(2)在相变薄膜上光刻成图形；(3)沉积金属Pt或Au；(4)用剥离工艺去除曝光之外的金属Pt或Au；(5)用刻蚀液刻蚀相变材料；(6)沉积SiO2，形成的器件结构。本工艺充分利用刻蚀液的正向和侧向刻蚀，在有效控制刻蚀速率的条件下，用微米加工工艺制作了纳米相变存储器结构；制作之后离子对器件无污染，便于清洗、加工和废液处理成本低。
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公开(公告)号：CN1731567B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200510026996.4
申请日：2005-06-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/321 , B24B57/02
Abstract: 本发明涉及一种用于集成电路多层互连结构铜/钽化学机械抛光(CMP)的一步抛光工艺技术及相应纳米抛光液。对于互连结构的铜/钽多层膜体系的化学机械抛光，通过本发明的“一步抛光工艺”，单头抛光机能够代替昂贵的多头抛光机，实现多层膜的分步抛光。通过化学机械抛光过程中多层膜体系界面间在线检测信号(声学、力学、电学或光学信号)差异的反馈，对抛光液实施分段应用，有效改善了原有的单一抛光液或分步抛光中存在的低速率及选择性问题。该抛光工艺及相应纳米抛光液有效改善了单一抛光液的速率问题；以单头抛光机代替多头抛光机，降低了设备成本；同时抛光后表面损伤少、易清洗，抛光液不腐蚀设备、不污染环境。
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公开(公告)号：CN100478412C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200710037163.7
申请日：2007-02-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于蓝宝石衬底的化学机械抛光浆液，此浆液包含pH调节剂、表面活性剂、水性介质及一种复合研磨颗粒。该复合研磨粒子是由基材颗粒碳化硼表面包覆一层粒子所构成。通过本发明提供的化学机械抛光浆液，蓝宝石衬底的抛光速率达到了180nm/min，表面粗糙度降低到了7.5以下，蓝宝石的表面质量和加工效率得到了有效的提高。
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公开(公告)号：CN100423232C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200610027258.6
申请日：2006-06-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种利用电子束曝光和化学机械抛光的工艺制作纳电子存储器的方法。工艺步骤是：(1)在清洗干净的衬底上热氧化一层氧化层；(2)沉积过渡层与底电极薄膜；(3)再次沉积过渡层与介质绝缘绝热层；(4)通过电子束曝光在绝缘绝热介质上形成纳米孔；(5)沉积相变材料，填满纳米孔；(6)对相变材料用化学机械抛光进行去除处理和平坦化；(7)再沉积绝缘介质层，刻蚀出小孔，且与纳米孔对应；(8)沉积电极；(9)对电极用化学机械抛光进行去除处理和平坦化；(10)通过引线引出上电极，形成器件单元或阵列。方法简单而且与集成电路工艺完全兼容。
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公开(公告)号：CN1290962C
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200410093370.0
申请日：2004-12-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09K3/14
Abstract: 本发明涉及一种用于半导体器件中高介电常数介电材料钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3，BST)化学机械抛光(CMP)的纳米抛光液。该CMP纳米抛光液包含有纳米研磨料、螯合剂、pH调节剂、表面活性剂、消泡剂、杀菌剂及溶剂等。该抛光液损伤少、易清洗、不腐蚀设备、不污染环境，主要用于新一代高密度存储器(DRAM)电容器介电材料及CMOS场效应管的栅介质——高介电常数介电材料钛酸锶钡的全局平坦化。利用上述纳米抛光液采用化学机械抛光方法平坦化高介电常数介电材料钛酸锶钡，抛光后表面的粗糙度降至0.8nm以下，抛光速率达200～300nm/min；抛光后表面全局平坦度高，损伤较少，是制备超高密度动态存储器(DRAM)及CMOS场效应管时高介电材料平坦化的一高效抛光液。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1866496A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610027258.6
申请日：2006-06-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种利用电子束曝光和化学机械抛光的工艺制作纳电子存储器的方法。工艺步骤是：(1)在清洗干净的衬底上热氧化一层氧化层；(2)沉积过渡层与底电极薄膜；(3)再次沉积过渡层与介质绝缘绝热层；(4)通过电子束曝光在绝缘绝热介质上形成纳米孔；(5)沉积相变材料，填满纳米孔；(6)对相变材料用化学机械抛光进行去除处理和平坦化；(7)再沉积绝缘介质层，刻蚀出小孔，且与纳米孔对应；(8)沉积电极；(9)对电极用化学机械抛光进行去除处理和平坦化；(10)通过引线引出上电极，形成器件单元或阵列。方法简单而且与集成电路工艺完全兼容。
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公开(公告)号：CN100335581C
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200410084490.4
申请日：2004-11-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/18
Abstract: 本发明涉及一种用于硫系化合物相变薄膜材料GeSbTe化学机械抛光(CMP)的无磨料抛光液及该化学机械抛光液在制备纳电子器件相变存储器中的应用。该CMP无磨料抛光液包含有氧化剂、螯合剂、pH调节剂、抗蚀剂、表面活性剂、消泡剂、杀菌剂及溶剂等。该抛光液损伤少、易清洗、不腐蚀设备、不污染环境，主要用于制造相变存储器关键材料GexSbyTe(1-x-y)的CMP。利用上述抛光液采用化学机械抛光方法去除多余的相变薄膜材料GexSbyTe(1-x-y)，(0≤x≤0.5，0≤y≤1.0，且x、y不同时为0)制备纳电子器件相变存储器，方法简单易行。
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公开(公告)号：CN101016439A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200710037163.7
申请日：2007-02-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于蓝宝石衬底的化学机械抛光浆液，此浆液包含pH调节剂、表面活性剂、水性介质及一种复合研磨颗粒。该复合研磨粒子是由基材颗粒碳化硼表面包覆一层粒子所构成。通过本发明提供的化学机械抛光浆液，蓝宝石衬底的抛光速率达到了180nm/min，表面粗糙度降低到了7.5以下，蓝宝石的表面质量和加工效率得到了有效的提高。
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公开(公告)号：CN1915595A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200610030551.8
申请日：2006-08-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: Y02P10/234
Abstract: 本发明涉及一种用于集成电路多层互连结构金属化学机械抛光(CMP)的抛光液原位批处理方法及所使用的装置。创新点在于利用电化学工作原理，将抛光产生的金属离子还原转移达到去除的目的，同时恢复抛光液中氧化剂的功能。所述的装置是在传统的单头或多头抛光系统中，增加抛光液原位批处理系统和抛光盘的在线修复，使抛光速率和抛光过程均匀性信息在线检测，将现有抛光工序和抛光液原处理工序集为一体。与现有抛光液一次性消耗工艺相比，不仅可以减少抛光液的消耗，而且可以减少抛光液后处理所带来的不便，是解决集成电路化学机械抛光工艺高成本的一种有效方法和设备。
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公开(公告)号：CN1616572A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410066674.8
申请日：2004-09-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及一种用于硫系化合物相变薄膜材料GexSbyTe(1－x－y)化学机械抛光(CMP)的纳米抛光液及该化学机械抛光液在制备纳电子器件相变存储器中的应用。该CMP纳米抛光液包含有氧化剂、螯合剂、pH调节剂、纳米研磨料、抗蚀剂、表面活性剂及溶剂等。该抛光液损伤少、易清洗、不腐蚀设备、不污染环境，主要用于制造相变存储器关键材料GexSbyTe(1－x－y)的CMP。利用上述抛光液采用化学机械抛光方法去除多余的相变薄膜材料GexSbyTe(1－x－y)制备纳电子器件相变存储器，方法简单易行。
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