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公开(公告)号：CN116633304B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202310732219.X
申请日：2023-06-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种声学谐振器及其制备方法、滤波器。该声学谐振器包括由下至上依次设置的支撑衬底、压电薄膜层和叉指电极结构，支撑衬底内设有多边形空腔；支撑衬底为{111}单晶硅衬底；多边形空腔的周面包括硅 晶向；压电薄膜层靠近多边形空腔，且压电薄膜层设有多个刻蚀通孔，多个刻蚀通孔与多边形空腔连通。本申请提供的该声学谐振器具有优异的电学和机械性能。
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公开(公告)号：CN119254175A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411299344.7
申请日：2024-09-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于异质集成压电衬底的叉指电容，所述叉指电容结构包括：提供一压电薄膜；位于所述压电薄膜上方的金属电极；位于所述压电薄膜下方的二氧化硅功能层；位于所述二氧化硅功能层下方的支撑衬底；其中，所述二氧化硅功能层为可选结构。本发明的叉指电容对比片外集成的IPD电容，在集成化和微型化方面有着明显的优势。
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公开(公告)号：CN113708739B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202111000441.8
申请日：2021-08-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请实施例所公开的一种声波滤波器，包括多个谐振器，多个谐振器包括多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器，串联臂谐振器和所述并联臂谐振器之间的夹角在预设夹角区间内；每个谐振器包括：支撑衬底、压电薄膜和多个电极，压电薄膜设置在支撑衬底上，多个电极设置在压电薄膜上。基于本申请实施例通过将串联臂谐振器和并联臂谐振器之间的夹角设置在预设夹角区间内，可以抑制瑞利杂波，提高滤波器的综合性能。
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公开(公告)号：CN113328723B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202110665708.9
申请日：2021-06-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种弹性波谐振器及其制备方法，所述弹性波谐振器至少包括：支撑衬底；压电层，形成于所述支撑衬底的上表面；叉指电极，形成于所述压电层的上表面；反射增强结构，至少形成于所述叉指电极的左右两侧，且形成于所述压电层的上表面及/或所述压电层中。通过本发明提供的弹性波谐振器及其制备方法，改善了现有弹性波谐振器声学能量泄露的问题。
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公开(公告)号：CN113922784B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202111218430.7
申请日：2021-10-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请实施例所公开的一种声波谐振器及其制备方法，声波谐振器包括衬底、压电膜和多个叉指电极，其中，衬底具有空气腔，压电膜设置在衬底的上表面，多个叉指电极设置在压电膜的上表面，多个叉指电极包括第一叉指电极集合，第一叉指电极集合中每个第一叉指电极上开设有刻蚀通孔，刻蚀通孔贯穿第一叉指电极和压电膜，刻蚀通孔与空气腔连通。基于本申请实施例通过在第一叉指电极上开设刻蚀通孔，利用各向同性的刻蚀和释放工艺，可以控制多余的悬空区域的大小，在不影响器件性能的前提下，可以提高器件的功率容量，并且通过减小悬空区域可以提升器件机械稳定性，此外还可以抑制部分杂散波模式。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114070227B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202111247949.8
申请日：2021-10-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及声波谐振器制备技术领域，特别涉及一种氮化铝声波谐振器的制备方法及谐振器。方法包括：获取氮化铝单晶晶片；对氮化铝单晶晶片进行离子注入，得到离子注入氮化铝单晶晶片；获取支撑衬底；将离子注入氮化铝单晶晶片与支撑衬底键合，得到异质键合结构；对异质键合结构进行退火处理，得到异质集成器件结构。AlN单晶薄膜具有继承了AlN单晶晶片的优异的晶体质量，从而大大提高AlN声波谐振器的器件性能。此外，为调控AlN的极化性能从而实现调控AlN声波谐振器的性能，选用的AlN单晶晶片的晶面不仅可以为常见的极性面，还可以选用半极性面、非极性面等晶面，使器件应用范围更广泛。
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公开(公告)号：CN115618693A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211426306.4
申请日：2022-11-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/23 , G06F17/16 , G06F111/04
Abstract: 本申请公开一种声表面波谐振器仿真方法及系统，包括获取待仿真的声表面波谐振器的横向切片模型，确定横向切片模型中的镜像部分和非镜像部分；从镜像部分和非镜像部分各自提取预设层网格，得到镜像单元和非镜像单元；对于非镜像单元，利用有限单元法对非镜像单元的网格进行组装，得到有限元的系统矩阵作为第一矩阵；对第一矩阵进行排序处理，施加电势约束和周期条件得到第二矩阵；对于镜像单元，对第二矩阵进行对称处理得到第三矩阵；对第二矩阵和第三矩阵进行级联，得到声表面波滤波器的横向切片模型的仿真模型。本申请可针对拼接面不一致的情况进行级联，减少所需有限元仿真单元，加快横向切片模型的仿真速度，并提高仿真结果的准确性。
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公开(公告)号：CN114465594B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202011239226.9
申请日：2020-11-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种声波谐振器，所述声波谐振器包括：底电极；压电膜结构，形成于所述底电极的上方；顶电极，形成于所述压电膜结构的上方；其中，所述压电膜结构包括叠置的底层压电膜及顶层压电膜，所述底层压电膜及所述顶层压电膜均具有正面及与正面相对的反面；所述底层压电膜与所述顶层压电膜的法线方向均位于其各自压电晶体的XY面内，同时所述底层压电膜与所述顶层压电膜的晶体切型相同且其中一个正面朝上设置、另一个反面朝上设置。通过本发明提供的声波谐振器，抑制或消除了现有声波谐振器在导纳响应中引入的杂散模式。
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公开(公告)号：CN115425945A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211034733.8
申请日：2022-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种声表面波滤波器，包括：支撑衬底、压电层、谐振器构件和杂模抑制构件；压电层设置在支撑衬底上；谐振器构件设置在支撑衬底上；杂模抑制构件的一端与谐振器构件的输出端连接，杂模抑制构件的另一端接地；杂模抑制构件的谐振峰所在频率与谐振器构件高频杂散模式的中心频率一致，且当杂模抑制构件的最低频率激发模式为零阶水平剪切波模式时，杂模抑制构件的波长不超过谐振器构件的第一预设数值倍数，当杂模抑制构件的最低频率激发模式为高频杂散模式时，杂模抑制构件的波长不超过谐振器构件的波长的第二预设数值倍数。本发明能够有效抑制声表面波谐振器材料本身特性产生的高频杂模，提高声表面波滤波器的性能。
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公开(公告)号：CN115001438A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210732455.7
申请日：2022-06-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及异质集成器件制备技术领域，提供了一种纵向泄漏声表面波谐振器的结构及滤波器，声波谐振器的结构包括衬底，设置在衬底上的压电薄膜，设置在压电薄膜上的电极阵列。电极阵列包括叉指电极阵列和反射栅电极阵列，反射栅电极阵列中反射栅电极的中心间距小于叉指电极阵列中叉指电极的中心间距。基于本申请实施例提供的一种非标准反射栅结构，通过减小反射栅电极阵列中反射栅电极的中心间距，可以提高反射栅电极阵列的反射频率区间，从而可以抑制纵向泄漏波的杂散模式，提高声波谐振器的性能。
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