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公开(公告)号:CN103916342B
公开(公告)日:2017-04-19
申请号:CN201410152838.2
申请日:2014-04-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种信噪比估计方法,用于根据接收信号中插入的导频估计接收信号的信噪比,该方法包括以下步骤:步骤S1,从所述接收信号中获取所述导频所在位置的导频数值Xm,k、信道估计值Hm,k和高斯白噪声Nm,k,其中,m,k表示相应所述导频位于第m个数据符号、第k个子载波;步骤S2,根据所述导频数值Xm,k、所述信道估计值Hm,k和所述高斯白噪声Nm,k获取相应所述导频所在位置的导频位置信息Ym,k;步骤S3,根据所述导频数值Xm,k、所述信道估计值Hm,k和所述导频位置信息Ym,k获取所述接收信号的信噪比估计值。本发明可以在数据符号中插入的导频数量有限、不能做大量统计的情况下,消除噪声与信号之间的相关项,可以优化算法估计值的准确性和稳定性,并简化计算复杂性。
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公开(公告)号:CN103916342A
公开(公告)日:2014-07-09
申请号:CN201410152838.2
申请日:2014-04-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种信噪比估计方法,用于根据接收信号中插入的导频估计接收信号的信噪比,该方法包括以下步骤:步骤S1,从所述接收信号中获取所述导频所在位置的导频数值Xm,k、信道估计值Hm,k和高斯白噪声Nm,k,其中,m,k表示相应所述导频位于第m个数据符号、第k个子载波;步骤S2,根据所述导频数值Xm,k、所述信道估计值Hm,k和所述高斯白噪声Nm,k获取相应所述导频所在位置的导频位置信息Ym,k;步骤S3,根据所述导频数值Xm,k、所述信道估计值Hm,k和所述导频位置信息Ym,k获取所述接收信号的信噪比估计值。本发明可以在数据符号中插入的导频数量有限、不能做大量统计的情况下,消除噪声与信号之间的相关项,可以优化算法估计值的准确性和稳定性,并简化计算复杂性。
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公开(公告)号:CN102621199B
公开(公告)日:2015-02-18
申请号:CN201210059601.0
申请日:2012-03-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯修饰的铂电极,所述的铂电极是以在硅片上氧化生成二氧化硅层为基体,然后在二氧化硅基体上蒸镀金属铂电极,最后在铂电极上生长石墨烯,构成石墨烯修饰铂电极。采用溶出伏安法,利用MEMS工艺制作的石墨烯修饰的铂电极为工作电极,以Ag/AgCl电极作参考比电极,铂丝电极作为对电极,包括前处理、富集时间和电位设置及溶出伏安法的参数选择,检测出重金属极限值0.05mg/L,且提供的G/Pt电极比裸Pt电极具有明显的高的检测灵敏度。
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公开(公告)号:CN102621199A
公开(公告)日:2012-08-01
申请号:CN201210059601.0
申请日:2012-03-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯修饰的铂电极,所述的铂电极是以在硅片上氧化生成二氧化硅层为基体,然后在二氧化硅基体上蒸镀金属铂电极,最后在铂电极上生长石墨烯,构成石墨烯修饰铂电极。采用溶出伏安法,利用MEMS工艺制作的石墨烯修饰的铂电极为工作电极,以Ag/AgCl电极作参考比电极,铂丝电极作为对电极,包括前处理、富集时间和电位设置及溶出伏安法的参数选择,检测出重金属极限值0.05mg/L,且提供的G/Pt电极比裸Pt电极具有明显的高的检测灵敏度。
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