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公开(公告)号：CN102786029A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110128172.3
申请日：2011-05-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了提供一种用于制作纳米器件的自对准硅盖板，以及该硅盖板的制作方法和使用方法。该硅盖板的正面开设有用于制作电极的图形开口，该硅盖板的背面设有一梯台型凹槽，所述梯台型凹槽的底部与所述图形开口的底部相连通，所述梯台型凹槽的底部尺寸与所制作纳米器件的衬底尺寸相同。利用(100)单晶硅的各向异性腐蚀特性，通过对双面抛光硅片的氧化，双面光刻，各向异性腐蚀和划片等步骤可制作出所述硅盖板。将所述硅盖板盖在尺寸一致的表面有纳米材料的衬底上，经过金属沉积之后直接拿掉盖板，完成器件的制作。这一方法减小了电极布置位置的误差，避免了在金属沉积过程中由于样品台转动而发生的盖板移动导致器件的失效。
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公开(公告)号：CN102212794A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110092763.X
申请日：2011-04-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在电镀铜衬底上制备石墨烯的方法，其特征在于所述的方法包括如下步骤：在硅片上制备图形化电镀铜衬底；利用常压化学气相沉积的方法在800-1000C的温度下，利用甲烷为碳源，氩气和氢气为载气，生长3-5分钟，从而在电镀铜上生成石墨烯。该方法的特征在于可以直接制备图形化的石墨烯薄膜，并且衬底可以与IC工艺兼容，制作方法简单，成本低，能够大规模制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102786023A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110128174.2
申请日：2011-05-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种无盖板的碳纳米管器件结构及其制作方法。该结构包括：(100)单晶硅衬底、碳纳米管以及金属电极；在(100)单晶硅衬底上设有一贯穿整个(100)单晶硅衬底宽度的截面为近菱形的沟槽；碳纳米管跨越所述沟槽并在所述沟槽上保持悬空；金属电极位于所述沟槽两侧并分别覆盖着碳纳米管跨于沟槽两侧的部分，使悬空的碳纳米管与沟槽两侧的金属电极间形成电学连接。该器件结构用于碳纳米管电子器件和传感器中。由于省去了盖板，器件结构制作过程简单，成品率高，适合阵列化生产。
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公开(公告)号：CN1994861B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200610147625.6
申请日：2006-12-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种全光学微机械非致冷红外热成像芯片的结构及制作方法，所述的非制冷红外热成像芯片是由框架、弯折梁、可动微镜和长条形开口组成，其中，框架与中间悬浮的可动微镜构成像素元的冷结区和热结区；弯折梁连接框架和可动微镜；弯折梁由作为结构的主要支撑材料的非金属层、上金属层和下金属层组成，上金属层与非金属层构成双材料层使梁发生偏转，下金属层调节热导；长条形开口是在可动微镜上刻蚀的腐蚀窗口。利用〔100〕单晶硅各向异性腐蚀特性采用与(100)方向平行的开口通过正面腐蚀实现光机械敏感元结构。由于芯片采用光学读出，不需要复杂的读出电路和致冷设备，具有价格低、体积小、功耗小等优势，特别适合制作佩戴式热成像系统。
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公开(公告)号：CN102786023B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201110128174.2
申请日：2011-05-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种无盖板的碳纳米管器件结构及其制作方法。该结构包括：(100)单晶硅衬底、碳纳米管以及金属电极；在(100)单晶硅衬底上设有一贯穿整个(100)单晶硅衬底宽度的截面为近菱形的沟槽；碳纳米管跨越所述沟槽并在所述沟槽上保持悬空；金属电极位于所述沟槽两侧并分别覆盖着碳纳米管跨于沟槽两侧的部分，使悬空的碳纳米管与沟槽两侧的金属电极间形成电学连接。该器件结构用于碳纳米管电子器件和传感器中。由于省去了盖板，器件结构制作过程简单，成品率高，适合阵列化生产。
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公开(公告)号：CN102212794B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201110092763.X
申请日：2011-04-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在电镀铜衬底上制备石墨烯的方法，其特征在于所述的方法包括如下步骤：在硅片上制备图形化电镀铜衬底；利用常压化学气相沉积的方法在800-1000C的温度下，利用甲烷为碳源，氩气和氢气为载气，生长3-5分钟，从而在电镀铜上生成石墨烯。该方法的特征在于可以直接制备图形化的石墨烯薄膜，并且衬底可以与IC工艺兼容，制作方法简单，成本低，能够大规模制造。
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公开(公告)号：CN1994861A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610147625.6
申请日：2006-12-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种全光学微机械非致冷红外热成像芯片的结构及制作方法，所述的非制冷红外热成像芯片是由框架、弯折梁、可动微镜和长条形开口组成，其中，框架与中间悬浮的可动微镜构成像素元的冷结区和热结区；弯折梁连接框架和可动微镜；弯折梁由作为结构的主要支撑材料的非金属层、上金属层和下金属层组成，上金属层与非金属层构成双材料层使梁发生偏转，下金属层调节热导；长条形开口是在可动微镜上刻蚀的腐蚀窗口。利用〔100〕单晶硅各向异性腐蚀特性采用与(100)方向平行的开口通过正面腐蚀实现光机械敏感元结构。由于芯片采用光学读出，不需要复杂的读出电路和致冷设备，具有价格低、体积小、功耗小等优势，特别适合制作佩戴式热成像系统。
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