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公开(公告)号：CN1326214C
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200410016462.9
申请日：2004-02-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/308 , H01L21/467
Abstract: 本发明涉及一种基于半导体材料纳米线的制作方法。其特征在于利用半导体工艺中“鸟嘴”效应和半导体材料的湿法腐蚀或干法刻蚀技术在介质层上的半导体材料上加工制备出纳米尺度的线条，近似矩形或梯形截面，且可在顶层介质的表面形成保护膜之前，进行硼、磷等掺杂。方法包括(1)利用(100)或(110)晶面顶层硅的SOI硅片；(2)利用SOI硅片和硅的各向同性或干法刻蚀腐蚀技术；(3)先用硅的干法刻蚀技术再用硅的各向异性或各向同性腐蚀制作；(4)先用硅的各向同性腐蚀技术，再用硅的干法刻蚀技术制作等。具有工艺简单、加工成本低、适用于批量生产特点，制成的纳米线可做成传感器件、电子器件以及光波导器件，发光器件，有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN1827522A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610023325.7
申请日：2006-01-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明涉及一种低温圆片级微型气体盒的制作方法，其特征在于利用苯并环丁烯材料进行材料键合和半导体材料的湿法腐蚀或干法刻蚀技术，在250℃的低温条件下键合，实现芯片级气体盒的圆片级气密性封装键合，包括芯片级原子钟气体盒、高精度磁场传感器气体盒、原子反馈式微光稳频装置的原子气体盒、原子滤光器的原子气体盒或微光学法布里－珀罗腔制作，键合后BCB胶厚度为0.2μm，密封腔体He气的气密性达2.1～5.9×10－4Pa cm3/s，键合强度大于4.65MPa以及热循环可靠性完全达到微电子器件的封装标准。
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公开(公告)号：CN1474434A
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：CN03141848.1
申请日：2003-07-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0669 , H01L29/0673
Abstract: 本发明涉及一种硅纳米线的制作方法，其特征在于利用硅的各向异性腐蚀在介质层上硅材料上加工或硅纳米线方法。所得纳米线的截面为等腰三角形，三角形底上的高等于介质层上的硅材料厚度，控制硅材料厚度，就可得到截面尺度为10－50nm的硅纳米线；且可通过氧化进一步减细以及还可对材料进行掺杂，以制作不同导电类型的纳米线。使用本发明制作的纳米硅线，可用于研究低维半导体性质，还可以做成传感器件，电子器件，甚至发光器件等。且可批量生产，所以应用前景广阔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100445195C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200610023321.9
申请日：2006-01-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种圆片级微机械器件或光电器件的低温气密性封装方法，其特征在于利用苯并环丁烯(BCB)材料针对经过湿法腐蚀或干法刻蚀的半导体材料或玻璃进行250℃低温圆片级气密性键合，键合压力为1-3×10-5Pa，真空度为10-3Pa；通过BCB键合封装的微机械器件和光电器件封装的气密性，气密性达到2.1～5.9×10-4Pa cm3/s He，优于军用标准一个数量级以上；剪切强度在4.65MPa以上，完全达到了微电子器件的封装标准；本发明提供的封装方法适用于谐振式MEMS器件、微加速度计、微陀螺、微热辐射仪等，可以有效的减小器件的阻尼，提高器件系统的品质因数(Q值)，从而提高传感器件的灵敏度，是微机械器件和微光电器件的有效低温圆片级气密性封装方法。
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公开(公告)号：CN1821052A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610023321.9
申请日：2006-01-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种圆片级微机械器件和光电器件的低温气密性封装方法，其特征在于利用苯并环丁烯(BCB)材料针对经过湿法腐蚀或干法刻蚀的半导体材料或玻璃进行250℃低温圆片级气密性键合，键合压力为1－3×10－5Pa，真空度为10－3Pa；通过BCB键合封装的微机械器件和光电器件封装的气密性，气密性达到2.1～5.9×10－4Pa cm3/s He，优于军用标准一个数量级以上；剪切强度在4.65MPa以上，完全达到了微电子器件的封装标准；本发明提供的封装方法适用于谐振式MEMS器件、微加速度计、微陀螺、微热辐射仪等，可以有效的减小器件的阻尼，提高器件系统的品质因数(Q值)，从而提高传感器件的灵敏度，是微机械器件和微光电器件的有效低温圆片级气密性封装方法。
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公开(公告)号：CN1215530C
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN03141848.1
申请日：2003-07-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0669 , H01L29/0673
Abstract: 本发明涉及一种硅纳米线的制作方法，其特征在于利用硅的各向异性腐蚀在介质层上硅材料上加工或硅纳米线方法。所得纳米线的截面为等腰三角形，三角形底上的高等于介质层上的硅材料厚度，控制硅材料厚度，就可得到截面尺度为10-50nm的硅纳米线；且可通过氧化进一步减细以及还可对材料进行掺杂，以制作不同导电类型的纳米线。使用本发明制作的纳米硅线，可用于研究低维半导体性质，还可以做成传感器件，电子器件，甚至发光器件等。且可批量生产，所以应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN100564243C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200610023325.7
申请日：2006-01-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明涉及一种低温圆片级微型气体盒的制作方法，其特征在于利用苯并环丁烯材料进行材料键合和半导体材料的湿法腐蚀或干法刻蚀技术，在250℃的低温条件下键合，实现芯片级气体盒的圆片级气密性封装键合，包括芯片级原子钟气体盒、高精度磁场传感器气体盒、原子反馈式微光稳频装置的原子气体盒、原子滤光器的原子气体盒或微光学法布里—珀罗腔制作，键合后BCB胶厚度为0.2μm，密z封腔体He气的气密性达2.1～5.9×10-4Pa cm3/s，键合强度大于4.65MPa以及热循环可靠性完全达到微电子器件的封装标准。
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公开(公告)号：CN1560906A
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN200410016462.9
申请日：2004-02-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/308 , H01L21/467
Abstract: 本发明涉及一种基于半导体材料纳米线的制作方法。其特征在于利用半导体工艺中“鸟嘴”效应和半导体材料的湿法腐蚀或干法刻蚀技术在介质层上的半导体材料上加工制备出纳米尺度的线条，近似矩形或梯形截面，且可在顶层介质的表面形成保护膜之前，进行硼、磷等掺杂。方法包括(1)利用(100)或(110)晶面顶层硅的SOI硅片；(2)利用SOI硅片和硅的各向同性或干法刻蚀腐蚀技术；(3)先用硅的干法刻蚀技术再用硅的各向异性或各向同性腐蚀制作；(4)先用硅的各向同性腐蚀技术，再用硅的干法刻蚀技术制作等。具有工艺简单、加工成本低、适用于批量生产特点，制成的纳米线可做成传感器件、电子器件以及光波导器件，发光器件，有广泛的应用前景。
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